【題目】設(shè)NA為阿伏伽德羅常數(shù)的值,下列說法正確的是( )
A.1molFeCl2與1molCl2反應(yīng)時轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為2NA
B.2g H218O與D216O的混合物中所含電子數(shù)目為NA
C.273K,101kPa下,28g乙烯與丙烯混合物中含有C﹣H鍵的數(shù)目為5NA
D.pH=1的H2SO3溶液10L,含H+的數(shù)目為2NA
【答案】B
【解析】解:A.1molFeCl2與1molCl2反應(yīng),氯化亞鐵不足,只消耗0.5mol氯氣,生成1mol氯離子,轉(zhuǎn)移電子數(shù)為:NA , 故A錯誤;
B.H218O與D216O相對分子質(zhì)量都是20,1個分子中都含有10個電子,則2g H218O與D216O物質(zhì)的量為 =0.1mol,所含電子數(shù)目為0.1mol×10=1mol,個數(shù)為NA , 故B正確;
C.由于乙烯和丙烯分子中含有的碳氫鍵數(shù)目不同,題中條件無法計算混合物中含有的碳氫鍵數(shù)目,故C錯誤;
D.pH=1的H2SO3溶液,C(H+)=0.1mol/L,則含有氫離子物質(zhì)的量為0.1mol/L×10L=1mol,含H+的數(shù)目為NA , 故D錯誤;
故選:B.
科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】一定溫度下,向10 mL H2O2溶液中加入適量FeCl3溶液,反應(yīng)分兩步進行:
①2Fe3++ H2O2=2Fe2++ O2↑+ 2H+,② H2O2 + 2Fe2+ + 2H+ =2Fe3++2H2O,
反應(yīng)過程中能量變化如下圖所示。下列說法正確的是( )
A. 反應(yīng)②的ΔH=(E2 -E1)kJ·mol-1
B. Fe3+的作用是增大過氧化氫的分解速率
C. 反應(yīng)2H2O2(aq)=2H2O(l)+O2(g)的△H<0
D. 反應(yīng)①是放熱反應(yīng)、反應(yīng)②是吸熱反應(yīng)
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】下圖是元素周期表的一部分,表中的①~⑧中元素,用元素符號或化學式填空回答:
族 周期 | ⅠA | ⅡA | ⅢA | ⅣA | ⅤA | ⅥA | ⅦA | 0 |
二 | ① | ② | ③ | |||||
三 | ④ | ⑤ | ⑥ | ⑦ | ||||
四 | ⑧ |
(1)在這些元素中,化學性質(zhì)最不活潑的原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖為___________。
(2)②元素的原子L層有______個電子,其最高價氧化物的化學式為________,氣態(tài)氫化物的化學式為________,實驗室制備其氣態(tài)氫化物的化學方程式為__________。
(3)這些元素的最高價氧化物對應(yīng)的水化物中,酸性最強的是_______,堿性最強的是______,呈兩性的是__________________。
(5)寫出①單質(zhì)在空氣中燃燒的化學方程式_______________________。
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】相同質(zhì)量的SO2和SO3它們之間的關(guān)系是
A. 所含硫原子的物質(zhì)的量之比為1:1
B. 氧原子的物質(zhì)的量之比為3:2
C. 氧元素的質(zhì)量比為5:6
D. 硫元素的質(zhì)量比為4:5
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】下列可用濃硫酸干燥的氣體有( )
①H2 ②SO2、H2S、Cl2 ⑤NH3 ⑥HCl、CO2、HBr、CO
A.①②④⑥⑧⑨B.①②④⑥⑦⑨
C.①②④⑥⑦⑧D.全部
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】工業(yè)上利用無機礦物資源生產(chǎn)部分材料的流程示意圖如下。下列說法正確的是( )
(注:鋁土礦中含有A12O3、SiO2、Fe2O3)
A. 在鋁土礦制備較高純度A1的過程中只用到NaOH溶液、CO2氣體、冰晶石
B. 石灰石、純堿、石英、玻璃都屬于鹽,都能與鹽酸反應(yīng)
C. 在制粗硅時,氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為1∶2
D. 黃銅礦(CuFeS2)與O2反應(yīng)產(chǎn)生的Cu2S、SO2均是還原產(chǎn)物
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】下列說法中正確的是( )
A. 原子最外層只有1個電子的元素一定是金屬元素
B. 最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)多的元素一定位于第二周期
C. 氯元素的近似相對原子質(zhì)量為35.5,則它在自然界中存在的兩種同位素35Cl和37Cl的原子個數(shù)比為1:3
D. 金屬與非金屬分界線附近的元素既有金屬性,又有非金屬性,稱為過渡元素
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等.回答下列問題:
(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 .
(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑GaAs,第一電離能GaAs.(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為 , 其中As的雜化軌道類型為 .
(4)GaF3的熔點高于1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因是 .
(5)GaAs的熔點為1238℃,密度為ρ gcm﹣3 , 其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示.該晶體的類型為 , Ga與As以鍵鍵合.Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol﹣1和MAs gmol﹣1 , 原子半徑分別為rGa pm和rAs pm,阿伏伽德羅常數(shù)值為NA , 則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 .
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