常溫時(shí),在20 L真空容器中通入a molH2Sb molSO2a、b均是正整數(shù),且a≤5,b≤5)反應(yīng)完全后,容器內(nèi)可能達(dá)到的最大密度為( 

  A.24.5 g/L

  B.14.4 g/L

  C.8 g/L

  D.5.1 g/L

 

答案:B
提示:

為使SO2的剩余量最大,使SO2的起始量b最大,即為5 mol,而讓SO2的消耗量最小,即使H2S的起始量最小,即a=1 mol,所以根據(jù)反應(yīng):

 2    1

1mol  

剩余n(SO2)=5 mol-0.5mol=4.5 mol

密度為=

 


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:013

常溫時(shí),在20 L真空容器中通入a molH2Sb molSO2a、b均是正整數(shù),且a≤5,b≤5)反應(yīng)完全后,容器內(nèi)可能達(dá)到的最大密度為( 

  A.24.5 g/L

  B.14.4 g/L

  C.8 g/L

  D.5.1 g/L

 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

常溫時(shí),向20 L真空容器內(nèi)通入a mol硫化氫和b mol二氧化硫(a和b都是正整數(shù),且a≤5,b≤5),反應(yīng)完全后,容器內(nèi)可能達(dá)到的最大密度約是(    )

A.24.5 g·L-1           B.14.4 g·L-1          C.8 g·L-1             D.5.1 g·L-1

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

常溫時(shí),向20 L真空容器內(nèi)通入a mol硫化氫和b mol二氧化硫(a和b都是正整數(shù),且a≤5,b≤5),反應(yīng)完全后,容器內(nèi)可能達(dá)到的最大密度約是( 。?

A.24.5 g·L-1?

B.14.4 g·L-1??

C.8 g·L-1?

D.5.1 g·L-1??

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科目:高中化學(xué) 來源:模擬題 題型:填空題

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖I裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn),試回答下列問題:
(1)若開始時(shí)開關(guān)K與a連接,則B極的電極反應(yīng)式為___________________
(2)若開始時(shí)開關(guān)K與b連接,則總反應(yīng)的離子方程式為_____________________有關(guān)上述實(shí)驗(yàn),下列說法正確的是_________(填序號(hào))。
①溶液中Na+向A極移動(dòng)
②從A極逸出的氣體能使?jié)駶櫟腒I-淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體,則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
(3)該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的原理,設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí),通過陰離子交換膜的離子數(shù)_______(填“大于”、“小于”或“等于”)通過陽離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開始后,陰極附近溶液pH會(huì)增大,請(qǐng)簡述原因:___________________________。
(4)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為________________________。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20 L恒容密閉容器中的反應(yīng):
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g),達(dá)到平衡后,H2與SiHCl3的物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020 mol/L,若H2全部來源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為______kg。

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