根據(jù)下列實(shí)驗(yàn)事實(shí)，能確定某晶體一定是離子晶體的是                                （   ）
A．晶體熔點(diǎn)達(dá)2500℃B．晶體不導(dǎo)電，溶于水導(dǎo)電
C．晶體不導(dǎo)電，熔融能導(dǎo)電D．溫度越高，溶解度越大
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X的一種1:1型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素，Z的單質(zhì)和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28，且次外層有2個(gè)未成對(duì)電子。工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M（M可看做一種含氧酸鹽）。M有顯著的“壓電性能”，應(yīng)用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析，M晶體的最小重復(fù)單位為正方體（如右圖），邊長(zhǎng)為4.03×10－10 m，頂點(diǎn)位置為Z4＋所占，體心位置為Ba2＋所占，所有棱心位置為O2－所占。

⑴Y在周期表中位于______________；Z4＋的核外電子排布式為_(kāi)_____________；
⑵X的該種氫化物分子構(gòu)型為_(kāi)__________，X在該氫化物中以_____________方式雜化。X和Y
形成的化合物的熔點(diǎn)應(yīng)該_____________（填“高于”或“低于”）X氫化物的熔點(diǎn)。
⑶①制備M的化學(xué)反應(yīng)方程式是________________________________________；
②在M晶體中，若將Z4＋置于立方體的體心，Ba2＋置于立方體的頂點(diǎn)，則O2－處于立方體的______；
③在M晶體中，Z4＋的氧配位數(shù)為_(kāi)_______；
④已知O2－半徑為1.40×10－10 m，則Z4＋半徑為_(kāi)__________m。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

[選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）
A、B、C、D、E、F為六種短周期元素，它們核電荷數(shù)依次遞增。已知：B原子核外最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的兩倍，電子總數(shù)是E原子總數(shù)的1/2，F(xiàn)是同周期元素中原子半徑最小的元素；D2-與E2+的電子層結(jié)構(gòu)相同。B與D可以形成三原子化合物甲。A是非金屬元素，且A、C、F可形成離子化合物乙。請(qǐng)回答：
（1）C單質(zhì)的電子式      ，F(xiàn)元素原子的電子排布式     ，E元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖是        。
（2）化合物乙中含有的化學(xué)鍵是      。
（3）化合物甲為固體時(shí)屬于     晶體，E單質(zhì)在一定條件下與甲反應(yīng)的化學(xué)方程式為   。
（4）如圖立方體中心的“·”表示B單質(zhì)所形成的原子晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“·”表示出與之緊鄰的B原子

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

【化學(xué)一一選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】 （15分）
已知A、B、C、D都是元素周期表中前36號(hào)的元素，它們的原子序數(shù)依次增大。A原子核外部分電子排布式為：NsnNpn；B原子核外2P軌道有3個(gè)未成對(duì)電子：C原子核外S能級(jí)電子總數(shù)和P能級(jí)電子總數(shù)相同，且P能級(jí)成對(duì)電子數(shù)等于未成對(duì)電子數(shù)：D原子核外M層全充滿，N層只有1個(gè)電子。
請(qǐng)回答：
（1）B元素外圍電子排布圖為：                。
（2）A、B、C的第一電離能由大到小順序?yàn)?u>         ，電負(fù)性由大到小順序?yàn)?u>               （用元素符號(hào)回答）。
（3）B和C兩元素形成的陰離子BC-3中B的雜化類型為        ，空間構(gòu)型為     。
（4）與BC-3互為等電子體且含有A、C兩元素的微粒是        。（寫(xiě)化學(xué)式）
（5）比較A、B的氫化物在水中溶解度大小并說(shuō)明原因             。
（6）D元素基態(tài)原子電子排布     ，該元素單質(zhì)形成的晶體晶胞如圖所示，則D元素單質(zhì)的堆積方式為     ，已知D原子半徑為r，相對(duì)原子質(zhì)量為Mr，則D元素單質(zhì)的密度可表示為       。（用NA表示阿伏加德羅常數(shù)）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（5分）如圖所示為高溫超導(dǎo)領(lǐng)域里的一種化合物——鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是具有代表性的最小重復(fù)單位。

（1）在該物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)中，每個(gè)鈦離子周圍與它最接近且距離相等的鈦離子、鈣離子各有      、         個(gè)。
（2）該晶體結(jié)構(gòu)中，元素氧、鈦、鈣的離子個(gè)數(shù)比是        。該物質(zhì)的化學(xué)式可表示為           。
（3）若鈣、鈦、氧三元素的相對(duì)質(zhì)量分別為a，b，c，晶體結(jié)構(gòu)圖中正方體邊長(zhǎng)（鈦原子之間的距離）為dnm（1nm=10-9m），則該晶體的密度為            g/cm3。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（4分）A+，B2+，C-離子都由1～18號(hào)中某些元素組成。A+離子中鍵角為109°28＇，B2+離子中沒(méi)有化學(xué)鍵。C-離子中有9個(gè)質(zhì)子，具直線型結(jié)構(gòu)。已知A+，B2+，C-均有10個(gè)電子。試回答
（1）寫(xiě)出離子符號(hào)：A+______，B2+______，C-______。
（2）下列微粒：Ca2+，Ag+，質(zhì)子，中子，哪些最易與C-結(jié)合為揮發(fā)性穩(wěn)定化合物______

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下表列出有關(guān)晶體的說(shuō)明，錯(cuò)誤的是
選             項(xiàng)
A
B
C
D
晶體名稱
硫酸鉀
冰
二氧化硅
鋁
晶體類型
離子晶體
分子晶體
原子晶體
金屬晶體
組成晶體的粒子名稱
陽(yáng)、陰離子
分   子
原  子
鋁離子、自由電子
熔化時(shí)需破壞的作用力
離 子 鍵
共價(jià)鍵、氫鍵、范德華力
共價(jià)鍵
金屬鍵

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列說(shuō)法中，正確的一組是
①兩種元素組成的共價(jià)化合物的分子中的化學(xué)鍵都是極性鍵
②兩種不同非金屬元素的原子之間形成的化學(xué)鍵都是極性鍵
③分子晶體中相對(duì)分子質(zhì)量越大則熔沸點(diǎn)越高
④只要是離子化合物，其熔點(diǎn)就比共價(jià)化合物的熔點(diǎn)高
⑤離子化合物中一定含有離子鍵
⑥分子內(nèi)可能沒(méi)有共價(jià)鍵
⑦共價(jià)化合物形成的晶體一定是分子晶體
⑧原子晶體中一定有非極性共價(jià)鍵
A．只有②⑤⑥⑦B．只有②⑤⑥C．只有①②③⑤⑥⑧D．只有②③⑤⑥⑦

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元都是由硼原子組成的正二十面體的原子晶體(如圖)。其中含20個(gè)等邊三角形和一定數(shù)量的頂角，每個(gè)頂角上各有一個(gè)原子。試觀察推斷這個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元所含B原子數(shù)，B—B鍵個(gè)數(shù)及鍵角正確的一組是
A．20個(gè)，60個(gè)，360°B．12個(gè)，30個(gè)，60°
C．9個(gè)，18個(gè)，45°D．18個(gè)，54個(gè)，90°

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