下列過程中，共價(jià)鍵被破壞的是（　�。�
A、碘升華
B、溴蒸氣被活性炭吸附
C、葡萄糖溶于水
D、HCl氣體溶于水
考點(diǎn)：共價(jià)鍵的形成及共價(jià)鍵的主要類型
專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)
分析：發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或電解質(zhì)溶于水或電解質(zhì)處于熔融狀態(tài)都發(fā)生化學(xué)鍵被破壞．
解答： 解：A、碘升華，只是碘狀態(tài)發(fā)生變化，發(fā)生物理變化，共價(jià)鍵未被破壞，故A錯誤；
B、溴蒸氣被活性炭吸附，發(fā)生物理變化，共價(jià)鍵未被破壞，故B錯誤；
C、葡萄糖溶于水，葡萄糖在水溶液里以分子存在，所以共價(jià)鍵未被破壞，故C錯誤；
D、HCl溶于水時(shí)，在水分子的作用下電離出氫離子和氯離子，所以共價(jià)鍵被破壞，故D正確；
故選：D．
點(diǎn)評：本題考查了化學(xué)鍵的破壞，只有電解質(zhì)溶于水或熔融狀態(tài)或發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)鍵才能被破壞，注意：化學(xué)反應(yīng)中一定有化學(xué)鍵的破壞，但有化學(xué)鍵的破壞并不一定發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，為易錯點(diǎn)．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

稱取兩份鋁粉，第一份加足量的氫氧化鈉溶液，第二份加足量鹽酸，如要放出等體積的氣體（同溫、同壓下），兩份鋁粉的質(zhì)量之比為（　�。�
A、1：2B、1：3
C、3：2D、1：1

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列物質(zhì)中在一定條件下，可與甲烷發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的是（　�。�
A、氯氣B、溴水
C、四氯化碳D、酸性KMnO4溶液

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列溶液中的氯離子濃度與50mL 1mol/L的AlCl3溶液中氯離子濃度相等的是（　�。�
A、50 mL 1 mol/L的NaCl
B、100 mL 3 mol/L的NH4Cl
C、75 mL 2 mol/L的KCl
D、75 mL 2 mol/L的CaCl2

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

對有機(jī)物分子CH3-CH2-OH的下列推斷結(jié)論不正確的是（　　）
A、作質(zhì)譜分析，質(zhì)譜圖中質(zhì)荷比的最大值為46
B、作紅外光譜分析，譜圖上有C-H、C-O和O-H鍵的吸收峰
C、作核磁共振氫譜分析，在譜圖中出現(xiàn)3個(gè)吸收峰，其強(qiáng)度比為3：2：1
D、向CH3-CH2-OH中加入金屬鈉，有H2放出，證明該有機(jī)物顯酸性

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列物質(zhì)中只有離子鍵的是（　�。�
A、O2
B、NaOH
C、H2O
D、NaCl

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列離子方程式中正確的是（　�。�
A、少量SO2通入NaOH 溶液中：OH-+SO2→HSO3-
B、H2S 通入氯水中：S2-+Cl2→S↓+2Cl-
C、二氧化氮溶于水：3NO2+H2O=2H++2NO3-+NO↑
D、H2SO4 與Ba（OH）2 溶液反應(yīng)：H++SO42-+Ba2++OH-→BaSO4↓+H2O

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列離子方程式的書寫正確的是（　　）
A、Cu與AgNO3溶液反應(yīng)：Cu+Ag+═Cu2++Ag
B、Fe與鹽酸的反應(yīng)放出H2：Fe+2H+═Fe2++H2↑
C、大理石與鹽酸反應(yīng)放出CO2氣體：CO32-+2H+═CO2↑+H2O
D、氫氧化鋇溶液與稀 H2SO4 反應(yīng)：Ba2++SO42-═BaSO4↓

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下表為元素周期表的一部分，其中的編號代表對應(yīng)的元素．

請回答下列問題：
（1）表中元素①的6個(gè)原子與元素③的6個(gè)原子形成的某種環(huán)狀分子的分子式為
 
，該分子中元素③的雜化類型為
 
；元素④和⑦形成的常見化合物的晶體類型是
 
．
（2）某元素的特征電子排布式（或價(jià)電子排布式）為nsnnpn+1，該元素與元素①形成的分子X（分子中各個(gè)原子都是2電子或8電子的結(jié)構(gòu)）的空間構(gòu)形為
 
．
（3）某些不同族元素的性質(zhì)也有一定的相似性，如上表中元素⑤與元素②的氫氧化物有相似的性質(zhì)．請寫出元素②的氫氧化物與NaOH溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式：
 
．
（4）寫出元素⑧基態(tài)原子的核外電子排布
 
；元素⑧在1183K以下形成的晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖1所示，1183K以上轉(zhuǎn)變?yōu)閳D2所示結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元．兩種晶體的基本結(jié)構(gòu)單元中的原子個(gè)數(shù)之比為
 
．

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