Question

下面的排序不正確的是（　　）

• A、晶體熔點(diǎn)由低到高：CF₄＜CCl₄＜CBr₄＜CI₄
• B、硬度由大到小：金剛石＞碳化硅＞晶體硅
• C、熔點(diǎn)由高到低：Na＞Mg＞Al
• D、熔點(diǎn)由高到低：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI

Answer 1

考點(diǎn)：晶體熔沸點(diǎn)的比較

專題：

分析：A．分子晶體的相對分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越大；
B．鍵長越短，共價鍵越強(qiáng)，硬度越大；
C．金屬晶體的金屬離子的電荷越大、半徑越小，其熔點(diǎn)越大；
D．離子半徑越小、離子鍵越強(qiáng)，則晶格能越大；

解答：解：A．分子晶體的相對分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越大，則晶體熔點(diǎn)由低到高順序為CF₄＜CCl₄＜CBr₄＜CI₄，故A正確；
B．鍵長越短，共價鍵越強(qiáng)，硬度越大，鍵長C-C＜C-Si＜Si-Si，則硬度由大到小為金剛石＞碳化硅＞晶體硅，故B正確；
C．金屬晶體中金屬離子的電荷越大、半徑越小，其熔點(diǎn)越大，則熔點(diǎn)由高到低為Al＞Mg＞Na，故C錯誤；
D．離子半徑越小、離子鍵越強(qiáng)，則晶格能越大，F(xiàn)、Cl、Br、I的離子半徑在增大，則晶格能由大到�。篘aF＞NaCl＞NaBr＞NaI，熔點(diǎn)由高到低順序是NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI，故D正確；
故選C．

點(diǎn)評：本題考查了晶體中影響熔沸點(diǎn)的因素和熔沸點(diǎn)高低的判斷方法，題目難度不大，注意把握影響晶體熔沸點(diǎn)高達(dá)的因素．