氯化銫晶胞(晶體重復(fù)的結(jié)構(gòu)單位)如圖甲所示,該晶體中Cs+與Cl-的個(gè)數(shù)比為1∶1,化學(xué)式為CsCl。若某晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示,其中含有A、B、C三種元素的粒子,則該晶體中A、B、C的粒子個(gè)數(shù)比為(  )

A.8∶6∶1                     B.4∶3∶1

C.1∶6∶1                     D.1∶3∶1


D [在此晶體的晶胞中有A:8×=1個(gè),有B:6×=3個(gè),有C:1×1=1個(gè),即A∶B∶C=1∶3∶1。]


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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


下列氣體制備裝置錯(cuò)誤的是(   )

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


金屬晶體堆積密度大,原子配位數(shù)高,能充分利用空間的原因是(  )

A.金屬原子的價(jià)電子數(shù)少

B.金屬晶體中有自由電子

C.金屬原子的原子半徑大

D.金屬鍵沒(méi)有飽和性和方向性

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


下列離子晶體中,熔點(diǎn)最低的是(  )

A.NaCl       B.KCl        C.CaO       D.MgO

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離子晶體不可能具有的性質(zhì)是(  )

A.較高的熔、沸點(diǎn)               B.良好的導(dǎo)電性

C.溶于極性溶劑                 D.堅(jiān)硬而易粉碎

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下列關(guān)于金屬晶體的說(shuō)法中不正確的是(  )

A.金屬晶體中一定存在金屬鍵

B.金屬晶體中的金屬鍵沒(méi)有方向性和飽和性

C.金屬晶體中金屬原子只能采取最密堆積方式形成晶體

D.金屬晶體中的自由電子為整個(gè)金屬所共有

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某離子化合物DxEC6,晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示,陽(yáng)離子D+位于正方體的棱的中點(diǎn)和正方體內(nèi)部,陰離子EC位于該正方體的頂點(diǎn)和面心。該化合物中x值為(  )

A.1       B.2      C.3       D.4

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


化合物YX2、ZX2中X、Y、Z都是前三周期元素,X與Y同周期,Y與Z同主族,Y元素原子最外層的p軌道中的電子數(shù)等于前一電子層的電子總數(shù),X原子最外層的p軌道中有一個(gè)軌道填充了2個(gè)電子。

(1)X原子的電子排布式是______________;Y原子的價(jià)層電子軌道表示式是__。

(2)YX2的分子構(gòu)型是____________,YX2的溶、沸點(diǎn)比ZX2________(填“高”或“低”),理由是____________________________________。

(3)YX2分子中,Y原子的雜化類型是________。YX2分子中含________個(gè)π鍵。

(4)下圖表示一些晶體的結(jié)構(gòu)(晶胞),其中代表YX2的是____________(填序號(hào),下同),代表ZX2的是____________。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律,與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱無(wú)關(guān)的是(  )

A.F2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高

B.HF、HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱

C.金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都高于晶體硅

D.NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低

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