(1)寫出由四氯化硅和氨氣制備Si3N4的化學反應方程式:_________________________。
(2)分別寫出粉末狀Si3N4和水及氧氣反應的化學方程式:__________________________。
(3)為什么結構緊密的固體Si3N4不再受水和氧氣的侵蝕?
(1)3SiCl4+4NH3Si3N4+12HCl
(2)Ri3N4+6H2O3SiO2+4NH3↑
Si3N4+3O23SiO2+2N2
(3)Si3N4與MgO在密閉容器中熱處理后,在Si3N4固體表面形成了一層SiO2保護層,阻止了Si3N4受空氣中的氧氣和水的侵蝕。
解析:(1)SiCl4與NH3反應生成Si3N4的同時有HCl生成。反應的化學方程式為3SiCl4+4NH3Si3N4+12HCl。
(2)由于Si—O鍵比Si—N鍵牢固,Si3N4與H2O反應時,Si—N鍵要向Si—O鍵轉化,生成SiO2的同時應該有NH3生成。同樣Si3N4與O2反應時,應生成SiO2和N2;瘜W反應方程式為:Si3N4+6H2O3SiO2+4NH3↑;Si3N4+3O23SiO2+2N2。
(3)Si3N4與MgO在密閉容器中熱處理后使Si3N4固體表面形成一層SiO2保護膜,阻止了Si3N4繼續(xù)受空氣中的氧和水的侵蝕。
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(1)寫出由SiCl4和NH3制備Si3N4的反應方程式。?
(2)分別寫出粉末狀Si3N4和H2O、O2反應的方程式。?
(3)為什么結構緊密的固體Si3N4不再受H2O和O2的侵蝕??????
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科目:高中化學 來源: 題型:
①光導纖維的主要成分是______________;
②目前應用最多的太陽能電池的光電轉化材料是_____________________。
(2)氮化硅Si3N4是一種高溫結構材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應制取。粉末狀Si3N4對空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適?量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和185℃?的密閉容器中熱處理,可以制得結構十分緊密、對空氣和水都相當穩(wěn)定的固體材料,同時還得到對水不穩(wěn)定的Mg3N2。
①經(jīng)過熱處理的Si3N4,其晶體類型為___________________________________;
②寫出由SiCl4和NH3反應制取Si3N4的化學反應方程式:____________________________;
③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過程中,除生成Mg3N2外,還可能生成_______物質。熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是______________。
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科目:高中化學 來源:2010-2011學年甘肅省高三第三次模擬考試(理綜)化學部分 題型:填空題
(14分)氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料,它可由SiO2與過量焦炭在1300-1700oC的氮氣流中反應制得3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g) Si3N4(s)+6CO(g)
(1)上述反應氧化劑是 ,已知該反應每轉移1mole—,放出132.6kJ的熱量,該方程式的∆H = 。
(2)能判斷該反應(在體積不變的密閉容器中進行)已經(jīng)達到平衡狀態(tài)的是 。
A.焦炭的質量不再變化 B.N2和CO速率之比為1:3
C.生成6molCO同時消耗1mol Si3N4 D.混合氣體的密度不再變化
(3)該反應的溫度控制在1300-1700oC的原因是 。
(4)某溫度下,測得該反應中N2和CO各個時刻的濃度如下,則0—20 min內N2的平均
反應速率 ,在平衡混合氣體中CO的體積分數(shù)是 。
時間/min |
0 |
5 |
10 |
15 |
20 |
25 |
30 |
35 |
40 |
45 |
N2濃度 /mol·L-1 |
4.00 |
3.70 |
3.50 |
3.36 |
3.26 |
3.18 |
3.10 |
3.00 |
3.00 |
3.00 |
CO濃度 /mol·L-1 |
0.00 |
0.90 |
1.50 |
1.92 |
2.22 |
2.46 |
2.70 |
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