A.O2、I2、Hg B.CO、KCl、SiO2
C.Na、K、Rb D.SiC、NaCl、SO2
思路點(diǎn)撥:本題考查熔沸點(diǎn)的比較。選項(xiàng)A中從三種物質(zhì)在常溫時(shí)的狀態(tài)可判斷,次序應(yīng)為O2、Hg、I2;B中CO、KCl、SiO2分別為分子晶體、離子晶體、原子晶體,熔點(diǎn)排列次序正確;選項(xiàng)C中金屬晶體的熔點(diǎn)與金屬陽(yáng)離子半徑成正比,與其所帶電荷數(shù)成正比,故熔點(diǎn)依次降低;選項(xiàng)D中SiC為原子晶體,熔點(diǎn)最高。
答案:B
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、O2、I2、Hg | B、CO2、KCl、SiO2 | C、Na、K、Rb | D、NaCl、KCl、RbCl |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、O2、I2、Hg | B、Na、K、Rb | C、CO2、KCl、SiO2 | D、SiC、NaCl、SO2 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
下列各組物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由低到高排列正確的是
A.O2、I2、Hg B.CO2、KCl、SiO2
C.Na、K、Rb D.SiC、NaCl、SO2
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