下列關(guān)于晶體的說法中正確的是( )
A.在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子
B.在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子
C.原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高
D.分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列有關(guān)電化學(xué)知識的敘述正確的是
A.圖1是原電池裝置,銅電極為負(fù)極,能實(shí)現(xiàn)化學(xué)反應(yīng):2Cu+O2+4H+2Cu2++2H2O
B.若去掉圖1中的鹽橋,該裝置的電流表指針也能發(fā)生偏轉(zhuǎn)
C.圖2是電解池裝置,銅電極的反應(yīng)為:2Cl--2e-Cl2↑
D.圖3中如果X為鋅電極,開關(guān)K放到A處或放到B處都能使鐵電極受到保護(hù)
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
某混合氣體由兩種氣態(tài)烴組成。2.24 L該混合氣體完全燃燒后,得到4.48 L二氧化碳(氣體已折算為標(biāo)準(zhǔn)狀況)和3.6 g水。則這兩種氣體可能是( )
A.CH4和C3H8 B.CH4和C3H4
C.C2H6和C3H4 D.C2H4和C2H6
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
有關(guān)晶體的敘述中正確的是( )
A.在SiO2晶體中,由Si、O構(gòu)成的最小單元環(huán)中共有8個原子
B.在28 g晶體硅中,含Si—Si共價鍵個數(shù)為4NA
C.金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅,是因?yàn)镃—C鍵鍵能小于Si—Si鍵
D.鎂型和銅型金屬晶體的配位數(shù)均為12
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
高溫下超氧化鉀晶體呈立方體結(jié)構(gòu),晶體中氧的化合價部分為0價,部分為-2價。如右圖所示為超氧化鉀晶體的一個晶胞(晶體中最小的重復(fù)單元),則下列說法中正確的是( )
A.超氧化鉀的化學(xué)式為KO2,每個晶胞含有4個K+和4個O
B.晶體中每個K+周圍有8個O,每個O周圍有8個K+
C.晶體中與每個K+距離最近的K+有8個
D.晶體中,0價氧與-2價氧的數(shù)目比為2:1
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列各組物質(zhì)熔化或汽化時所克服的微粒間的作用力屬同種類型的是( )
A.石英和生石灰的熔化 B.晶體硅和晶體硫的熔化
C.鈉和鐵的熔化 D.碘和氯化銨的汽化
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
根據(jù)下列幾種物質(zhì)熔點(diǎn)和沸點(diǎn)的數(shù)據(jù),判斷下列說法中錯誤的是( )
NaCl | MgCl2 | AlCl3 | SiCl4 | 單質(zhì)B | |
熔點(diǎn)/℃ | 810 | 710 | 190 | -68 | 2 300 |
沸點(diǎn)/℃ | 1 465 | 1 418 | 182.7 | 57 | 2 500 |
注:AlCl3熔點(diǎn)在2.5×105Pa條件下測定。
A.SiCl4是分子晶體
B.單質(zhì)B是原子晶體
C.AlCl3加熱能升華
D.MgCl2所含離子鍵的強(qiáng)度比NaCl大
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
向下列溶液中滴加稀硫酸,生成白色沉淀,繼續(xù)滴加稀硫酸,沉淀又溶解的是( )
A.Na2SiO3 B.BaCl2
C.FeCl3 D.Na
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
某學(xué)習(xí)小組用如圖裝置測定鋁鎂合金中鋁的質(zhì)量分?jǐn)?shù)和鋁的相對原子質(zhì)量.
(1)A中試劑為 .
(2)實(shí)驗(yàn)前,先將鋁鎂合金在稀硝酸中浸泡片刻,其目的是 .
(3)檢查氣密性,將藥品和水裝入各儀器中,連接好裝置后,需進(jìn)行的操作還有:①記錄C的液面位置;②將B中剩余固體過濾、洗滌、干燥,稱重;③待B中不再有氣體產(chǎn)生并恢復(fù)至室溫后,記錄C的液面位置;④由A向B中滴加足量試劑;⑤檢查氣密性.上述操作的順序是 (填序號);記錄C的液面位置時,除視線平視外,還應(yīng) .
(4)B中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 .
(5)若實(shí)驗(yàn)用鋁鎂合金的質(zhì)量為a g,測得氫氣體積為b mL (已換算為標(biāo)準(zhǔn)狀況),B中剩余固體質(zhì)量為c g,則鋁的相對原子質(zhì)量為 .
(6)實(shí)驗(yàn)過程中,若未洗滌過濾所得的不溶物,則測得鋁的質(zhì)量分?jǐn)?shù)將 (填“偏大”、“偏小”、“不受影響”).
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