Question

【題目】回答下列相關問題：

（1）用“>”或“<”填寫下表：

電負性	第一電離能	半徑	金屬性	雜化軌道數(shù)
Al___Mg	S___P	Na+___O2-	Pb___Sn	SO2____SO32-

（2）某半導體材料由X、Y兩種元素組成，已知X的基態(tài)原子4p軌道上只有1個電子，Y的基態(tài)原子L層上有3個未成對電子，X位于周期表第_____周期____族；該半導體材料的化學式為_____。

（3）在短周期元素中基態(tài)原子的p軌道有1個未成對電子的元素可能是____（填元素符號），其中核電荷數(shù)最大的元素核外電子排布式是________。

（4）雷式鹽（Reinecke’s salt）結(jié)構(gòu)式如下圖所示：

配離子中Cr3+的配體為____(填化學式)，Cr3+與配體間形成的共價鍵又稱為____.

Answer 1

【答案】 > < < > < 四 ⅢA GaN B、F、Al、Cl 1s22s22p63s23p5 NH3和NCS- 配位鍵

【解析】(1)同一周期，從左到右，元素的電負性逐漸增大，電負性Al＞Mg；第一電離能對于同周期主族元素，第VA族大于VIA族，則第一電離能S＜P；O2-、Na+離子電子層結(jié)構(gòu)相同，核電荷數(shù)越大，離子半徑越小，故離子半徑：Na+＜O2-；同一主族，從上到下，元素的金屬性逐漸增強，金屬性Pb＞Sn；SO2中S原子的雜化軌道數(shù)=2+ (6-2×2)=3，SO32-中S原子的雜化軌道數(shù)=3+ (6+2-2×3)=4，雜化軌道數(shù)SO2＜SO32-，故答案為：>；<；<；>；<；

(2)某半導體材料由X、Y兩種元素組成，已知X的基態(tài)原子4p軌道上只有1個電子，可判斷X的核外電子排布式為：[Ar]3d104s24p1，X為Ga，Y的基態(tài)原子L層上有3個未成對電子，則Y的核外電子排布式為：1s22s22p3，Y為N。X為Ga，位于周期表中第四周期，第IIIA族，該半導體材料的化學式為GaN，故答案為：四；IIIA；GaN；

(3)在短周期元素中基態(tài)原子的p軌道有1個未成對電子的元素可能是p能級的電子排布可能為2p1、2p5、3p1、3p5，對應的元素為B、F、Al、Cl，其中核電荷數(shù)最大的元素核外電子排布式是1s22s22p63s23p5，故答案為：B、F、Al、Cl；1s22s22p63s23p5；

(4)配離子的中心離子為Cr3+，內(nèi)界中與之成鍵的就是配體，根據(jù)結(jié)構(gòu)式，配體有NH3和NCS-，形成的鍵為配位鍵，故答案為：NH3和NCS-；配位鍵。