關(guān)于晶體的下列說法正確的是
A．分子晶體的熔點不一定比金屬晶缽熔點低
B．離子晶體中一定含金屬陽離子
C．在共價化合物分子中各原子都形成8電子結(jié)構(gòu)
D．只要含有金屬陽離子的晶體就一定是離子晶體
A

A正確，有的金屬熔點很低，如汞常溫下呈液態(tài)，有的很高，如鎢。
B．離子晶體中一定含金屬陽離子，不正確，如NH4Cl;
C．在共價化合物分子中各原子都形成8電子結(jié)構(gòu), 不正確，HCl中H是2個電子結(jié)構(gòu)
D．只要含有金屬陽離子的晶體就一定是離子晶體，不正確，金屬晶體中也有金屬陽離子。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（8分）現(xiàn)有①CaF2 ②金剛石 ③冰④干冰 ⑤Na2SO4 ⑥碘片 ⑦二氧化硅七種物質(zhì)，按下列要求回答（填序號）：
（1）晶體中既含離子鍵又含共價鍵的是_           ；（2）晶體熔化時需要破壞共價鍵的是____       _；（3）熔點最低的是___  __；（4）晶體中只存在一種微粒間作用力是____________；

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)的晶胞（小球代表相應(yīng)的原子、分子或不同離子）不符合右圖的是（   ）
A．CsCl　　　　B．干冰　　　C．He　　　　D．I2

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

D、E、X、Y、Z是周期表中的前20號元素，且原子序數(shù)逐漸增大，他們的最簡單氫化物分子的空間結(jié)構(gòu)依次是正四面體、三角錐形、正四面體、V形、直線型。請回答下列問題：
（1）、寫出工業(yè)制E的氫化物的化學(xué)方程式                            
（2）、Z在元素周期表中位于      族，Z的單質(zhì)與強堿溶液反應(yīng)的離子方程式
                                          
（3）、試比較D和X的最高價氧化物熔點的高低并說明理由                
                                                                   
（4）、寫出Y的氧化物的化學(xué)式                     、                  

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列有關(guān)物質(zhì)的熔點的比較中，不正確的是
A．晶體硅＜金剛石B．K＜NaC．NaCl＜NaBr D．PH3＜NH3

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（8分）有下列八種物質(zhì)：①氯化鈣、②金剛石、③硫、④鈦、⑤氫氧化鈉、⑥鈉、⑦二氧化硅、⑧干冰，回答有關(guān)這八種物質(zhì)的問題。(用編號回答)
（1）將這八種物質(zhì)按不同晶體類型分成四組，并填寫下表：
晶體類型
 
 
 
 
各組中物質(zhì)的編號
 
 
 
 
（2）屬于共價化合物的是                 ，含有共價鍵的離子化合物是          
（3）其中硬度最大的物質(zhì)是        ；熔點最低的物質(zhì)是        。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

Q、R、X、Y為前20號元素中的三種，Y22+、Q的低價氧化物都與X單質(zhì)分子均為等電子體，R與Q同族。
⑴Q的最高價氧化物，其固體屬于            晶體，比較Q、X、Y 第一電離能由大到小的順序              。
⑵ R的氫化物屬于          分子(填“極性”或“非極性”)。
⑶X的常見氫化物的VSEPR模型是           ；
⑷已知Ti3+可形成配位數(shù)為6的配合物�，F(xiàn)有含鈦的兩種顏色的晶體，一種為紫色，另一種為綠色，但相關(guān)實驗證明，兩種晶體的組成皆為TiCl3·6H2O。為測定這兩種晶體的化學(xué)式，設(shè)計了如下實驗：a．分別取等質(zhì)量的兩種配合物晶體的樣品配成待測溶液；b．分別往待測溶液中滴入AgNO3溶液，均產(chǎn)生白色沉淀；c．沉淀完全后分別過濾得兩份沉淀，經(jīng)洗滌干燥后稱量，發(fā)現(xiàn)原綠色晶體的水溶液與AgNO3溶液反應(yīng)得到的白色沉淀質(zhì)量為紫色晶體的水溶液反應(yīng)得到沉淀質(zhì)量的2/3。則綠色晶體配合物的化學(xué)式為       。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價電子的軌道排布式為                          。
（2）下列說法正確的是            （選填序號）。
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是  （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為        。
Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca2+的配位數(shù)為             。
（2）已知Ca2+的半徑為a cm，O2-的半徑為b cm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，
該晶體的密度為         g/cm3。（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

(10分)按下列要求回答：現(xiàn)有①BaCl2；②金剛石；③NH4Cl；④Na2SO4；⑤干冰；⑥碘
(1)熔化時不需要破壞化學(xué)鍵的是__________(填序號，下同)，熔點最低的是__________。
(2)屬于離子化合物的是__________
(3)①的電子式是________________，⑤的電子式是________________。

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