同一個原子的下列電子層中,能量最低的是(    )

A.K層               B.L層               C.M層              D.N層

解析:按K、L、M、N、……的順序,電子離核由近及遠(yuǎn),能量由低到高。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

2010年上海世博會場館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、lnGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
4
4
,與同一個鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
. (用氫化物分子式表示)
(4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(5)比較二者的第一電離能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(6)下列說法正確的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga       D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(1)下列是部分金屬元素的電離能
X Y Z
第一電離能(kJ/mol) 520.2 495.8 418.8
①已知X、Y、Z的價層電子構(gòu)型為ns1,則三種金屬的氯化物(RCl)的熔點由高到低的順序為
ZCl<YCl<XCl
ZCl<YCl<XCl

②RCl用作有機合成催化劑,并用于顏料、防腐等工業(yè).R+中所有電子正好充滿K、L、M三個電子層,它與Cl-形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示.R的元素符號是
Cu
Cu
,與同一個Cl-相連的R+
4
4
個.
(2)納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會生活和高科技領(lǐng)域.A和B的單質(zhì)單位質(zhì)量的燃燒熱大,可用作燃料.已知A和B為短周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表所示:
電離能(kJ/mol) I1 I2 I3 I4
A 932 1821 15390 21771
B 738 1451 7733 10540
①某同學(xué)根據(jù)上述信息,推斷B的核外電子排布如圖2所示,所畫的電子排布圖違背了
能量最低原理
能量最低原理

②A和氯元素形成的簡單分子為
非極性分子
非極性分子
(填“極性分子”或“非極性分子”).
(3)氫氣作為一種清潔能源,必須解決它的儲存問題,C60可用作儲氫材料.
已知金剛石中的C-C的鍵長為154.45pm,C60中C-C鍵長為145~140pm,有同學(xué)據(jù)此認(rèn)為C60的熔點高于金剛石,你認(rèn)為是否正確
(填“是”或“否”),并闡述理由
因為金剛石是原子晶體,而C60是分子晶體
因為金剛石是原子晶體,而C60是分子晶體

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列是部分金屬元素的電離能
X Y Z
第一電離能(kJ/mol) 520.2 495.8 418.8
(1)已知X、Y、Z的價層電子構(gòu)型為ns1,則三種金屬的氯化物(RCl)的熔點由低到高的順序為
ZCl<YCl<XCl
ZCl<YCl<XCl

(2)CuCl用作有機合成催化劑,并用于顏料,防腐等工業(yè).CuCl的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示.元素Cu基態(tài)原子的電子排布式
[Ar]3d104s1
[Ar]3d104s1
,與同一個Cl-相連的 Cu+
4
4
個.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

如表是元素周期表的一部分.表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素.
精英家教網(wǎng)
試回答下列問題:
精英家教網(wǎng)
(1)請寫出元素O的基態(tài)原子電子排布式
 

(2)c元素的一種同素異形體與熔融的n單質(zhì)形成石墨間隙化合物,比較常見的石墨間隙化合物是青銅色的化合物,其化學(xué)式可寫作CxK,其平面圖形見圖1,則x值為
 

(3)第三周期8種元素按單質(zhì)熔點高低的順序如圖2,其中序號“8”代表
 
(填元素符號);其中電負(fù)性最大的是
 
(填右圖中的序號).
(4)由i原子跟d原子以1:1相互交替結(jié)合而形成的晶體,晶型與晶體j相同.則i與d形成的晶體中一個晶胞中含有4個i原子;與同一個i原子相連的d原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
 
,d原子的雜化類型為
 

(5)i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖3甲所示,其晶胞特征如圖3乙所示,原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖3丙所示.若已知i的原子半徑為dcm,NA代表阿伏加德羅常數(shù),i的相對原子質(zhì)量為M,則該晶體的密度為
 
_g/cm3  (用字母表示).

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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年四川省南充高中高二第一次月考化學(xué)試卷 題型:填空題

(20分)(1)在同一個原子中,離核越近、n越小的能層中的電子能量越      。理論研究證明,多電子原子中,同一能層的電子,能量也可能不同,還可以把它們分成能級,第三能層有3個能級,分別為3s、3p和     ,F(xiàn)代物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論證實,原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個原子的能量處于最低狀態(tài),處于最低能量的原子叫做      原子。
(2)寫出下列基態(tài)原子的簡化電子排布式:
14Si                 ;②26Fe                          。 
(3)按所示格式填寫下表中的空格:

原子序數(shù)
原子的價電子排布式
周期

17
 
第三
 
 
3d54s1
 
ⅥB
(4)N≡N的鍵能為942kJ·mol1,N—N單鍵的鍵能為247kJ·mol1,計算說明N2中的
      鍵更穩(wěn)定(填“σ”或“π”)。
(5)在配離子[Fe(SCN)]2+中,提供空軌道接受孤電子對的微粒是     ,配離子 [Cu(NH3)4]2+的配體是              
(6)根據(jù)價層電子對互斥理論判斷:
①NH3分子中,中心原子上的σ鍵電子對數(shù)為       ,孤電子對數(shù)為      ,價層電子對數(shù)為       ,中心原子的雜化方式為    雜化,VSEPR構(gòu)型為           ,分子的立體構(gòu)型為           。
②BF3分子中,中心原子的雜化方式為       雜化,分子的立體構(gòu)型為           。

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