A. | 羥基的電子式 | B. | 二氧化硅的結(jié)構(gòu)式 O=Si=O | ||
C. | NH3的球棍模型 | D. | X=11,圖表示鈉原子的結(jié)構(gòu)示意圖 |
分析 A.羥基由一個(gè)氧原子和一個(gè)氫原子構(gòu)成,氧原子最外層6個(gè)電子,氫原子最外層一個(gè)電子,二者形成一個(gè)共用電子對(duì);
B.二氧化硅為原子晶體,晶體中不存在硅氧雙鍵;
C.氨氣為三角錐的空間構(gòu)型,選項(xiàng)中為比例模型;
D.鈉原子核內(nèi)有11個(gè)質(zhì)子,核外有3個(gè)電子層,最外層上有1個(gè)電子.
解答 解;A.羥基由一個(gè)氧原子和一個(gè)氫原子構(gòu)成,氧原子最外層6個(gè)電子,氫原子最外層一個(gè)電子,二者形成一個(gè)共用電子對(duì),所以羥基的電子式是,故A正確;
B.由于二氧化硅為原子晶體,1個(gè)硅原子形成4個(gè)硅氧鍵,1個(gè)氧原子形成2個(gè)硅氧鍵,所以二氧化硅中不存在硅氧雙鍵,故B錯(cuò)誤;
C.氨氣為三角錐的空間構(gòu)型,故氨氣的球棍模型為,故C錯(cuò)誤;
D.鈉原子核內(nèi)有11個(gè)質(zhì)子,核外有3個(gè)電子層,第一層上有2個(gè)電子、第二層上有8個(gè)電子,最外層上有1個(gè)電子,其原子結(jié)構(gòu)示意圖為:,故D錯(cuò)誤;
故選A.
點(diǎn)評(píng) 本題考查常用化學(xué)用語(yǔ),涉及電子式、結(jié)構(gòu)示意圖、結(jié)構(gòu)式、球棍模型等,題目難度不大,注意羥基為中性原子團(tuán).
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | CH2=CH2+HCl $\stackrel{催化劑}{→}$CH3CH2Cl 加聚反應(yīng) | |
B. | CH3COOCH2CH3+NaOH→CH3COONa+CH3CH2OH 取代反應(yīng) | |
C. | +Br2$\stackrel{FeBr_{3}}{→}$+HBr 加成反應(yīng) | |
D. | +HNO3$→_{50~60℃}^{濃H_{2}SO_{4}}$+H2O 取代反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
t/min | 0.00 | 1.00 | 2.00 | 3.00 | 4.00 | 5.00 |
c(N2O5)/(mo•L-1) | 1.00 | 0.71 | 0.50 | 0.35 | 0.25 | 0.17 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | CO2 和 H2O | B. | CO 和 CH3OH | C. | CH3OH 和 H2 | D. | H2 和 CO2 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電流表指針不會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn) | B. | 除去鋅鍍層的鐵片為負(fù)極 | ||
C. | 負(fù)極的電極反應(yīng)式:Fe-2e→Fe2+ | D. | 鋅鍍層反應(yīng)完畢后電流計(jì)指針歸零 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 當(dāng)n=2時(shí),物質(zhì)A、B的轉(zhuǎn)化率之比為1:2 | |
B. | 起始時(shí)刻和達(dá)到平衡后容器中的壓強(qiáng)比為(1+n):(l+n-$\frac{a}{2}$) | |
C. | 當(dāng)v (A)正=2v (C)逆時(shí),可斷定反應(yīng)達(dá)到平衡 | |
D. | 容器中混合氣體的密度不再隨時(shí)間改變而改變,反應(yīng)到達(dá)平衡狀態(tài) |
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