Question

17．砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等．回答下列問題：
（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式[Ar]3d¹⁰4s²4p³．
（2）根據元素周期律，原子半徑Ga大于As，第一電離能Ga小于As．（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl₃分子的立體構型為三角錐形，其中As的雜化軌道類型為sp³．
（4）GaF₃的熔點高于1000℃，GaCl₃的熔點為77.9℃，其原因是GaF₃為離子晶體，GaCl₃為分子晶體．
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρg•cm^-3，其晶胞結構如圖所示．該晶體的類型為原子晶體，Ga與As以共價鍵鍵合．

Answer 1

分析 （1）As原子核外有33個電子，根據構造原理書寫As原子核外電子排布式；
（2）同一周期元素，原子半徑隨著原子序數增大而減小，元素第一電離能隨著原子序數增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素；
（3）AsCl₃分子中As原子價層電子對個數=3+$\frac{5-3×1}{2}$=4且含有一個孤電子對，根據價層電子對互斥理論判斷該分子的立體構型及As原子雜化方式；
（4）離子晶體熔沸點較高、分子晶體熔沸點較低；
（5）該物質熔沸點較高，且原子之間以共價鍵結合形成空間網狀結構，原子晶體具有該物質特點．

解答 解：（1）As原子核外有33個電子，根據構造原理書寫As原子核外電子排布式為[Ar]3d¹⁰4s²4p³，故答案為：[Ar]3d¹⁰4s²4p³；
（2）同一周期元素，原子半徑隨著原子序數增大而減小，元素第一電離能隨著原子序數增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，Ga位于第IIIA族、As位于第VA族，且二者位于同一周期，所以原子半徑Ga＞As，第一電離能Ga＜As，
故答案為：大于；小于；
（3）AsCl₃分子中As原子價層電子對個數=3+$\frac{5-3×1}{2}$=4且含有一個孤電子對，根據價層電子對互斥理論判斷該分子的立體構型為三角錐形，As原子雜化方式為sp³，
故答案為：三角錐形；sp³；
（4）離子晶體熔沸點較高、分子晶體熔沸點較低，GaF₃為離子晶體，GaCl₃為分子晶體，所以前者沸點高于后者，故答案為：GaF₃為離子晶體，GaCl₃為分子晶體；
（5）該物質熔沸點較高，且原子之間以共價鍵結合形成空間網狀結構，原子晶體具有該物質特點，所以該物質是原子晶體，Ga和As以共價鍵結合，
故答案為：原子晶體；共價．

點評 本題考查物質結構和性質，為高頻考點，涉及原子雜化方式判斷、微�？臻g構型判斷、晶體類型判斷、元素周期律等知識點，綜合性較強，側重考查學生判斷及知識綜合應用能力，易錯點是孤電子對公式的計算方法，題目難度不大．