Question

（2008?廣東）鎂、銅等金屬離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子．工業(yè)上從海水中提取鎂時(shí)，先制備無(wú)水氯化鎂，然后將其熔融電解，得到金屬鎂．
（1）以MgCl₂為原料用熔融鹽電解法制備鎂時(shí)，常加入NaCl、KCl或CaCl₂等金屬氯化物，其主要作用除了降低熔點(diǎn)之外還有

增大離子濃度，從而增大熔融鹽的導(dǎo)電性

．
（2）已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型．某同學(xué)畫出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示，請(qǐng)改正圖中錯(cuò)誤：

⑧應(yīng)為黑色

．
（3）用鎂粉、堿金屬鹽及堿土金屬鹽等可以做成焰火．燃放時(shí)，焰火發(fā)出五顏六色的光，請(qǐng)用原子結(jié)構(gòu)的知識(shí)解釋發(fā)光的原因：

電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，將釋放能量

．
（4）Mg是第三周期元素，該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見下表：

氧化物	NaF	MgF2	SiF4
熔點(diǎn)/K	1266	1534	183

解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因：

離子晶體氟化物的熔點(diǎn)較高，分子晶體氟化物的熔點(diǎn)較低，離子晶體的熔點(diǎn)與離子半徑成反比、與離子所帶電荷成正比

．
（5）人工模擬是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)．有研究表明，化合物X可用于研究模擬酶，當(dāng)其結(jié)合或Cu（I）（I表示化合價(jià)為+1）時(shí)，分別形成a和b：

①a中連接相鄰含N雜環(huán)的碳碳鍵可以旋轉(zhuǎn)，說(shuō)明該碳碳鍵具有

σ

鍵的特性．
②微粒間的相互作用包括化學(xué)鍵和分子間相互作用，比較a和b中微粒間相互作用力的差異

a中存在氫鍵、b中存在配位鍵

．

Answer 1

分析：（1）熔融物的導(dǎo)電性與離子濃度有關(guān)；
（2）根據(jù)氯化鈉的晶胞結(jié)構(gòu)知，氧化鎂中鎂原子和鎂原子處于小正方形的對(duì)角線上；
（3）電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，將釋放能量；
（4）氟化物的熔點(diǎn)與晶體類型，離子晶體的熔點(diǎn)較高，分子晶體的熔點(diǎn)較低；
（5）①σ鍵能旋轉(zhuǎn)，π鍵不能旋轉(zhuǎn)；
②a中含有氫鍵，b中含有配位鍵．

解答：解：（1）離子濃度越大其熔融鹽的導(dǎo)電性越強(qiáng)，所以以MgCl₂為原料用熔融鹽電解法制備Mg時(shí)，常加入NaCl、KCl、或CaCl₂等金屬氯化物，其主要作用除了降低熔點(diǎn)之外還有：增大離子濃度，從而增大熔融鹽的導(dǎo)電性，
故答案為：增大離子濃度，從而增大熔融鹽的導(dǎo)電性；
（2）根據(jù)氯化鈉的晶胞結(jié)構(gòu)知，氧化鎂中鎂原子和鎂原子處于小正方形的對(duì)角線上，根據(jù)圖象知，⑧應(yīng)該為黑色，
故答案為：⑧應(yīng)為黑色；
（3）電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，將釋放能量，所以焰火與原子核外電子發(fā)生躍遷釋放能量有關(guān)，
故答案為：電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，將釋放能量；
（4）離子晶體的熔點(diǎn)較高，分子晶體的熔點(diǎn)較低，NaF與MgF₂為離子晶體，SiF₄為分子晶體，所以NaF與MgF₂遠(yuǎn)比SiF₄熔點(diǎn)要高，又因?yàn)镸g²⁺的半徑小于Na⁺的半徑，所以MgF₂的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度，故MaF₂的熔點(diǎn)大于NaF，
故答案為：離子晶體氟化物的熔點(diǎn)較高，分子晶體氟化物的熔點(diǎn)較低，離子晶體的熔點(diǎn)與離子半徑成反比、與離子所帶電荷成正比；
（5）①σ鍵能旋轉(zhuǎn)，π鍵不能旋轉(zhuǎn)，a中連接相鄰含N雜環(huán)的碳碳鍵可以旋轉(zhuǎn)，說(shuō)明該碳碳鍵具有σ鍵的特性，故答案為：σ鍵；
②根據(jù)圖片知，a中微粒間的相互作用還有氫鍵，b中微粒間的相互作用還有配位共價(jià)鍵，
故答案為：氫鍵；配位鍵．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的有關(guān)知識(shí)，涉及物質(zhì)熔點(diǎn)高低的影響因素、晶胞結(jié)構(gòu)、電子的躍遷等知識(shí)點(diǎn)，
同時(shí)考查學(xué)生的空間想象能力、分析問(wèn)題及解決問(wèn)題能力，難度中等．