有A、B、C、D、E、F六種元素,已知:它們位于三個不同的短周期,核電荷數(shù)依次增大;A與E、B與F分別同主族;A、E分別都能與D按原子個數(shù)1∶1或2∶1形成化合物;B、C分別能與D按原子個數(shù)1∶1或1∶2形成化合物。
(1)寫出只含有A、B、D、E四種元素的兩種無水鹽的化學(xué)
式 、 。
(2)右圖是A與D形成的一種化合物的晶體結(jié)構(gòu)示意圖,其中的虛線表示 。E與D按原子個數(shù)比1∶1形成的化合物的電子式為 。
(3)人們通常把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。下表列出了上述部分元素形成的化學(xué)鍵的鍵能:
化學(xué)鍵 | F—D | F—F | B—B | F—B | B==D | D==D |
鍵能/ kJ·mol−1 | 460 | 176 | 347.7 | 347 | 745 | 497.3 |
① 下列三種物質(zhì)形成的晶體,熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?u> (用a、b、c表示)。
a.F與B形成的化合物 b.B與D形成的穩(wěn)定化合物
c.F的單質(zhì)
② 試寫出F單質(zhì)晶體的燃燒的熱化學(xué)方程式: 。
(1)NaHCO3、CH3COONa(或其他有機(jī)酸鈉鹽) (2)氫鍵;過氧化鈉的電子式
(3)① a>c>b ② Si(s) + O2(g) == SiO2(s);△H= −990.7kJ·mol−1
突破點(diǎn)——“A、E分別都能與D按原子個數(shù)1∶1或2∶1形成化合物”,則D為氧元素,結(jié)合“A、B、C、D、E、F核電荷數(shù)依次增大”可知A為氫元素,E為鈉元素。又“B、C分別能與D按原子個數(shù)1∶1或1∶2形成化合物”,推知B為碳元素,C為氮元素。“B與F同主族”,則F為硅元素。
(3)a.SiC為原子晶體,b.CO2為分子晶體,c.晶體硅為原子晶體。熔點(diǎn):原子晶體>分子晶體;同為原子晶體時,鍵能越大,熔點(diǎn)越高。所以熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)閍>c>b。
(4)晶體硅中每mol Si有2mol Si—Si鍵,每mol SiO2晶體中含有4mol Si—O鍵,代入數(shù)據(jù)計算可得晶體硅的燃燒熱為990.7kJ·mol−1。
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