Question

根據(jù)物質(zhì)的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)，推斷錯(cuò)誤的是（　�。�

晶體	NaCl	MgO	AlCl3	SiCl4	B（硼）
熔點(diǎn)℃	801	2852	180	-70	2300
沸點(diǎn)℃	1465	---	177	57	2500

• A、晶體的沸點(diǎn)CCl₄＜SiCl₄
• B、在火山噴出的巖漿，晶出順序?yàn)镸gO先于NaCl
• C、用AlCl₃通過電解法冶煉鋁
• D、硼的硬度大，不溶于水，但能與NaOH溶液反應(yīng)

Answer 1

考點(diǎn)：不同晶體的結(jié)構(gòu)微粒及微粒間作用力的區(qū)別

專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：A．CCl₄、SiCl₄都為分子晶體，相對分子質(zhì)量大小決定沸點(diǎn)高低；
B．在冷卻時(shí)，熔點(diǎn)越高越先析出；
C．AlCl₃易升華，應(yīng)為分子晶體；
D．B熔沸點(diǎn)高，應(yīng)為原子晶體．

解答： 解：A．CCl₄、SiCl₄都為分子晶體，SiCl₄相對分子質(zhì)量較大，沸點(diǎn)較高，故A正確；
B．由表中數(shù)據(jù)可知，MgO熔點(diǎn)較高，在冷卻時(shí)，熔點(diǎn)越高越先析出，故B正確；
C．AlCl₃易升華，應(yīng)為分子晶體，為共價(jià)化合物，熔融狀態(tài)下不導(dǎo)電，工業(yè)用電解熔融的氧化鋁冶煉鋁，故C錯(cuò)誤；
D．B熔沸點(diǎn)高，應(yīng)為原子晶體，硬度大，與鋁位于周期表對角線位置，性質(zhì)相似，可與氫氧化鈉反應(yīng)，故D正確．
故選C．

點(diǎn)評：本題考查較為綜合，涉及晶體的比較等知識，為高頻考點(diǎn)，側(cè)重于學(xué)生的分析能力的考查，注意把握相關(guān)基礎(chǔ)知識的積累，難度不大．