硅及其化合物廣泛應(yīng)用于太陽能的利用、光導(dǎo)纖維及硅橡膠的制備等。

純凈的硅是從自然界中的石英礦石(主要成分為SiO2)中提取的。高溫下制取純硅有如下反應(yīng)(方法1):

①SiO2(s)+2C(s)Si(s)+2CO(g)

②Si(s)+2Cl2(g)SiCl4(g)  

③SiCl4(g)+2H2(g) →Si(s)+4HCl(g)

完成下列填空:

(1)硅原子核外有         種不同能級(jí)的電子,最外層的p電子有       種自旋方向。

(2)硅與碳同主族,單質(zhì)的還原性:碳       硅(填寫“同于”、“強(qiáng)于”或“弱于”)。反應(yīng)①之所以能進(jìn)行的原因是                                                。

(3)反應(yīng)②生成的化合物的電子式為              ;該分子為          分子(填寫“極性”或“非極性”)。

(4)某溫度下,反應(yīng)②在容積為V升的密閉容器中進(jìn)行,達(dá)到平衡時(shí)Cl2的濃度為a mol/L。然后迅速縮小容器容積到0.5V升,t秒后重新達(dá)到平衡,Cl2的濃度為b mol/L。則:a      b(填寫“大于”、“等于”或“小于”)。

(5)在t秒內(nèi),反應(yīng)②中v(SiCl4)=                     (用含a、b的代數(shù)式表示)。

(6)工業(yè)上還可以通過如下反應(yīng)制取純硅(方法2):

④Si(粗) +3HCl(g) SiHCl3(l)+H2(g) + Q(Q>0)

⑤SiHCl3(g)+H2(g)Si(純)+3HCl(g)

提高反應(yīng)⑤中Si(純)的產(chǎn)率,可采取的措施有:                          (選填2條)。

 

【答案】

(1)5(1分) ,1(1分)

(2)弱于(1分)    因?yàn)樯晌顲O為氣態(tài),降低CO的濃度,可使平衡正向移動(dòng)。(1分)

(3) (2分)  非極性(1分)

(4)小于(1分)

(5)(2a-b)/2t  mol/(L·s) (2分,代數(shù)式1分,單位1分)

(6)降低壓強(qiáng);升高溫度;及時(shí)分離出HCl等(2分)(每條1分,合理給分,共2分。)

【解析】

試題分析:(1)硅原子核外電子排布式為1S22S22P63S23P2,共有5種不同能級(jí)的電子,最外層的p電子有自旋方向要相同所以只有1種自旋方向。

(2)硅與碳同主族,單質(zhì)的還原性與元素的非金屬性變化一致,故碳強(qiáng)于硅。反應(yīng)①之所以能進(jìn)行的原因是因?yàn)樯晌顲O為氣態(tài),降低CO的濃度,可使平衡正向移動(dòng)。

(3)反應(yīng)②生成的化合物是四氯化硅其電子式要保證每個(gè)原子達(dá)到8電子結(jié)構(gòu);該分子為是正四面體結(jié)構(gòu)正負(fù)電核重心重全,故為非極性分子。

(4)反應(yīng)②  Si(s)+2Cl2(g)SiCl4(g)  在容積為V升的密閉容器中進(jìn)行,達(dá)到平衡時(shí)Cl2的濃度為a mol/L。然后迅速縮小容器容積到0.5V升,相當(dāng)于加壓,若平衡不移動(dòng),此時(shí)Cl2的濃度為2a mol/L,實(shí)際平衡右移了,t秒后重新達(dá)到平衡,Cl2的濃度必小于2a mol/L,但肯定大于a mol/L,b mol/L。故則:a 小于b。

(5)根據(jù)速率的定義可求得在t秒內(nèi),反應(yīng)②中v(SiCl4) =(2a-b)/2t  mol/(L·s) 。

(6)⑤ SiHCl3(g)+H2(g)Si(純)+3HCl(g)要提高反應(yīng)⑤中Si(純)的產(chǎn)率,需要滿足盡可能使平衡右移,可采取的措施有:降低壓強(qiáng);升高溫度;及時(shí)分離出HCl等。

考點(diǎn):本題考查了原子結(jié)構(gòu),核外電子的排布,化學(xué)反應(yīng)速率的計(jì)算及化學(xué)平衡的移動(dòng)相關(guān)知識(shí)。

 

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硅及其化合物在材料領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛.下列說法正確的是(  )

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硅及其化合物廣泛應(yīng)用于太陽能的利用、光導(dǎo)纖維及硅橡膠的制備等.純凈的硅是從自然界中的石英礦石(主要成分為SiO2)中提取的.高溫下制取純硅有如下反應(yīng)(方法1):
①SiO2(s)+2C(s)?Si(s)+2CO(g);
②Si(s)+2Cl2(g)?SiCl4(g);
③SiCl4(g)+2H2(g)→Si(s)+4HCl(g).
(1)硅原子核外有
 
種不同能級(jí)的電子,最外層的p電子有
 
種自旋方向.
(2)硅與碳同主族,單質(zhì)的還原性:碳
 
硅(填寫“同于”、“強(qiáng)于”或“弱于”),反應(yīng)①之所以能進(jìn)行的原因是
 

(3)反應(yīng)②生成的化合物的電子式為
 
;該分子為
 
分子(填寫“極性”或“非極性”).
(4)某溫度下,反應(yīng)②在容積為V升的密閉容器中進(jìn)行,達(dá)到平衡時(shí)Cl2的濃度為a mol/L.然后迅速縮小容器容積到0.5V升,t秒后重新達(dá)到平衡,Cl2的濃度為b mol/L.則a
 
b(填寫“大于”、“等于”或“小于”).
(5)在t秒內(nèi),反應(yīng)②中v(SiCl4)=
 
(用含a、b的代數(shù)式表示).
(6)工業(yè)上還可以通過如下反應(yīng)制取純硅(方法2):
④Si(粗)+3HCl(g)
553~573K
SiHCl3(l)+H2(g)+Q(Q>0);
⑤SiHCl3(g)+H2(g)
1373K
Si(純)+3HCl(g).
提高反應(yīng)⑤中Si(純)的產(chǎn)率,可采取的措施有:
 
(選填2條).

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