Question

L、M、R、T、W是原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，M、T在周期表中的相對位置如右表；L與R原子的最外層電子數(shù)相同，R的單質(zhì)是一種常見的半導體材料。請回答下列問題：

M
	T

(1)T原子的結(jié)構(gòu)示意圖為________，元素W在周期表中位于第____________族，M單質(zhì)分子的電子式為________。

(2)R是組成玻璃的元素之一，不能用帶磨口玻璃塞的試劑瓶盛放氫氧化鈉溶液的原因是(用化學方程式表示)________________________________________ _______________

________________________________________________________________________。

(3)下列有關(guān)相應元素非金屬性強弱比較的說法，正確的是(填序號)________。

a．M的氣態(tài)氫化物比R的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定，則非金屬性M強于R

b．高溫下，L的單質(zhì)能從R的最高價氧化物中置換出R，則非金屬性L強于R

c．W的核電荷數(shù)比T多，原子半徑比T小，得電子能力強，則非金屬性W強于T

d．同溫、同物質(zhì)的量濃度的Na₂LO₃和Na₂TO₄溶液的pH：Na₂LO₃＞Na₂TO₄，則非金屬性T強于L

(4)工業(yè)上可用二氧化硅、氯氣和焦炭在高溫條件下制備RW₄，該反應中除RW₄外的另一種產(chǎn)物可用于工業(yè)煉鐵。制備RW₄的化學方程式為__________________________

________________________________________________________________________。

Answer 1

解析：R的單質(zhì)是一種常見的半導體材料，R應是硅元素，則L是碳元素，M為氮元素，T為硫元素，W為氯元素。

答案：(1)　ⅦA　N⋮⋮N

(2)SiO₂＋2NaOH===Na₂SiO₃＋H₂O

(3)acd　(4)2Cl₂＋SiO₂＋2CSiCl₄＋2CO