Question

18．（1）晶體硅（熔點(diǎn)1 410℃）是良好的半導(dǎo)體材料．由粗硅制純硅過程如下：
Si（粗）$→_{460℃}^{Cl_{2}}$SiCl₄$\stackrel{蒸餾}{→}$ SiCl₄（氣）$→_{1100°C}^{H_{2}}$Si（純）
寫出SiCl₄的電子式：；在上述由SiCl₄制純硅的反應(yīng)中，測(cè)得每生成1.12kg純硅需吸收a kJ熱量，寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：SiCl₄（g）+2H₂（g）$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{\;}$Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025a kJ•mol^-1
（2）CuCl（s）與O₂反應(yīng)生成CuCl₂（s）和一種黑色固體．在25℃、101kPa下，已知該反應(yīng)每消耗1mol CuCl（s），放熱44.4kJ，該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是4CuCl（s）+O₂（g）=2CuCl₂（s）+2CuO（s）△H=-177.6kJ/mol．

Answer 1

分析 （1）四氯化硅為共價(jià)化合物，氯原子和硅原子都達(dá)到8個(gè)電子，每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，結(jié)合物質(zhì)的量與反應(yīng)放出的熱量成正比計(jì)算；
（2）該反應(yīng)每消耗1mol CuCl（s），放熱44.4kJ，消耗4mol CuCl（s），則放熱44.4kJ×4=177.6kJ，根據(jù)題干描述書寫化學(xué)方程式，注意焓變與物質(zhì)的量的對(duì)應(yīng)關(guān)系、注明各物質(zhì)的狀態(tài)．

解答 解：四氯化硅為共價(jià)化合物，氯原子和硅原子都達(dá)到8個(gè)電子，四氯化硅的電子式為，每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，則生成1mol純硅吸收的熱量為$\frac{28a}{1.12×1{0}^{3}}$KJ=0.025aKJ，所以該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為SiCl₄ （g）+2H₂ （g） $\frac{\underline{\;1100℃\;}}{\;}$Si （s）+4HCl （g）；△H=+0.025a kJ•mol^-1，
故答案為：；SiCl₄ （g）+2H₂ （g） $\frac{\underline{\;1100℃\;}}{\;}$Si （s）+4HCl （g）△H=+0.025a kJ•mol^-1；
（2）該反應(yīng)每消耗1mol CuCl（s），放熱44.4kJ，消耗4mol CuCl（s），則放熱44.4kJ×4=177.6kJ，根據(jù)熱化學(xué)方程式的書寫方法，可以寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為4CuCl（s）+O₂（g）=2CuCl₂（s）+2CuO（s）△H=-177.6kJ/mol，
故答案為：4CuCl（s）+O₂（g）=2CuCl₂（s）+2CuO（s）△H=-177.6kJ/mol．

點(diǎn)評(píng) 本題考查了熱化學(xué)方程式的書寫，應(yīng)注意在書寫熱化學(xué)方程式時(shí)，焓變與物質(zhì)的量的對(duì)應(yīng)關(guān)系、并注明各物質(zhì)的狀態(tài)，題目較簡(jiǎn)單．