下列說(shuō)法正確的是（   ）
A．熔點(diǎn)：金剛石>晶體硅>干冰>氯化鈉晶體
B．由于HCl的分子間作用力大于HI，故HCl比HI穩(wěn)定
C．等質(zhì)量的金剛石和石墨晶體所含碳碳鍵的數(shù)目相等
D．已知AB離子晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，則每個(gè)A+周圍距離最近且等距的B-有8個(gè)

D
A 錯(cuò)誤，干冰是分子晶體，熔點(diǎn)比離子晶體的低。所以，熔點(diǎn)：金剛石>晶體硅>氯化鈉晶體>干冰
B 錯(cuò)誤，分子間作用力是決定分子晶體熔沸點(diǎn)的高低，并不能決定穩(wěn)定性。
C 錯(cuò)誤，金剛石是空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，石墨是片層結(jié)構(gòu)，成鍵方式不同，所含碳碳鍵的數(shù)目不相等
D 正確，根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)可知，通過(guò)頂點(diǎn)能畫8個(gè)小正方體，所以，每個(gè)A+周圍距離最近且等距的B-有8個(gè)。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列各組物質(zhì)，均屬于分子晶體的是
A．碘、二硫化碳、C60B．二硫化碳、白磷、二氧化硅
C．SO2、金剛石、銅D．醋酸、甲烷、石墨

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X的一種1:1型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素，Z的單質(zhì)和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28，且次外層有2個(gè)未成對(duì)電子。工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M（M可看做一種含氧酸鹽）。M有顯著的“壓電性能”，應(yīng)用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析，M晶體的最小重復(fù)單位為正方體（如右圖），邊長(zhǎng)為4.03×10－10 m，頂點(diǎn)位置為Z4＋所占，體心位置為Ba2＋所占，所有棱心位置為O2－所占。

⑴Y在周期表中位于______________；Z4＋的核外電子排布式為_(kāi)_____________；
⑵X的該種氫化物分子構(gòu)型為_(kāi)__________，X在該氫化物中以_____________方式雜化。X和Y
形成的化合物的熔點(diǎn)應(yīng)該_____________（填“高于”或“低于”）X氫化物的熔點(diǎn)。
⑶①制備M的化學(xué)反應(yīng)方程式是________________________________________；
②在M晶體中，若將Z4＋置于立方體的體心，Ba2＋置于立方體的頂點(diǎn)，則O2－處于立方體的______；
③在M晶體中，Z4＋的氧配位數(shù)為_(kāi)_______；
④已知O2－半徑為1.40×10－10 m，則Z4＋半徑為_(kāi)__________m。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

[選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）
A、B、C、D、E、F為六種短周期元素，它們核電荷數(shù)依次遞增。已知：B原子核外最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的兩倍，電子總數(shù)是E原子總數(shù)的1/2，F(xiàn)是同周期元素中原子半徑最小的元素；D2-與E2+的電子層結(jié)構(gòu)相同。B與D可以形成三原子化合物甲。A是非金屬元素，且A、C、F可形成離子化合物乙。請(qǐng)回答：
（1）C單質(zhì)的電子式      ，F(xiàn)元素原子的電子排布式     ，E元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖是        。
（2）化合物乙中含有的化學(xué)鍵是      。
（3）化合物甲為固體時(shí)屬于     晶體，E單質(zhì)在一定條件下與甲反應(yīng)的化學(xué)方程式為   。
（4）如圖立方體中心的“·”表示B單質(zhì)所形成的原子晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“·”表示出與之緊鄰的B原子

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（12分）高溫超導(dǎo)材料是科學(xué)家研究的重點(diǎn)物質(zhì)之一。
⑴科學(xué)家把C60和K摻雜在一起制造了一種富勒烯化合物，其晶胞如下左圖所示。該富勒烯化合物中的K原子和C60分子的個(gè)數(shù)比為  ▲ 。
         
⑵某同學(xué)畫出的C的核外電子排布（軌道表示式）如上右圖所示，該電子排布圖（軌道表示式）違背了  ▲ ，請(qǐng)你畫出正確的電子排布圖（軌道表示式）  ▲ 。
⑶金屬鉀采用的是下列  ▲ （填字母代號(hào)）堆積方式。

⑷富勒烯（C60）的結(jié)構(gòu)如圖。

①1 mol C60分子中σ鍵的數(shù)目為   ▲  。
②已知：金剛石中的C－C的鍵長(zhǎng)為154.45 pm，C60中C－C鍵長(zhǎng)為145~140 pm。有同學(xué)據(jù)此推斷C60的熔點(diǎn)高于金剛石，你認(rèn)為是否正確并闡述理由：  ▲ 。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（5分）如圖所示為高溫超導(dǎo)領(lǐng)域里的一種化合物——鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是具有代表性的最小重復(fù)單位。

（1）在該物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)中，每個(gè)鈦離子周圍與它最接近且距離相等的鈦離子、鈣離子各有      、         個(gè)。
（2）該晶體結(jié)構(gòu)中，元素氧、鈦、鈣的離子個(gè)數(shù)比是        。該物質(zhì)的化學(xué)式可表示為           。
（3）若鈣、鈦、氧三元素的相對(duì)質(zhì)量分別為a，b，c，晶體結(jié)構(gòu)圖中正方體邊長(zhǎng)（鈦原子之間的距離）為dnm（1nm=10-9m），則該晶體的密度為            g/cm3。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列敘述正確的是
A．離子晶體中只存在離子鍵
B．原子晶體中只存在非極性共價(jià)鍵
C．冰是水分子間主要通過(guò)氫鍵作用有規(guī)則排列成的分子晶體
D．液態(tài)氯化鈉和銅導(dǎo)線的導(dǎo)電原理是相同的

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

硅酸鹽與二氧化硅一樣，都是以硅氧四面體作為基本結(jié)構(gòu)單元。硅氧四面體可以用投影圖表示成，其中O表示氧原子，中心黑點(diǎn)表示硅原子。硅氧四面體通過(guò)不同方式的連接可以組成各種不同的多聚硅酸根離子。下圖為某無(wú)限長(zhǎng)單鏈的多聚硅酸根離子：

試確定該陰離子中硅原子與氧原子的個(gè)數(shù)之比為
A．1︰2B．1︰3C．1︰4D．2︰5

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

有關(guān)晶體的下列說(shuō)法正確的是（   ）
A．晶體中分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定
B．分子中共價(jià)鍵越強(qiáng)，該物質(zhì)熔點(diǎn)越高
C．鐵熔化時(shí)金屬鍵被破壞
D．氯化鈉溶于水時(shí)離子鍵未被破壞

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