(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
已知:A、B、C、D為周期表1~36號中的元素,它們的原子序數(shù)逐漸增大。A的基態(tài)原子有3個不同的能級,各能級中電子數(shù)相等;C的基態(tài)原子2p能級上的未成對電子數(shù)與A原子相同;D的基態(tài)原子的M電子層上有4個未成對電子。
請回答下列問題:
(1)D是元素周期表中第____周期,第_______族的元素;其基態(tài)原子的外圍電子排布式為____________________。
(2)A、B、C、D四種元素中,電負性最大的是________(填元素符號)。
(3)由A、B、C形成的離子CAB與AC2互為等電子體,則CAB中A原子的雜化方式為____________。B的氫化物的沸點遠高于A的氫化物的主要原因是___________________。
(4)D能與AC分子形成D(AC)5,其原因是AC分子中含有________。D(AC)5常溫下呈液態(tài),熔點為-20.5℃,沸點為103℃,易溶于非極性溶劑,據(jù)此可判斷D(AC)5晶體屬于_________(填晶體類型)。
(5)SiO2的晶胞可作如下推導:先將NaCl晶胞中的所有Cl去掉,并將Na全部換成Si原子,再在每兩個不共面的“小立方體”中心處各放置一個Si原子便構(gòu)成了晶體Si的一個晶胞。再在每兩個相鄰的Si原子(距離最近的兩個Si原子)中心聯(lián)線的中點處增添一個O原子,便構(gòu)成了SiO2晶胞,故SiO2晶胞中有_______個Si原子,______個O原子。
(1)四; Ⅷ;3d64s2 
(2)O              
(3)sp;NH3分子間能形成氫鍵
(4) 孤對電子、分子晶體
(5)8;16
練習冊系列答案
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(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
下表中實線是元素周期表的部分邊界,其中上邊界并未用實線標出。
根據(jù)信息回答下列問題:
(1)周期表中比Ga質(zhì)子數(shù)少2的基態(tài)原子價電子排布式為_____________。
(2)Fe元素位于周期表的____分區(qū);Fe與CO易形成配合物Fe(CO)5,在Fe(CO)5中鐵的化合價為__________;已知:原子數(shù)目和電子總數(shù)(或價電子總數(shù))相同的微粒互為等電子體,等電子體具有相似的結(jié)構(gòu)特征。與CO分子互為等電子體的分子和離子分別為______和_____(填化學式),CO的結(jié)構(gòu)式為_____________。
(3)在CH4、CO及CH3OH中,碳原子采取sp3雜化的分子為________________。
(4)根據(jù)VSEPR理論預測ED4-離子的空間構(gòu)型為______________型。B、C、D及E原子相互化合形成的分子中,所有原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的電子式為:__________________________________(寫2種)
(5)B與D形成的穩(wěn)定化合物為___________分子(填“極性”“非極性”),其固態(tài)為________晶體。

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(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1,B元素的原子價電子排布為ns2np2,C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,D元素原子的M電子層的P亞層中有3個電子。
(1)C原子的電子排布式為____________,若A元素的原子最外層電子排布為1s1,則按原子軌道的重迭方式,A與C形成的化合物中的共價鍵屬于________鍵。
(2)當n=2時,B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為____________,B與C形成的晶體屬于__________ 晶體。當n=3時,B與C形成的晶體中微粒間的作用力是_______________
(3)若A元素的原子最外層電子排布為2s1,B元素的原子價電子排布為3s23p2,元素A在周期表中的位置是__________,A、B、C、D四種元素的第一電離能由大到小的順序是_______________ (用元素符號表示)。

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(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它們的原子序數(shù)依次增大。其中A、C原子的L層有2個未成對電子。D與E同主族,D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)。F3+M層3d軌道電子為半滿狀態(tài)。請根據(jù)以上情況,回答下列問題:(答題時,用所對應的元素符號表示)
(1)寫出F原子的電子排布式:________, F位于周期表____區(qū)。
(2)A、B、C的第一電離能由小到大的順序為____。
(3)F和M(質(zhì)子數(shù)為25)兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表:
比較兩元素的I2、I3可知,氣態(tài)M2+再失去一個電子比氣態(tài)F2+再失去一個電子難。對此,你的解釋是_____________________
(4)已知F晶體的堆積方式與金屬鉀相同,則F晶胞中F原子的配位數(shù)為________,一個晶胞中F原子的數(shù)目為_________。
(5)H2S和C元素的氫化物(分子式為H2C2)的主要物理性質(zhì)比較如下
H2S和H2C2的相對分子質(zhì)量基本相同,造成上述物理性質(zhì)差異的主要原因是____________

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原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號元素。已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍;A與C形成的常見化合物之一是主要的溫室氣體;D與A同主族,其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點最高;E原子M能 層為全充滿狀態(tài),且核外的未成對電子只有一個。請回答下列問題:
(1)B在周期表中的位置是___________,該主族元素的氣態(tài)氫化物中,沸點最低的是__________(填化學式)。
(2)根據(jù)等電子原理分析,BC2+ 中B原子的軌道雜化類型是____________。
(3)五種元素中,電負性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體,其晶體類型是____________。
(4)+1價氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個電子形成+2價氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第二電離能I2,依次還有I3、I4、I5…,推測D元素的電離能突增應出現(xiàn)在第______電離能。
(5)A的一種相對分子質(zhì)量為28的氫化物,其分子中σ鍵與π鍵的個數(shù)之比為________;A能形成多種常見單質(zhì),在熔點最低的單質(zhì)中,每個分子周圍緊鄰的分子數(shù)目為___________; 
(6)E的基態(tài)原子有_____種形狀不同的原子軌道;E2+ 的價電子排布式為_______;下圖_______(填甲、乙或丙)表示的是E晶體中微粒的堆積方式。

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