下列說法正確的是( )
A.1 mol Cl2參加反應(yīng)轉(zhuǎn)移電子數(shù)一定為2NA |
B.在反應(yīng)KClO3+6HCl=KCl+3Cl2+3H2O中,每生成3 mol Cl2轉(zhuǎn)移電子數(shù)為6NA |
C.SiO2與燒堿反應(yīng)只生成鹽和水,屬于酸性氧化物 |
D.Cl2的水溶液具有酸性,Cl2通入紫色石蕊溶液中,溶液只變紅 |
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
下列關(guān)于濃硝酸和濃硫酸的敘述中正確的是
A.常溫下均可用鋁制容器運輸 |
B.露置在空氣中,容器內(nèi)酸液質(zhì)量都減小 |
C.常溫下均能與銅較快反應(yīng) |
D.露置在空氣中,容器內(nèi)酸液質(zhì)量都增大 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
由二氧化硅制高純硅的流程如下,下列判斷中錯誤的是
A.①②③均屬于氧化還原反應(yīng) | B.H2和HCl均可循環(huán)利用 |
C.SiO2是一種堅硬難熔的固體 | D.SiHCl3摩爾質(zhì)量為135.5g |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
將SO2通入BaCl2溶液至飽和,未見有沉淀,繼續(xù)通入另一種氣體X仍無沉淀,則X可能是:
A.CO2 | B.NH3 | C.NO2 | D.H2S |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
常溫下,往溶液中滴加少量溶液,可發(fā)生如下兩個反應(yīng):,下列說法正確的是
A.在分解過程中,和的總量保持不變 |
B.的氧化性比強,其還原性比弱 |
C.在分解過程中,溶液的逐漸下降 |
D.生產(chǎn)過程中加入少量可以提高產(chǎn)率 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
如圖:A處通入氯氣,關(guān)閉B閥時,C處濕潤紅色布條無變化,打開B閥時,C處濕潤的紅色布條褪色。則D中可以盛放足量的 ( )
A.濃硫酸 | B.氫氧化鈉溶液 | C.水 | D.飽和食鹽水 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
將51.2gCu完全溶于適量濃硝酸中,收集到氮的氧化物(含NO、N2O4、NO2)的混合物共0.8mol,這些氣體恰好能被500ml 2mol/LNaOH溶液完全吸收,生成含NaNO3和NaNO2的鹽溶液,則原混合氣體中NO的物質(zhì)的量為 ( )
A.0.3mol | B.0.4mol | C.0.5mol | D. 0.6mol |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
下列變化過程中不能直接實現(xiàn)的是( )
①HCl ②Cl2 ③Ca(ClO)2 ④HClO ⑤CO2
A.④→⑤ | B.①→② | C.③→④ | D.②→③ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料。科學(xué)家預(yù)計,到2014年一個電腦芯片上將會集成100億個晶體管,其功能遠比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為 :
①SiO2 + 2CSi + 2CO
②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl
其中,反應(yīng)①和③屬于
A.化合反應(yīng) | B.分解反應(yīng) | C.置換反應(yīng) | D.復(fù)分解反應(yīng)o |
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