Question

【題目】科學(xué)家發(fā)現(xiàn)對(duì)冶金硅進(jìn)行電解精煉提純可降低高純硅制備成本。相關(guān)電解槽裝置如圖所示，用Cu-Si合金作硅源，在950℃利用三層液熔鹽進(jìn)行電解精煉， 下列說(shuō)法正確的是

A.電子由液態(tài)Cu-Si合金流出，流入液態(tài)鋁電極

B.三層液熔鹽的作用是使電子能夠在三層間自由流動(dòng)

C.在該液相熔體中Cu優(yōu)先于Si被氧化，Si4+優(yōu)先于Cu2+被還原

D.液態(tài)鋁電極與負(fù)極相連，作為電解池的陰極

Answer 1

【答案】AD

【解析】

由圖可知該裝置為電解池，Si4＋在液態(tài)鋁電極得電子轉(zhuǎn)化成Si，因此液態(tài)鋁電極為陰極，連接電源負(fù)極，Cu－Si合金所在電極為陽(yáng)極，與電源正極相連，三層液熔鹽在電解槽中充當(dāng)電解質(zhì)，可以供離子自由移動(dòng)，并增大電解反應(yīng)面積，提高硅沉積效率，據(jù)此分析。

A. 根據(jù)上述分析，液態(tài)鋁為陰極，連接電源負(fù)極，電子流入液態(tài)鋁，液態(tài)Cu－Si合金為陽(yáng)極，電子由液態(tài)Cu－Si合金流出，A項(xiàng)正確；

B. 根據(jù)裝置圖，三層液熔鹽中沒(méi)有電子通過(guò)，三層液熔鹽的作用是可以有效的增大電解反應(yīng)的面積，使單質(zhì)硅高效的在液態(tài)鋁電極上沉積，B項(xiàng)錯(cuò)誤；

C. 由圖可知，電解池的陽(yáng)極上Si失電子轉(zhuǎn)化Si4＋，陰極反應(yīng)Si4＋得電子轉(zhuǎn)化為Si，因此Si優(yōu)先于Cu被氧化，C項(xiàng)錯(cuò)誤；

D. 根據(jù)上述分析，液態(tài)鋁電極為陰極，連接電源負(fù)極，D項(xiàng)正確；

答案選AD。