A.熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>晶體硅 B.熔點(diǎn):金剛石>晶體硅>碳化硅
C.三種晶體中的單元都是正四面體結(jié)構(gòu) D.三種晶體都是原子晶體且均為絕緣體
年級(jí) | 高中課程 | 年級(jí) | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
2004年9月3日英國(guó)《自然》雜志報(bào)道,碳化硅是已知最硬的物質(zhì)之一,其單晶體可制作半導(dǎo)體材料。但正是由于它硬度高,熔化及鍛制的過(guò)程相當(dāng)費(fèi)勁,而且制成的晶片容易產(chǎn)生瑕疵,如雜質(zhì)、氣泡等,這些物質(zhì)會(huì)嚴(yán)重影響或削弱電流。因此,碳化硅一直無(wú)法被用來(lái)制造芯片。日本研究人員稱,他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法,使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠。下列有關(guān)碳化硅(SiC)的有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A. 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體
B. 碳化硅是一種新型的無(wú)機(jī)非金屬材料
C. 碳化硅的熔點(diǎn)比晶體硅高
D. 制取碳化硅的反應(yīng):SiO2+3CSiC+2CO↑中,SiO2是氧化劑,C是還原劑
查看答案和解析>>
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無(wú)主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com