碳化硅(SiC)的晶體有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中碳原子和硅原子的位置是交替的。它與晶體硅和金剛石相比較,正確的是(    )

A.熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>晶體硅                 B.熔點(diǎn):金剛石>晶體硅>碳化硅

C.三種晶體中的單元都是正四面體結(jié)構(gòu)           D.三種晶體都是原子晶體且均為絕緣體

練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2004年9月3日英國(guó)《自然》雜志報(bào)道,碳化硅是已知最硬的物質(zhì)之一,其單晶體可制作半導(dǎo)體材料。但正是由于它硬度高,熔化及鍛制的過(guò)程相當(dāng)費(fèi)勁,而且制成的晶片容易產(chǎn)生瑕疵,如雜質(zhì)、氣泡等,這些物質(zhì)會(huì)嚴(yán)重影響或削弱電流。因此,碳化硅一直無(wú)法被用來(lái)制造芯片。日本研究人員稱,他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法,使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠。下列有關(guān)碳化硅(SiC)的有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A. 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體

B. 碳化硅是一種新型的無(wú)機(jī)非金屬材料

C. 碳化硅的熔點(diǎn)比晶體硅高

D. 制取碳化硅的反應(yīng):SiO2+3CSiC+2CO↑中,SiO2是氧化劑,C是還原劑

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