工業(yè)上由SiCl4制備高純硅時(shí),不使用鈉、鎂等活潑金屬做還原劑,而是用氫氣作還原劑其原因是                                                    (    )

  A.鈉或鎂等活潑金屬的價(jià)格昂貴,成本高      

  B.鈉或鎂等活潑金屬的還原性不及氫氣強(qiáng)

  C.鈉或鎂等金屬可能與硅形成合金或殘留在硅中

  D.鈉或鎂的熔點(diǎn)沒(méi)有硅高

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

工業(yè)生產(chǎn)粗硅的主要原理為:SiO2+2CSi(粗)+2CO↑。

(1)若在制粗硅的過(guò)程中同時(shí)生成了碳化硅,且生成的硅和碳化硅的物質(zhì)的量之比為5∶1,則參加反應(yīng)的C和SiO2的質(zhì)量比為_(kāi)___________。

(2)工業(yè)上可通過(guò)如下流程由粗硅制取純硅:

Si(粗)SiCl4(l) Si(純)

若上述反應(yīng)中Si(粗)和SiCl4的利用率均為80%,制粗硅時(shí)有10%的SiO2轉(zhuǎn)化為SiC,則生產(chǎn)100.8 t純硅需純度為75%的石英砂多少?lài)崳?/p>

(3)工業(yè)上還可以通過(guò)下圖所示的流程來(lái)制取純硅:

反應(yīng)①:Si(粗)+3HCl(g) SiHCl3(l)+H2(g)

反應(yīng)②:SiHCl3+H2Si(純)+3HCl

假設(shè)在每一輪次的投料生產(chǎn)中,硅元素沒(méi)有損失,反應(yīng)①中HCl的利用率為75%,反應(yīng)②中H2的利用率為80%,則在下輪次的生產(chǎn)中,需補(bǔ)充投入HCl和H2的體積比為多少?

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

工業(yè)生產(chǎn)粗硅的主要原理為:SiO2+2C  3273K  Si(粗)+2CO↑。

(1)若在制粗硅的過(guò)程中同時(shí)生成了碳化硅,且生成的硅和碳化硅的物質(zhì)的量之比為5∶1,則參加反應(yīng)的C和SiO2的質(zhì)量比為       ??            

(2)工業(yè)上可通過(guò)如下流程由粗硅制取純硅:

+氫氣

 

+氯氣

 

提純

 
 


Si(粗)              SiCl4(l)                        Si(純)

若上述反應(yīng)中Si(粗)和SiCl4的利用率均為80%,制粗硅時(shí)有10%的SiO2轉(zhuǎn)化為SiC,則生產(chǎn)100.8t純硅需純度為75%的石英砂多少?lài)崳?/p>

(3)工業(yè)上還可以通過(guò)下圖所示的流程來(lái)制取純硅:

 


反應(yīng)①: Si(粗)+3HCl(g)   553~573K   SiHCl3(l)+H2(g)

反應(yīng)②: SiHCl3+H2   1373K   Si(純)+3HCl

假設(shè)在每一輪次的投料生產(chǎn)中,硅元素沒(méi)有損失,反應(yīng)①中HCl的利用率為75%,反應(yīng)②中H2的利用率為80%,則在下輪次的生產(chǎn)中,需補(bǔ)充投入HCl和H2的體積比為多少?

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:模擬題 題型:填空題

(三選一)【選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
硅與金剛砂(SiC)是兩種重要的工業(yè)產(chǎn)品,它們都可由二氧化硅與碳反應(yīng)制得。
(1)由SiO2生成SiC的化學(xué)方程式是_________________。 氮化硅(Si3N4)也是一種高硬度高沸點(diǎn)的物質(zhì),其制備方法是在H2的保護(hù)下,使SiCl4與N2反應(yīng)沉積在石墨表面,形成一層致密的氮化硅層,寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________。
(2)基態(tài)Si原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)_______;Si與C相比,電負(fù)性較大的是_________(填元素符號(hào))。   
(3)從原子軌道重疊的角度,X分子中含有的化學(xué)鍵是____________,X可與氧氣反應(yīng)生成Y,Y分子的中心原子雜化軌道類(lèi)型是__________,鍵角是_____________。SiO2與HF溶液反應(yīng)可以生成一種氣態(tài)物質(zhì),該物質(zhì)的立體構(gòu)型為_(kāi)_________________。
(4)SiC的一種晶體與晶體硅的結(jié)構(gòu)相似,其中C原子和Si原子的位置是交替的,在SiC中最小的環(huán)上有________個(gè)原子,SiC與晶體硅相比,_________熔點(diǎn)較高,原因是______________________________ 。
(5)生鐵中存在著碳鐵化合物。若鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,鐵的密度是dg/cm3,則鐵原子的半徑是_________cm。(只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏伽德羅常數(shù)為NA)。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:同步題 題型:填空題

氮化硅是一種非氧化物高溫陶瓷結(jié)構(gòu)材料,具有高硬度、高強(qiáng)度、耐腐蝕等特性,其超強(qiáng)的拉彎強(qiáng)度達(dá)到8× 104~10×104 N·cm-2,并且在1200℃高溫下不會(huì)下降。用氮化硅陶瓷制成的內(nèi)燃機(jī)不需冷卻裝置, 可節(jié)約燃料30%左右,熱轉(zhuǎn)換率提高到40%~ 50%。粉末狀的氮化硅可以由SiCl4的蒸氣和氨氣的混合物反應(yīng)制取。粉末狀的氮化硅在空氣和水中都不穩(wěn)定,但若將粉末狀的氮化硅和適量的MgO在230×1.01×105 Pa和185℃的密閉容器中熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密而且在空氣和水中都十分穩(wěn)定的高溫結(jié)構(gòu)材料。氮化硅陶瓷抗腐蝕能力強(qiáng),除氫氟酸以外,它不與其他無(wú)機(jī)酸反應(yīng)。
(1)根據(jù)元素周期律和元素周期表知識(shí),請(qǐng)寫(xiě)出氮化硅的化學(xué)式_____________。
(2)寫(xiě)出由SiCl4和NH3反應(yīng)制備氮化硅的化學(xué)反應(yīng)方程式:______________。 過(guò)去,工業(yè)上曾普遍采用高純硅與純氮在1 300℃ 反應(yīng)制氮化硅,現(xiàn)用四氯化硅和氮?dú)庠跉錃鈿夥毡Wo(hù)下,加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng),也可制得較高純度的氮化硅,其反應(yīng)方程式為_(kāi)___________。
(3)分別寫(xiě)出粉末狀氮化硅與氫氟酸、H2O、O2反應(yīng)的化學(xué)方程式____________。
(4)推測(cè)該氮化硅陶瓷被腐蝕的化學(xué)反應(yīng)方程式____________。
(5)試思考說(shuō)明為什么結(jié)構(gòu)緊密的氮化硅不受H2O、O2的侵蝕________________。

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