Ⅰ．砷化鎵為第三代半導(dǎo)體，以其為材料制造的燈泡壽命長(zhǎng)，耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
 (1)下列說(shuō)法正確的是____（填序號(hào)）。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能As>Ga
C.電負(fù)性As>Ga
D.原子半徑As>Ga
(2)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得，反應(yīng)的方程式為_(kāi)________________；
(3)AsH3空間形狀為_(kāi)______；已知(CH3)3Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為_(kāi)___________；
Ⅱ．金屬銅的導(dǎo)電性?xún)H次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。
(4)請(qǐng)解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因___________，Cu2+的核外電子排布式為_(kāi)________________
(5)在硫酸銅溶液中通入過(guò)量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍(lán)色的[Cu(NH3)4]SO4晶體，晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外，還有___________和____________。
(1)BC
(2)(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4
(3)三角錐；sp2
 (4)銅是金屬晶體，由金屬陽(yáng)離子和自由電子構(gòu)成，自由電子在外加電場(chǎng)的作用下可發(fā)生定向移動(dòng)；
[Ar]3d9或1s22s22p63s23p63d9
 (5)離子鍵；配位鍵
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：閱讀理解

（2013?青島一模）[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代．第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池．完成下列填空：
（1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時(shí)的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10
；
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?!--BA-->
Br＞As＞Se
Br＞As＞Se
 （用元素符號(hào)表示），用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng)，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿(mǎn)狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿(mǎn)狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng)，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿(mǎn)狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿(mǎn)狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
；
（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性（價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)），其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3． BF3?NH3中B原子的雜化軌道類(lèi)型為
sp3
sp3
，B與N之間形成
配位
配位
鍵；
（4）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結(jié)構(gòu)；在SiC中，每個(gè)C原子周?chē)罱腃原子數(shù)目為
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