太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽(yáng)能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽(yáng)能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻人Ga)等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池。

(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是___      

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?u>    (用元素符號(hào)表示)。

(3)H2Se的酸性比H2S____(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為_(kāi)___    

(4)硅烷(SinH2n+2)的沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示,呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是     

(5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì),則[B(OH)4]中B的原子雜化類(lèi)型為                   。

(6)金屬Cu單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與過(guò)氧化氫都不能反應(yīng),但可與氨水和過(guò)氧化氫的混合溶液反應(yīng),其原因是____,反應(yīng)的離子方程式為             。

(7)一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)。在晶脆中,Au原子位于頂點(diǎn),Cu原子位于面心,則該合金中Au原子與Cu原子個(gè)數(shù)之比為      ,若該晶胞的邊長(zhǎng)為a pm,則合金的密度為     g·cm-3(已知lpm=10-12m,只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏加塞羅常數(shù)為NA)。

 

【答案】

(15分)

⑴1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1)(1分)

⑵Br>As>Se(2分)

⑶強(qiáng)(1分)平面三角形(1分)

⑷硅烷的相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間范德華力越強(qiáng)(或其他合理答案)(2分)

⑸sp3(1分)

⑹H2O2為氧化劑,氨與Cu2+形成配離子,兩者相互促進(jìn)使反應(yīng)進(jìn)行(2分)

Cu+H2O2+4NH3=Cu(NH3)42++2OH-(2分)

⑺1∶3(1分)  (197+64×3)×1030/(a3NA)(其它合理答案均給分)(2分)

【解析】

試題分析:⑴31號(hào)元素鎵的基態(tài)原子的電子排布式是1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1

⑵一個(gè)周期從左往右第一電離能呈增大趨勢(shì),故硒、砷和溴元素的第一電離能從大到小順序?yàn)锽r>As>Se

⑶第ⅥA氫化物水溶液酸性由弱變強(qiáng),故H2Se的酸性比H2S強(qiáng)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為平面三角形。

⑷[B(OH)4]中B的原子結(jié)合4個(gè)羥基,雜化類(lèi)型為sp3。

⑸組成和結(jié)構(gòu)相似的分子,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間范德華力越強(qiáng),沸點(diǎn)越高。

⑹H2O2為氧化劑,氨與Cu2+形成配離子,兩者相互促進(jìn)使反應(yīng)進(jìn)行;

Cu+H2O2+4NH3=Cu(NH3)42++2OH-。

⑺該銅金合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)。在晶脆中,Au原子位于頂點(diǎn),Cu原子位于面心,故平均1個(gè)晶胞中含8×=1個(gè)Au原子,6×=3個(gè)Au原子,故該合金中Au原子與Cu原子個(gè)數(shù)之比為1∶3。1個(gè)晶胞的質(zhì)量為g,體積為,合金的密度為=(197+64×3)×1030/(a3NA)g·cm-3

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

(2013?青島一模)[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代.第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池.完成下列填空:
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?!--BA-->
Br>As>Se
Br>As>Se
 (用元素符號(hào)表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿(mǎn)狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿(mǎn)狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿(mǎn)狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿(mǎn)狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大
;
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3. BF3?NH3中B原子的雜化軌道類(lèi)型為
sp3
sp3
,B與N之間形成
配位
配位
鍵;
(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個(gè)C原子周?chē)罱腃原子數(shù)目為
12
12

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?樂(lè)山三模)太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代.第一代為單晶硅太陽(yáng)能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽(yáng)能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池.
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式表示為
3d10
3d10

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則這3種元素的第一電離能從大到小的順序?yàn)?!--BA-->
Br>As>Se
Br>As>Se
(用元素符號(hào)表示).
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]-而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì).
①[B(OH)4]-中B的原子雜化類(lèi)型為
sp3
sp3

②不考慮空間構(gòu)型,[B(OH)4]-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為

(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);若在晶體硅所有Si-Si鍵中插入O原子即得SiO2晶體.
①在SiC中,每個(gè)C原子周?chē)罱腃原子數(shù)目為
12
12

②判斷a.SiO2,b.干冰,c.冰三種晶體的熔點(diǎn)從小到大的順序是
b<c<a
b<c<a
(填序號(hào)).

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆東北三省四市教研協(xié)作體高三聯(lián)合考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽(yáng)能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽(yáng)能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGs(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池。

(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式表示為                。

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?u>    (用元素符號(hào)表示)。

(3)Cu晶體的堆積方式是          (填堆積名稱(chēng)),其配位數(shù)為        ;往Cu的硫酸鹽溶液中加入過(guò)量氨水,可生成[Cu(NH3)4]SO4,下列說(shuō)法正確的是_____

A.[Cu (NH3)4]SO4中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵

B.在[Cu(NH3)4 ]2+中Cu2+給出孤對(duì)電子,NH3提供空軌道

C.[Cu (NH3)4]SO4組成元素中第一電離能最大的是氧元素

D.SO42-與PO43-互為等電子體,空間構(gòu)型均為正四面體

(4)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)溶于水顯弱酸性,但它卻只是一元酸,可以用硼酸在水溶液中的電離平衡解釋它只是一元弱酸的原因。

①H3BO3中B的原子雜化類(lèi)型為         

②寫(xiě)出硼酸在水溶液中的電離方程式          。

(5)硅與碳是同一主族元素,其中石墨為混合型晶體,已知石墨的層 間距為335pm,C-C鍵長(zhǎng)為142pm,計(jì)算石墨晶體密度(要求寫(xiě)出計(jì)算過(guò)程,得出結(jié)果保留三位有效數(shù)字,NA為6.02×1023mol-1

 

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年山東省青島市高三第一次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池。完成下列填空:

(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的電子排布式為                         ;

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?         (用元素符號(hào)表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋               ;

(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3·NH3。 BF3·NH3中B原子的雜化軌道類(lèi)型為     ,B與N之間形成      鍵;

(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個(gè)C原子周?chē)罱腃原子數(shù)目為         。

 

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