A. | 自然界中硅元素均以SiO2形式存在 | |
B. | 高純度晶體Si可用于制造光導(dǎo)纖維 | |
C. | 該反應(yīng)條件下C的還原性比Si強(qiáng) | |
D. | 生成4.48LCO時(shí)轉(zhuǎn)移電子數(shù)為0.4×6.02×1023 |
分析 A.Si是親氧元素,在自然界中以氧化物或硅酸鹽的形式存在;
B.SiO2是制造光導(dǎo)纖維的材料;
C.同一條件下,還原劑的還原性大于還原產(chǎn)物的還原性;
D.溫度和壓強(qiáng)未知,無(wú)法計(jì)算CO物質(zhì)的量.
解答 解:A.Si是親氧元素,在自然界中以SiO2或硅酸鹽的形式存在,故A錯(cuò)誤;
B.SiO2是制造光導(dǎo)纖維的材料,Si是制造硅芯片和硅太陽(yáng)能電池的材料,故B錯(cuò)誤;
C.同一條件下,還原劑的還原性大于還原產(chǎn)物的還原性,該反應(yīng)中C是還原劑、Si是還原產(chǎn)物,所以該反應(yīng)條件下C的還原性比Si強(qiáng),故C正確;
D.溫度和壓強(qiáng)未知,無(wú)法計(jì)算CO物質(zhì)的量,導(dǎo)致無(wú)法計(jì)算轉(zhuǎn)移電子數(shù),故D錯(cuò)誤;
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題以C和SiO2的反應(yīng)為載體考查元素化合物性質(zhì)、基本概念及基本計(jì)算,為高頻考點(diǎn),側(cè)重考查學(xué)生分析判斷及計(jì)算能力,知道還原性強(qiáng)弱比較方法,易錯(cuò)選項(xiàng)是D,注意氣體摩爾體積適用范圍和適用條件,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | ①表示化學(xué)反應(yīng)2NO2(g)+O3(g)═N2O5(g)+O2(g)△H>0 | |
B. | ②表示25℃時(shí),用0.1 mol/LCH3COOH溶液滴定20 mL 0.1 mol/L NaOH溶液,溶液的pH隨加入醋酸體積的變化 | |
C. | ③可表示向醋酸溶液中通入氨氣時(shí),溶液導(dǎo)電性隨氨氣量的變化 | |
D. | ④表示體積和pH均相同的HCl和CH3COOH兩種溶液中,分別加入足量的鋅,產(chǎn)生H2的體積隨時(shí)間的變化,則a表示CH3COOH溶液 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 丙烯酸可以發(fā)生取代反應(yīng) | |
B. | 丙烯酸可以使酸性高錳酸鉀溶液褪色 | |
C. | 丙烯酸與HBr發(fā)生加成反應(yīng)只能得到唯一產(chǎn)物 | |
D. | 丙烯酸鈉溶液中Na+濃度大于丙烯酸根離子濃度 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | ①②③④ | B. | ④⑤⑥ | C. | ②③⑥ | D. | ①③⑤ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 產(chǎn)物B的狀態(tài)只能為固態(tài)或液態(tài) | |
B. | 平衡時(shí),單位時(shí)間內(nèi)n(A)消耗﹕n(C)消耗=1﹕1 | |
C. | 若開(kāi)始時(shí)向容器中加入1molB和1molC,達(dá)到平衡時(shí)放出熱量等于Q kJ | |
D. | 保持體積不變,向平衡體系中加入A,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng) | B. | x+y>z | ||
C. | C的體積分?jǐn)?shù)增大 | D. | B的轉(zhuǎn)化率增大 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 500 mL1 mol/L MgCl2溶液中含有Cl-數(shù)目為0.5NA | |
B. | 標(biāo)準(zhǔn)狀況下,33.6L SO3與48gO2所占的體積相等 | |
C. | 17 gNH3含有的電子個(gè)數(shù)為l0NA | |
D. | 1 mol O2與2 mol SO2一定條件下混合反應(yīng),可生成2 mol SO3 |
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