砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽�，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問(wèn)題

（1）下列說(shuō)法正確的是              （選填序號(hào)）。

       A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同  

B．第一電離能：As＞Ga

       C．電負(fù)性:As＞Ga                    

D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素

E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體

（2）砷化鎵是將（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到， 該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：                        。

AsH3空間形狀為：             （CH3）3Ga中鎵原子雜化方式為：             。

（3）Ga的核外電子排布式為：                 。

（4）AsH3沸點(diǎn)比NH3低，其原因是：                  。

（1）BCDE（4分）（多選少選均不給分）

（2）（CH3）3Ga+AsH3 GaAs+3CH4（2分）

（或：）。

三角錐（2分），sp2（2分）

（3）1s22s22p63s23p63d104s24p1（2分）

（4）NH3分子間能形成氫鍵，而As電負(fù)性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵。（3分）


解析:

略

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

[化學(xué)--物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽�，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答下列問(wèn)題
（1）下列說(shuō)法正確的是
BCDE
BCDE
（選填序號(hào)）．
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B．第一電離能：As＞Ga
C．電負(fù)性：As＞Ga
D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素
E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到，該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：
（CH3）3Ga+AsH3
700℃
GaAs+3CH4
（CH3）3Ga+AsH3
700℃
GaAs+3CH4
．
AsH3空間形狀為：
三角錐
三角錐
（CH3）3Ga中鎵原子雜化方式為：
sp2
sp2
．
（3）Ga的核外電子排布式為：
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．
（4）AsH3沸點(diǎn)比NH3低，其原因是：
NH3分子間能形成氫鍵，而As電負(fù)性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵
NH3分子間能形成氫鍵，而As電負(fù)性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

元素周期表中的第ⅢA、ⅣA、ⅤA族的部分元素往往易形成原子晶體，氮化鋁、磷化硼和砷化鎵屬于此列，如氮化鋁晶體中每個(gè)Al原子與4個(gè)N原子相連，每個(gè)N原子也與4個(gè)Al原子相連，晶胞如右圖所示．磷化硼是一種受到高度關(guān)注的耐磨涂料，它可用作金屬的表面保護(hù)層；砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽�，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%．試回答下列問(wèn)題：
（1）下列離子中最外層電子數(shù)不為8的是
D
D
（選填序號(hào)）．
A．P3-           B．Al3+           C．Ti4+         D．Ga3+
（2）下列說(shuō)法正確的是
BC
BC
（選填序號(hào)）．
A．硼和鎵都屬于S區(qū)元素，磷、砷屬于P區(qū)元素
B．第一電離能：As＞Ga    Mg＞Al
C．根據(jù)等電子體原理，砷化鎵、磷化硼的晶胞與氮化鋁晶體相同且類似于單晶硅
D．NH3沸點(diǎn)高于AsH3，其原因是NH3分子中共價(jià)鍵強(qiáng)度較大
（3）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3反應(yīng)得到，該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的化學(xué)方程式為
（CH3）3Ga+AsH3
700℃
GaAs+3CH4
（CH3）3Ga+AsH3
700℃
GaAs+3CH4
；
下列有機(jī)分子中碳原子的雜化方式與（CH3）3Ga分子中Ga原子的雜化方式相同的是
BDE
BDE
．（填序號(hào)）
A．CH4B．CH2=CH2C．CH≡CH      D．HCHO      E．
（4）請(qǐng)畫出三溴化磷分子的路易斯結(jié)構(gòu)式
，請(qǐng)判斷三溴化硼分子屬于
非極性
非極性
（填“極性”“非極性”）分子．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（1）隨著人們生活質(zhì)量的提高，不僅室外的環(huán)境安全為人們所重視，室內(nèi)的環(huán)境安全和食品安全也越來(lái)越為人們所關(guān)注．甲醛（CH2O）是室內(nèi)主要空氣污染物之一（其沸點(diǎn)是-19.5℃），甲醇是“假酒”中的主要有害物質(zhì)（其沸點(diǎn)是64.65℃），甲醇的沸點(diǎn)明顯高于甲醛的主要原因是
甲醇分子間存在氫鍵，而甲醛沒(méi)有
甲醇分子間存在氫鍵，而甲醛沒(méi)有
；甲醛分子中C的雜化方式為
sp2
sp2
，分子中共有
1
1
個(gè)π鍵．
（2）砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)化為光能． 已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖．是回答下列問(wèn)題：
①下列說(shuō)法正確的是
BCD
BCD
（選填序號(hào)）
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同    B．第一電離能：As＞Ga  
C．電負(fù)性：As＞Ga              D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素
②Ga的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104S24P1
1s22s22p63s23p63d104S24P1
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

精英家教網(wǎng)（1）隨著人們生活質(zhì)量的提高，不僅室外的環(huán)境安全為人們所重視，室內(nèi)的環(huán)境安全和食品安全也越來(lái)越為人們所關(guān)注．甲醛是室內(nèi)主要空氣污染物之一（其沸點(diǎn)是-19.5
℃），甲醇是“假酒”中的主要有害物質(zhì)（其沸點(diǎn)是64.65℃），甲醇的沸點(diǎn)明顯高于甲醛的主要原因是
 
；甲醛分子中C的雜化方式為
 
，分子中共有
 
個(gè)π鍵．
（2）砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)化為光能．已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．回答下列問(wèn)題：
①下列說(shuō)法正確的是
 
（選填序號(hào)）
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B．第一電離能：As＞Ga
C．電負(fù)性：As＞Ga
D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素
②Ga的核外電子排布式為
 
；
③砷化鎵是將（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到，該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為
 
； （CH3）3Ga中碳鎵鍵之間鍵角為
 
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2010-2011學(xué)年廣東省高三下學(xué)期二輪復(fù)習(xí)綜合測(cè)試（4）理綜化學(xué)部分 題型：填空題

砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽�，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問(wèn)題

（1）下列說(shuō)法正確的是              （選填序號(hào)）。

              A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同  

B．第一電離能：As＞Ga

              C．電負(fù)性:As＞Ga                                                                                   

D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素

E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體

（2）砷化鎵是將（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到， 該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：                        。

AsH3空間形狀為：             （CH3）3Ga中鎵原子雜化方式為：             。

（3）Ga的核外電子排布式為：                 。

（4）AsH3沸點(diǎn)比NH3低，其原因是：                  。

 

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