下圖是一些常見元素的單質(zhì)或化合物之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系．溶液中的水以及部分反應物或生成物未標出．A、E是空氣中的兩種主要成分，C是由兩種元素組成的新型材料，且和SiC具有相同的價電子數(shù)和原子數(shù)，J是一種能引起溫室效應的氣體，K是兩性化合物．反應③、④、⑤用于工業(yè)中生產(chǎn)H．回答下列問題：

(1)寫出下列物質(zhì)的化學式：F________，I________，H________；

(2)寫出反應③的化學方程式：________；

(3)寫出反應⑥的離子方程式：________；

(4)B和SiC的納米級復合粉末是新一代大規(guī)模集成電路理想的散熱材料．反應①是科學家研究開發(fā)制備該納米級復合粉末的最新途徑．已知B由Si及另外兩種元素組成，且Si與另外兩種元素的物質(zhì)的量之比均為1∶4，寫出反應①的化學方程式：________．

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源：山東省任城一中2010－2011學年高二下學期期末考試化學試題 題型：022

下圖是一些常見元素的單質(zhì)或化合物之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系．溶液中的水以及部分反應物或生成物未標出．A、E是空氣中的兩種主要成分，C是由兩種元素組成的新型材料，且和SiC具有相同的價電子數(shù)和原子數(shù)，J是一種能引起溫室效應的氣體，K是兩性化合物．反應③、④、⑤用于工業(yè)中生產(chǎn)H．

回答下列問題：

(1)物質(zhì)C的晶體類型________；

(2)寫出反應③的化學方程式：________；

(3)寫出反應⑥的離子方程式：________；

(4)B和SiC的納米級復合粉末是新一代大規(guī)模集成電路理想的散熱材料．反應①是科學家研究開發(fā)制備該納米級復合粉末的最新途徑．已知B由Si及另外兩種元素組成，且Si與另外兩種元素的物質(zhì)的量之比均為1∶4，寫出反應①的化學方程式：________．

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科目：高中化學 來源：河北省冀州中學2010－2011學年高二下學期期末考試化學試題(A卷) 題型：022

下圖是一些常見元素的單質(zhì)或化合物之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系．溶液中的水以及部分反應物或生成物未標出．A、E是空氣中的兩種主要成分，C是由兩種元素組成的新型材料，且和SiC具有相同的價電子數(shù)和原子數(shù)，J是一種能引起溫室效應的氣體，K是兩性化合物．反應③、④、⑤用于工業(yè)中生產(chǎn)H．

回答下列問題：

(1)物質(zhì)C的晶體類型________；

(2)寫出反應③的化學方程式：________；

(3)寫出反應⑥的離子方程式：________；

(4)B和SiC的納米級復合粉末是新一代大規(guī)模集成電路理想的散熱材料．反應①是科學家研究開發(fā)制備該納米級復合粉末的最新途徑．已知B由Si及另外兩種元素組成，且Si與另外兩種元素的物質(zhì)的量之比均為1∶4，寫出反應①的化學方程式：________．

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科目：高中化學 來源： 題型：

下圖是一些常見元素的單質(zhì)或化合物之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系。溶液中的水以及部分反應物或生成物未標出。A、E是空氣中的兩種主要成分，C是由兩種元素組成的新型材料，且和SiC具有相同的價電子數(shù)和原子數(shù)，J是一種能引起溫室效應的氣體，K是兩性化合物。反應③、④、⑤用于工業(yè)中生產(chǎn)H。

回答下列問題：

⑴物質(zhì)C的晶體類型　　　 ；

⑵ 寫出反應③的化學方程式：　　　　　　　　　　　　　　　 ；

⑶ 寫出反應⑥的離子方程式：　　　　　　　　　　　　　　　 ；

⑷ B和SiC的納米級復合粉末是新一代大規(guī)模集成電路理想的散熱材料。反應①是科學家研究開發(fā)制備該納米級復合粉末的最新途徑。已知B由Si及另外兩種元素組成，且Si與另外兩種元素的物質(zhì)的量之比均為1∶4，寫出反應①的化學方程式：　　　　　　　　　 　　　　　　　　　。

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科目：高中化學 來源： 題型：

下圖是一些常見元素的單質(zhì)或化合物之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系。溶液中的水以及部分反應物或生成物未標出。A、E是空氣中的兩種主要成分，C是由兩種元素組成的新型材料，且和SiC具有相同的價電子數(shù)和原子數(shù)，D是一種單質(zhì)，F(xiàn)為氣體，J是一種能引起溫室效應的氣體，K是兩性化合物。反應③、④、⑤用于工業(yè)中生產(chǎn)H�；卮鹣铝袉栴}：

   （1）寫出下列物質(zhì)的化學式：F              ，I                  

   （2）寫出反應③的化學方程式：                                               ；

   （3）寫出反應⑥的離子方程式：                                              ；

   （4）B和SiC的納米級復合粉末是新一代大規(guī)模集成電路理想的散熱材料。反應①是科學家研究開發(fā)制備該納米級復合粉末的最新途徑。已知B由Si及另外兩種元素組成，且Si與另外兩種元素的物質(zhì)的量之比均為1∶4，寫出反應①的化學方程式：                                                                 。

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