金屬晶體的下列性質(zhì)中，不能用金屬晶體結(jié)構(gòu)加以解釋的是
A．易導(dǎo)電B．易導(dǎo)熱C．有延展性D．易銹蝕
D

試題分析：金屬易腐蝕主要與金屬原子的活潑性有關(guān)系，金屬性越活潑，越易被腐蝕。而導(dǎo)電、導(dǎo)熱和延展性與金屬晶體的結(jié)構(gòu)有關(guān)系，即都與金屬晶體中金屬鍵有關(guān)系，答案選D。
點(diǎn)評：該題是常識性知識的考查，屬于記憶性知識的考查。該題有利于培養(yǎng)學(xué)生的學(xué)習(xí)自信心，難度不大。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

C60以其完美的球形結(jié)構(gòu)受到科學(xué)家的高度重視，從此掀起了球形分子的研究熱潮。繼C60后，科學(xué)家又合成了Si60、N60等球形分子。
（1）科學(xué)家把C60和鉀摻雜在一起制造了一種富勒烯化合物，其晶胞如圖所示，該物質(zhì)在低溫時(shí)是一種超導(dǎo)體．該物質(zhì)的K原子和C60分子的個(gè)數(shù)比為      

（2）Si60分子中每個(gè)硅原子只跟相鄰的3個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵，且每個(gè)硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則Si60分子中π鍵的數(shù)目為       
（3）寫試出C60、Si60、N60熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?u>               ，破壞這三種分子所需要的能量順序?yàn)?u>               

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列說法中錯(cuò)誤的是（　�。�
A．手性催化劑主要催化一種手性分子的合成
B．原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高
C．元素電負(fù)性越大的原子，吸引電子的能力越強(qiáng)
D．原子晶體中原子以共價(jià)鍵結(jié)合，具有鍵能大、熔點(diǎn)高、硬度大的特性

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下面的排序錯(cuò)誤的是
A．晶體熔點(diǎn)由高到低：MgO> H2O > NH3
B．熔點(diǎn)由高到低：金剛石>生鐵>純鐵>鈉
C．硬度由大到小：金剛石>碳化硅>晶體硅
D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶體的相似(如下圖所示)，但CaC2晶體中含有的中啞鈴形C22-的存在，使晶胞沿一個(gè)方向拉長。下列關(guān)于CaC2晶體的說法中不正確的是
A．1個(gè)Ca2+周圍距離最近且等距離的C22-數(shù)目為6
B．該晶體中的陰離子與F2是等電子體
C．6.4克CaC2晶體中含陰離子0.1mol
D．與每個(gè)Ca2+距離相等且最近的Ca2+共有12個(gè)

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

晶胞是晶體結(jié)構(gòu)中可重復(fù)出現(xiàn)的最小的結(jié)構(gòu)單元，C60晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，下列說法正確的是 （   ）
A．C60摩爾質(zhì)量是720
B．C60屬于離子晶體
C．在C60晶胞中有4個(gè)C60分子
D．每個(gè)C60分子周圍與它距離最近等距離的C60分子有12個(gè)

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列指定粒子的個(gè)數(shù)比為2∶1的是(　　)
A．Be2＋中的電子和質(zhì)子
B．Na2O2中的陽離子和陰離子
C．NaHCO3晶體中的陽離子和陰離子
D．BaO2(過氧化鋇)固體中的陰離子和陽離子

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

鋇在氧氣中燃燒時(shí)得到一種鋇的氧化物晶體，其結(jié)構(gòu)如下圖所示，有關(guān)說法正確的是（  ）
A．該晶體為分子晶體
B．晶體的化學(xué)式為Ba2O2
C．該氧化物的電子式為
D．與每個(gè)Ba2+ 距離相等且最近的Ba2+ 共有6個(gè)

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（15分）氮化硅是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，硬度大、耐磨損。利用SiO2和C的混合粉末在N2的氣氛中加熱至1300℃反應(yīng)制得。請回答下列問題：
（1）已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中，原子間都以單鍵相連，且N原子和N原子，Si原子與Si原子不直接相連，同時(shí)每個(gè)原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則氮化硅的化學(xué)式____，晶體類型是   ；
（2）基態(tài)Si原子的電子排布式為_________；Si和C相比，電負(fù)性較大的是_________，
（3）在SiO2晶體結(jié)構(gòu)中，O－Si－O的鍵角是_______，Si原子和周圍的四個(gè)O原子組成的空間構(gòu)型為           ，SiO2中Si的雜化類型_______；
（4）氮化硅抗腐蝕能力強(qiáng)，一般不與其他無機(jī)酸反應(yīng)，但能和氫氟酸反應(yīng)生成硅酸。試寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式                            。
（5）晶體硅的晶胞如圖所示，則每個(gè)晶體硅的晶胞中含有     個(gè)硅原子。

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