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已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣,可由碳(C)與水蒸氣(H2O)在高溫下反應生成.如下圖:

已知:單質E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài).據此,請?zhí)羁眨?br/>(1)氧化物A是______
(2)化合物F是______
(3)反應①的化學方程式是______
(4)反應②的化學方程式是______
(5)反應③的化學方程式是______.

解:根據單質E可作為半導體材料,所以E是硅;C為液態(tài)的氧化物,常溫下呈液態(tài)的氧化物只有水,所以C是水;單質G和H反應生成水,所以單質G和H,所以兩種單質中一個是氧氣和一個是氫氣;氧化物A和單質B反應生成硅和氧化物F,根據元素守恒知,A是二氧化硅;
二氧化硅和單質B反應生成硅和化合物,且F是有毒的氧化物,有毒的氧化物有一氧化碳、一氧化氮、二氧化氮、二氧化硫,且單質B和水能反應生成氧化物F和單質G,結合元素守恒知,B是碳,F是一氧化碳,G是氫氣,H是氧氣.
(1)通過以上分析知,A是SiO2,故答案為:SiO2
(2)通過以上分析知,F是CO,故答案為:CO;
(2)碳和二氧化硅在高溫下反應生成一氧化碳和硅,故答案為:2C+SiO22CO+Si;
(3)碳和水蒸氣在高溫下反應生成一氧化碳和氫氣,故答案為:C+H2OCO+H2;
(4)氫氣在氧氣中燃燒生成水,故答案為:2H2+O22H2O.
分析:先根據題意中信息判斷單質和化合物的成分,再根據要求解題.
根據單質E可作為半導體材料,所以E是硅;C為液態(tài)的氧化物,常溫下呈液態(tài)的氧化物只有水,所以C是水;單質G和H反應生成水,所以單質G和H,所以兩種單質中一個是氧氣和一個是氫氣;氧化物A和單質B反應生成硅和氧化物F,根據元素守恒知,A是二氧化硅;
二氧化硅和單質B反應生成硅和化合物,且F是有毒的氧化物,有毒的氧化物有一氧化碳、一氧化氮、二氧化氮、二氧化硫,且單質B和水能反應生成氧化物F和單質G,結合元素守恒知,B是碳,F是一氧化碳,G是氫氣,H是氧氣.
點評:本題考查了元素化合物的推斷,難度不大,會根據題中所給信息確定“題眼”,再結合反應現象推斷元素化合物.
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科目:高中化學 來源: 題型:

已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣,可由碳(C)與水蒸氣(H2O)在高溫下反應生成.如下圖:

已知:單質E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài).據此,請?zhí)羁眨?BR>(1)氧化物A是
SiO2
SiO2

(2)化合物F是
CO
CO

(3)反應①的化學方程式是
2C+SiO2
 高溫 
.
 
2CO+Si
2C+SiO2
 高溫 
.
 
2CO+Si

(4)反應②的化學方程式是
C+H2O
 高溫 
.
 
CO+H2
C+H2O
 高溫 
.
 
CO+H2

(5)反應③的化學方程式是
2H2+O2
 點燃 
.
 
2H2O
2H2+O2
 點燃 
.
 
2H2O

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣,可由碳(C)與水蒸氣(H2O)在高溫下反應生成.如下圖:

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已知:單質E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài).據此,請?zhí)羁眨?br>(1)氧化物A是______
(2)化合物F是______
(3)反應①的化學方程式是______
(4)反應②的化學方程式是______
(5)反應③的化學方程式是______.

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科目:高中化學 來源:2009-2010學年廣東省東莞市五校聯考高一(下)期中化學試卷(解析版) 題型:解答題

已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣,可由碳(C)與水蒸氣(H2O)在高溫下反應生成.如下圖:

已知:單質E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài).據此,請?zhí)羁眨?br />(1)氧化物A是______
(2)化合物F是______
(3)反應①的化學方程式是______ 2CO+Si

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科目:高中化學 來源:期中題 題型:填空題

已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣,可由碳(C )與水蒸氣(H2O)在高溫下反應生成。如下圖
已知:單質E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài)。據此,請?zhí)羁眨?BR>(1)氧化物A是___________
(2)化合物F是___________
(3)反應①的化學方程式是______________________
(4)反應②的化學方程式是______________________
(5)反應③的化學方程式是______________________

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