【題目】黃曲霉素的結(jié)構(gòu)如圖,下列關(guān)于該有機物的性質(zhì)敘述正確的是( 。

A.1mol該化合物最多消耗NaOH分別為6mol2mol

B.該化合物中含有三種官能團(tuán)

C.該化合物中含有2個苯環(huán)結(jié)構(gòu)

D.該化合物可以和1mol發(fā)生加成反應(yīng)

【答案】A

【解析】

A.苯環(huán)和碳碳雙鍵能和氫氣發(fā)生加成反應(yīng)、酯基水解生成的羧基、酚羥基能和NaOH反應(yīng),所以1mol該化合物最多消耗H2NaOH分別為6mol2mol,故A正確;

B.該有機物中含有碳碳雙鍵、醚鍵、酯基和羰基四種官能團(tuán),故B錯誤;

C.該分子中只有一個苯環(huán),故C錯誤;

D.碳碳雙鍵能和溴發(fā)生加成反應(yīng),含有2個碳碳雙鍵,所以該化合物可以和2molBr2發(fā)生加成反應(yīng),故D錯誤;

故選A。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】將鎂鋁合金溶于100mL稀硝酸中,產(chǎn)生1.12LNO氣體(標(biāo)準(zhǔn)狀況),向反應(yīng)后的溶液中加入NaOH溶液,產(chǎn)生沉淀與加入氫氧化鈉體積(mL)情況如圖所示。下列說法不正確的是(

A.原溶液中cHNO3=1.8mol/LB.沉淀最大質(zhì)量為4.08g

C.nMg):nAl=1:1D.氫氧化鈉溶液濃度為3mol/L

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】常溫下,pH均為2、體積均為V0HA、HB、HC溶液,分別加水稀釋至體積為V,溶液pHlg的變化關(guān)系如圖所示,下列敘述錯誤的是(

A.常溫下:Ka(HB)>Ka(HC)

B.HC的電離度:a<b

C.當(dāng)lg=4時,三種溶液同時升高溫度,減小

D.當(dāng)lg=5時,HA溶液的pH7

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】下列方程式書寫正確的是(

A.HCO3-在水溶液中的電離方程式:HCO3- H2OH3OCO32-

B.H2SO3的電離方程式H2SO32HSO32-

C.CO32-的水解方程式:CO32- 2H2OH2CO32OH-

D.CuSO4的水解方程式: Cu2++2H2O=Cu(OH)2↓+2H+

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】頭孢拉定又名先鋒霉素,是常用的一種抗生素,其結(jié)構(gòu)簡式如圖:

下列說法不正確的是(

A. 頭孢拉定的分子式是C16H19N3O4S,分子中有多種官能團(tuán)

B. 頭孢拉定與Na2CO3溶液、NaHCO3溶液都可以反應(yīng)

C. 1mol頭孢拉定最多可與6molH25mol Br2發(fā)生加成反應(yīng)

D. 頭孢拉定既可與鹽酸反應(yīng),也可與NaOH溶液反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】MgAl組成的mg混合物投入一定量稀HCl中,固體完全溶解,收集到氣體為1.12L(標(biāo)準(zhǔn)狀況),向反應(yīng)后溶液中加入2 mol/L NaOH溶液60mL時,金屬離子恰好沉淀完全,則形成沉淀的質(zhì)量為(  )

A.m+1.7gB.m+2.04gC.m+3.4gD.m+4.08g

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】某有機物X的結(jié)構(gòu)簡式如圖所示,下列有關(guān)說法正確的是( 。

A.可用溶液區(qū)分X和苯酚

B.在加熱條件下,1molX最多能與2molNaOH反應(yīng)

C.1molX在酸性條件下的能水解完全,其產(chǎn)物最多能與2molNa反應(yīng)

D.分子含有三種官能團(tuán),且兩種官能團(tuán)在催化劑條件下能與氫氣加成

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】研究表明,納米0價金屬能去除地下水中的NO3-,不同初始pH和不同金屬組成對NO3-的去除效果如圖所示。圖1初始pH=5.5,圖2初始pH=2,NO3-初始濃度均為50mg·L-1,納米級金屬添加量均為2g·L-1。下列說法正確的是

A.納米鐵的去除效果優(yōu)于納米鎳

B.2納米鐵反應(yīng)60mnNO3-去除率67.2%,則60min內(nèi)

C.當(dāng)加入的金屬是Fe0/Ni05/1,在不同的初始pH下,經(jīng)過60min后,NO3-的去除率相等

D.其他條件相同時,若pH過低,可能會導(dǎo)致去除率下降

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】高純度晶體硅是良好的半導(dǎo)體材料,它的發(fā)現(xiàn)和使用引起了計算機的一場“革命”。它可以按下列方法制備:

SiO2Si()SiHCl3Si()

下列說法不正確的是(

A.步驟③中氫氣作還原劑

B.硅和二氧化硅都能用作計算機“芯片”

C.步驟①的化學(xué)方程式為:SiO2+2CSi+2CO↑

D.步驟①②③中發(fā)生的反應(yīng)都屬于氧化還原反應(yīng)

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