對(duì)第n電子層,若它作為原子的最外層,則容納的電子數(shù)最多與n-l層的相同;當(dāng)它作為次外層,則容納的電子數(shù)比n+l層上電子數(shù)最多能多10個(gè),則第n層為( )
A.L層
B.M層
C.N層
D.任意層
【答案】分析:原子核外電子排布規(guī)律為:
1、泡利不相容原理:每個(gè)軌道最多只能容納兩個(gè)電子,且自旋相反配對(duì).
2、能量最低原理:電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道.
3、洪特規(guī)則:簡(jiǎn)并軌道(能級(jí)相同的軌道)只有被電子逐一自旋平行地占據(jù)后,才能容納第二個(gè)電子.
另外:等價(jià)軌道在全充滿、半充滿或全空的狀態(tài)是比較穩(wěn)定的.
K層只有1s軌道,L層有1s、2s、2p軌道,M層有1s、2s、2p、3s、3p、3d軌道,N層有1s、2s、2p、3s、3p、3d、4s、4p、4d、4f軌道;根據(jù)能量最低原理,電子填充順序?yàn)?s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p、5s、4d、5p、6s、4f、5d、6p、7s、5f、6d、7p.根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律,將各選項(xiàng)代入驗(yàn)證.
解答:解:A、若為L(zhǎng)層,當(dāng)為最外層時(shí),容納電子數(shù)最多為8,K只容納2個(gè)電子;當(dāng)為次外層時(shí),最多容納8個(gè)電子,M層最多容納電子數(shù)為8,不可能比M層多10個(gè)電子,故A不符合;
B、若為M層,當(dāng)為最外層時(shí),容納電子數(shù)最多為8,L容納8個(gè)電子;當(dāng)為次外層時(shí),最多容納18個(gè)電子,可以比N層多10個(gè)電子,故B符合;
C、若為N層,當(dāng)為最外層時(shí),由于3d與4s能級(jí)交錯(cuò),最外層電子數(shù)≤2時(shí),M容納電子數(shù)為8~18,最外層電子數(shù)≥3時(shí),M層容納電子數(shù)為18,N層最多容納8個(gè)電子,所以N與M層電子數(shù)不可能相等;當(dāng)為次外層時(shí),N層最多容納18個(gè)電子,O層最多容納8個(gè)電子,可以比O層多10個(gè)電子,故C不符合;
D、由A中分析可知,不可能為任意層,故D錯(cuò)誤.
故選:C.
點(diǎn)評(píng):本題考查學(xué)生原子核外電子排布知識(shí),難度不大,本題采取代入驗(yàn)證方法解答,比較推斷更簡(jiǎn)單.驗(yàn)證法是選擇題常用方法.
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A.L層            B.M層           C.N層          D.任意層

 

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A.L層            B.M層           C.N層          D.任意層

 

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A.L層
B.M層
C.N層
D.任意層

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