制備單質(zhì)硅的主要化學(xué)反應(yīng)如下：①SiO2 + 2C Si + 2CO↑

②Si + 2Cl2 SiCl4③SiCl4+ 2H2 === Si + 4HCl，

下列對(duì)上述三個(gè)反應(yīng)的敘述中不正確的是

A．①②③均為氧化還原反應(yīng)　　　 　 B．①③為置換反應(yīng)

C．③中是氧化劑　　　　　 　　 D．三個(gè)反應(yīng)的反應(yīng)物中的硅元素均被還原

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3：Si+3HCl
 300℃ 
.
 
SiHCl3+H2
③SiHCl3與過量H2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃．請(qǐng)回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
．
（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量SiCl4（沸點(diǎn)57.6℃）和HCl（沸點(diǎn)-84.7℃），提純SiHCl3采用的方法為：
分餾
分餾
．
（3）用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：
①裝置B中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
．
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
高溫下，普通玻璃會(huì)軟化
高溫下，普通玻璃會(huì)軟化
，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
．
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
．
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號(hào)）是
bd
bd

a．碘水b．氯水c．NaOH溶液d．KSCN溶液e．Na2SO3溶液．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料．請(qǐng)寫出晶體硅的二種用途：
計(jì)算機(jī)芯片
計(jì)算機(jī)芯片
、
太陽能電池
太陽能電池
．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3（常溫下為液態(tài)，易揮發(fā)）
③SiHCl3與過量H2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
已知：
Ⅰ．SiHCl3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，請(qǐng)寫出其水解的化學(xué)方程式：
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
．
Ⅱ．SiHCl3 在空氣中自燃．請(qǐng)回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
．
（2）用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

①裝置B中的試劑是
濃H2SO4
濃H2SO4
，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是
使SiHCl3氣化
使SiHCl3氣化
；
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
；
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
；
④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法：
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e，若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e．
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e，若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e．
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

 晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si+3HClSiHCl3+H2。
③SiHCl3與過量的H2在1000～1100℃時(shí)反應(yīng)制得純硅。
已知SiHCl3（沸點(diǎn)33.0℃）能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為____________________。
（2）用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置已略去）：

①裝置B中的試劑是______________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_______________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號(hào)）是_____________。
a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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科目：高中化學(xué) 來源：2013屆江西省南昌二中高三第一次考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：填空題

(10分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。請(qǐng)寫出晶體硅的二種用途：______、______
制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(常溫下為液態(tài)，易揮發(fā))
③SiHCl3與過量Ｈ2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅。
已知:Ⅰ.SiHCl3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，請(qǐng)寫出其水解的化學(xué)方程式：___________。
Ⅱ.SiHCl3在空氣中自燃。請(qǐng)回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　。
（2）用SiHCl3與過量Ｈ2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

①裝置Ｂ中的試劑是　　　　，裝置Ｃ中的燒瓶需要加熱，其目的是______________，
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置Ｄ中觀察到的現(xiàn)象是　　　　　　　　　　　　　　　_　　，
裝置Ｄ中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　　___　　，
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度
以及　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　_____________　，
④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:_________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來源：2013屆重慶市高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：實(shí)驗(yàn)題

（18分）晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：

 ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3：Si＋3HCl　　　　SiHCl3＋Ｈ2

③SiHCl3與過量Ｈ2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅。

已知SiHCl3能與Ｈ2Ｏ強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。

請(qǐng)回答下列問題：

（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　。

（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量SiCl4（沸點(diǎn)57.6℃）和HCl（沸點(diǎn)－84.7℃），提純SiHCl3采用的方法為：　　　　　　　　　　　　。

（3）用SiHCl3與過量Ｈ2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：

①裝置Ｂ中的試劑是　　　　　　　　，裝置Ｃ中的燒瓶需要加熱，其目的是：　　　　　　　　　。

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置Ｄ中觀察到的現(xiàn)象是　　　　　　　，裝置Ｄ不能采用普通玻璃管的原因是　　　　　，裝置Ｄ中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為　　　　　　　　　　　　　　　。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及　　　　。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號(hào)）是　　　　　　　　　　

ａ．碘水    ｂ．氯水    ｃ．ＮaＯＨ溶液     ｄ．KSCN溶液    ｅ．Ｎa2ＳＯ3溶液

 

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同步練習(xí)冊(cè)答案