【題目】元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途,請(qǐng)根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識(shí)回答下列問(wèn)題:

1按原子序數(shù)遞增的順序稀有氣體除外,以下說(shuō)法正確的是________。

a.簡(jiǎn)單離子的半徑先減小后增大,鹵素離子半徑最大

b.元素金屬性減弱,非金屬性增強(qiáng)

c.最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物堿性減弱,酸性增強(qiáng)

d.單質(zhì)的熔點(diǎn)逐漸降低

2原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)一半的元素名稱為____,還原性最弱的簡(jiǎn)單陰離子是____

3已知:

化合物

MgO

Al2O3

MgCl2

AlCl3

類型

離子化合物

離子化合物

共價(jià)化合物

熔點(diǎn)/

2800

2050

714

191

工業(yè)制鎂時(shí),電解MgCl2而不電解MgO的原因是________________________________,根據(jù)熔點(diǎn)推測(cè)Al2O3___________化合物

4晶體硅熔點(diǎn)1410 是良好的半導(dǎo)體材料。由粗硅制純硅過(guò)程如下:

SiSiCl4SiCl4Si

寫出SiCl4的電子式:_____________,在上述由SiCl4g制純硅的反應(yīng)中,測(cè)得每生成0.56 kg純硅需吸收a kJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:_____________________________________________。

5P2O5是非氧化性干燥劑,下列氣體不能用濃硫酸干燥,但可用P2O5干燥的是_________

aHI bNH3 cSO2 dCO2

6KClO3可用于實(shí)驗(yàn)室制O2,若不加催化劑,400℃時(shí)分解只生成兩種鹽,其中一種是無(wú)氧酸鹽,另一種鹽的陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為11。寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:_______________________________。

【答案】 bc Cl MgO的熔點(diǎn)高,熔融時(shí)耗費(fèi)更多能源,增加生產(chǎn)成本 離子 SiCl4g)+2H2gSis)+4HClgΔH=+0.05a kJ·mol1 a 4KClO3KCl3KClO4

【解析】試題分析:(1)根據(jù)同周期元素遞變規(guī)律判斷;2第三周期元素次外層電子數(shù)是8;元素氧化性越強(qiáng),離子還原性越弱;3氧化鎂的熔點(diǎn)大于氯化鎂;共價(jià)化合物熔點(diǎn)低、離子化合物熔點(diǎn)高;(4)SiCl4所有原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu);生成0.56 kg純硅需吸收a kJ熱量,則生成1mol純硅需吸收0.05a kJ熱量;5濃硫酸是氧化性、酸性干燥劑,不能干燥還原性氣體、不能干燥堿性氣體;P2O5是酸性、非氧化性干燥劑,不能干燥堿性氣體。6KClO3可用于實(shí)驗(yàn)室制O2,若不加催化劑,400℃時(shí)分解只生成兩種鹽,其中一種是無(wú)氧酸鹽,無(wú)氧酸鹽是KCl,根據(jù)氧化還原反應(yīng)規(guī)律,另一種鹽中氯元素化合價(jià)升高,另一種鹽是KClO4

解析:(1) a.電子層數(shù)相同時(shí),質(zhì)子數(shù)越多半徑越小,電子層數(shù)越多半徑越大,第三周期元素的簡(jiǎn)單離子的半徑從左到右先減小后增大再減小,故a錯(cuò)誤;

b.第三周期元素元素從左到右金屬性減弱,非金屬性增強(qiáng),故b正確;

c. 第三周期元素元素從左到右最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物堿性減弱,酸性增強(qiáng),故c正確;d.鈉、鎂、鋁的熔點(diǎn)逐漸升高,故d錯(cuò)誤;2第三周期元素次外層電子數(shù)是8原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)一半的元素,最外層電子數(shù)為4,是硅元素;元素氧化性越強(qiáng),離子還原性越弱還原性最弱的簡(jiǎn)單陰離子是Cl;(3氧化鎂的熔點(diǎn)大于氯化鎂熔融時(shí)耗費(fèi)更多能源,增加生產(chǎn)成本,所以工業(yè)制鎂時(shí),電解MgCl2而不電解MgO;共價(jià)化合物熔點(diǎn)低、離子化合物熔點(diǎn)高,根據(jù)熔點(diǎn)推測(cè)Al2O3是離子化合物;(4)SiCl4所有原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)SiCl4的電子式是;生成0.56 kg純硅需吸收a kJ熱量,則生成1mol純硅需吸收0.05a kJ熱量,所以該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是SiCl4g)+2H2gSis)+4HClgΔH=+0.05a kJ·mol1;

5濃硫酸是酸性、氧化性干燥劑,不能干燥還原性氣體、不能干燥堿性氣體,所以不能用濃硫酸干燥的氣體是HINH3;P2O5是酸性、非氧化性干燥劑,不能干燥堿性氣體,不能用P2O5干燥的氣體是NH3,所以不能用濃硫酸干燥,但可用P2O5干燥的是HI;(6根據(jù)以上分析,若不加催化劑,KClO3分解只生成KCl、KClO4,方程式是4KClO3KCl3KClO4。

練習(xí)冊(cè)系列答案
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A. 研究的是t0時(shí)刻增大O2的物質(zhì)的量濃度對(duì)反應(yīng)速率的影響

B. 研究的是t0時(shí)刻通入氦氣增大體系壓強(qiáng)對(duì)反應(yīng)速率的影響

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