(2014屆四川省眉山市高三第一次診斷性考試化學(xué)試卷)
根據(jù)Mg能在CO2中燃燒,某興趣小組推測Na應(yīng)該也能在CO2中燃燒,且固體產(chǎn)物可能為C、Na2O和Na2CO3中的兩種或三種。該小組用如下圖裝置進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)探究。已知PdCl2能被CO還原得到黑色的Pd。

回答下列問題:
(1)為了使反應(yīng)隨開隨用,隨關(guān)隨停,上圖虛線方框內(nèi)應(yīng)選用    裝置(填下圖字母代號),如何檢驗(yàn)所選裝置的氣密性     。

(2)裝置2中所盛試劑為       
A.NaOH溶液             B.飽和NaHCO3溶液
C.飽和Na2CO3溶液        D.飽和NaCl溶液
(3)檢測裝置的氣密性完好并裝好藥品后,在點(diǎn)燃酒精燈前應(yīng)先進(jìn)行裝置1中的反應(yīng)操作,待觀察到     現(xiàn)象時(shí),再點(diǎn)燃酒精燈,這步操作的目的是        
(4)由實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象和進(jìn)一步的探究得出反應(yīng)機(jī)理。
A.裝置6中有黑色沉淀生成;
B.取反應(yīng)后直玻管中的固體物質(zhì)23.0g溶于足量的水中,無氣泡產(chǎn)生且得到澄清的溶液;將溶液加水稀釋配成250 mL的溶液;
C.取25.00ml步驟B的溶液,滴加足量BaCl2溶液,將生成的白色沉淀過濾、洗滌、干燥,稱量得固體質(zhì)量為1.97g。
①步驟C中不溶物干燥前必須經(jīng)過洗滌,如何檢驗(yàn)該沉淀是否洗滌干凈    。
②該探究得出鈉與二氧化碳反應(yīng)的化學(xué)方程式為                   。
(1)C(2分),關(guān)閉彈簧夾,向長頸漏斗中加水,一定時(shí)間后靜置液面保持不動,說明氣密性良好(2分)
(2)B(2分)
(3)裝置5中出現(xiàn)大量混濁(2分);排盡裝置中的空氣(2分)
(4)①取最后一次洗滌液加入稀H2SO4,不出現(xiàn)渾濁說明沉淀洗滌干凈(2分)
②6Na+4CO22Na2O+Na­2CO3+3CO(2分)

C裝置是采用固液分開的設(shè)計(jì),打開彈簧夾液體加入反應(yīng)開始,關(guān)閉彈簧夾反應(yīng)產(chǎn)生氣體的壓強(qiáng)使固液分開反應(yīng)停止;檢驗(yàn)有多個(gè)出口的實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,一般只保留一個(gè)封住其它出口進(jìn)行實(shí)驗(yàn),關(guān)閉彈簧夾,向長頸漏斗中加水,一定時(shí)間后靜置液面保持不動,說明氣密性良好;(2)裝置C是用石灰石或大理石與鹽酸反應(yīng)產(chǎn)生二氧化碳,會混有HCl雜質(zhì),故2用飽和NaHCO3溶液來除去HCl同時(shí)轉(zhuǎn)化為二氧化碳;(3)CO易燃,混有空氣可能會發(fā)生爆炸,反應(yīng)前需先同二氧化碳除去裝置中的空氣,當(dāng)觀察到5中石灰水變渾濁時(shí)認(rèn)為裝置中充滿二氧化碳,空氣排盡;(4)檢驗(yàn)洗滌是否干凈,一般是要取最后次的洗滌液,進(jìn)行檢驗(yàn)可能存在的雜質(zhì)離子,鑒于洗滌液中離子濃度較低,一般檢驗(yàn)比較容易出現(xiàn)現(xiàn)象的離子如硫酸根離子、氯離子等;
根據(jù)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象知產(chǎn)物物碳單質(zhì),無鈉剩余,根據(jù)碳酸鋇的質(zhì)量計(jì)算出
n(Na­2CO3)= n(BaCO3)=1.97÷197×10=0.1mol
m(Na­2CO3)= 0.1×106=10.6g
所以固體中含有氧化鈉n(Na­2O)=(23.0-10.6)÷62=0.2mol
根據(jù)氧化還原反應(yīng)原理,反應(yīng)中碳元素化合價(jià)下降為+2價(jià)CO,方程式為
6Na+4CO22Na2O+Na­2CO3+3CO
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:問答題

(1)NH4HCO3是制作糕點(diǎn)的常用疏松劑.NH4HCO3受熱分解反應(yīng)的化學(xué)方程式是:______.
(2)聚氯乙烯()有毒,不能用于制作食品保鮮袋.由氯乙烯通過加聚反應(yīng)獲得聚氯乙烯的化學(xué)方程式為:______.

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列關(guān)于濃硫酸和濃硝酸的敘述正確的是( 。
A.加熱條件下均能與碳反應(yīng)
B.長期露置在空氣中濃度均會升高
C.常溫下均不能用鐵制容器貯存
D.常溫下均可與銅片迅速反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列塊狀單質(zhì)在常溫時(shí),能全部溶于足量的濃硝酸的是(  )
A.CB.AgC.PtD.Fe

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(15分)(2012?重慶)金剛石、SiC具有優(yōu)良的耐磨、耐腐蝕特性,應(yīng)用廣泛.
(1)碳與短周期元素Q的單質(zhì)化合僅能生成兩種常見氣態(tài)化合物,其中一種化合物R為非極性分子.碳元素在周期表中的位置是             ,Q是             ,R的電子式為             
(2)一定條件下,Na還原CCl4可制備金剛石,反應(yīng)結(jié)束冷卻至室溫后,回收其中的CCl4的實(shí)驗(yàn)操作名稱為             ,除去粗產(chǎn)品中少量鈉的試劑為             
(3)碳還原SiO2制SiC,其粗產(chǎn)品中雜質(zhì)為Si和SiO2.現(xiàn)將20.0g SiC粗產(chǎn)品加入到過量的NaOH溶液中充分反應(yīng),收集到0.1mol氫氣,過濾得SiC固體11.4g,濾液稀釋到1L.生成氫氣的離子方程式為             ,硅酸鹽的物質(zhì)的量濃度為             
(4)下列敘述正確的有             (填序號).
①Na還原CCl4的反應(yīng)、Cl2與H2O的反應(yīng)均是置換反應(yīng)
②水晶、干冰熔化時(shí)克服粒子間作用力的類型相同
③Na2SiO3溶液與SO3的反應(yīng)可用于推斷Si與S的非金屬性強(qiáng)弱
④鈉、鋰分別在空氣中燃燒,生成的氧化物中陰陽離子數(shù)目比均為1:2.

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ);卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號       ,該能層具有的原子軌道數(shù)為      、電子數(shù)為         
(2)硅主要以硅酸鹽、       等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以        相結(jié)合,其晶胞中共有8個(gè)原子,其中在面心位置貢獻(xiàn)       個(gè)原子。
(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4CI在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為              。
(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):
化學(xué)鍵
C-C
C-H
C-O
Si-Si
Si-H
Si-O
鍵能(KJ/mol)
356
413
336
226
318
452
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多,原因是                。
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是                       。
(6)在硅酸鹽中,SiO44四面體(如下圖a)通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖b為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根;其中Si原子的雜化形式為            。Si與O的原子數(shù)之比為       化學(xué)式為   。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:實(shí)驗(yàn)題

晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用過量的碳還原二氧化硅制得粗硅,同時(shí)得到一種可燃性氣體;
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(Si+3HClSiHCl3+H2);
③SiHCl3與過量的H2在1 100~1 200 ℃的溫度下反應(yīng)制得純硅,已知SiHCl3能與水劇烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請回答:
(1)第一步制取粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                        。
(2)粗硅與HCl氣體反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7 ℃),提純SiHCl3采用的方法為                      。
(3)實(shí)驗(yàn)室用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制取純硅裝置如圖所示(加熱和夾持裝置略去):

①裝置B中的試劑是      ,裝置C中的燒杯需要加熱,目的是                    。
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是                               ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是                              ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                               。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及                               。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

氮化硅可用作高溫陶瓷復(fù)合材料,在航空航天、汽車發(fā)動機(jī)、機(jī)械等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由石英砂合成氮化硅粉末的路線如下圖所示:

其中-NH2中各元素的化合價(jià)與NH3相同。請回答下列問題:
(1)石英砂不能與堿性物質(zhì)共同存放,以NaOH為例,用化學(xué)反應(yīng)方程式表示其原因:                                                             
(2)圖示①~⑤的變化中,屬于氧化還原反應(yīng)的是                         。(3)SiCl4在潮濕的空氣中劇烈水解,產(chǎn)生白霧,軍事工業(yè)中用于制造煙霧劑。SiCl4水解的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                              
(4)在反應(yīng)⑤中,3 mol Si(NH2)4,在高溫下加熱可得1 mol氮化硅粉末和8 mol A氣體,則氮化硅的化學(xué)式為                                            。
(5)在高溫下將SiCl4在B和C兩種氣體的氣氛中,也能反應(yīng)生成氮化硅,B和C兩種氣體在一定條件下化合生成A。寫出SiCl4與B和C兩種氣體反應(yīng)的化學(xué)方程式                     。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

硅及其化合物對人類現(xiàn)代文明具有特殊貢獻(xiàn),請回答下列有關(guān)問題:
(1)硅原子的結(jié)構(gòu)示意圖:________。
(2)下列物品或設(shè)備所用的材料屬于硅酸鹽的是________。
①長江三峽水泥大壩;②石英光導(dǎo)纖維;③陶瓷坩堝;④普通玻璃;⑤硅太陽能電池
A.①②③      B.③④⑤       C.②③④      D.①③④
(3)常溫下,SiCl4為液態(tài),沸點(diǎn)為57.6℃,在空氣中冒白霧。制備高純度硅的中間產(chǎn)物SiCl4中溶有液態(tài)雜質(zhì),若要得到高純度SiCl4,應(yīng)采用的方法是________;用化學(xué)方程式及必要文字解釋SiCl4在空氣中冒白霧的原因:_______________________________________。
(4)工業(yè)上可用SiCl4(g)制備高溫結(jié)構(gòu)陶瓷氮化硅,其反應(yīng)方程式為
3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)Si3N4(s)+12HCl(g) ΔH=a kJ/mol(a<0)
①該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K=______________.
②在密閉恒容容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)的是________。
A.3v(N2)=v(H2)
B.v(HCl=4v=4v(SiCl4)
C.混合氣體密度保持不變
D.c(N2)∶c(H2)∶c(HCl)=1∶3∶6
③在某條件下達(dá)到平衡時(shí),H2與HCl物質(zhì)的量之比為m∶n;保持其他條件不變,降低溫度達(dá)到平衡時(shí),H2與HCl物質(zhì)的量之比________m∶n(填“>”、“=”或“<”)。

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