精英家教網(wǎng)【選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
有A、B、C、D、E五種原子序數(shù)依次增大的元素(原子序數(shù)均小于30).A的基態(tài)原子2p能級有3個單電子;C的基態(tài)原子2p能級有1個單電子;E原子核外有成單電子,其次外層有3個能級且均排滿電子;D與E同周期,價電子數(shù)為2.則:
(1)寫出基態(tài)E原子的價電子排布式
 

(2)A的單質(zhì)分子中π鍵的個數(shù)為
 

(3)A、B、C三種元素第一電離能由大到小的順序為
 
 (用元素符號表示)
(4)B元素的氫化物的沸點是同族元素中最高的,原因是
 

(5)A的最簡單氫化物分子的空間構(gòu)型為
 
,其中A原子的雜化類型是
 

(6)C和D形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,已知晶體的密度為ρg?cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,求晶胞邊長a=
 
cm.(用ρ、NA的計算式表示)
分析:有A、B、C、D、E五種原子序數(shù)依次增大的元素(原子序數(shù)均小于30),A的基態(tài)原子2p能級有3個單電子,原子核外電子排布為1s22s22p3,則A是N元素;C的基態(tài)原子2p能級有1個單電子,且C的原子序數(shù)大于A,其原子核外電子排布為1s22s22p5,所以C是F元素,結(jié)合原子序數(shù)可推知B是O元素;E原子核外有成單電子,其次外層有3個能級且均排滿電子,且原子序數(shù)小于30,則E處于第四周期,其基態(tài)原子的價電子排布式[Ar]3d104s1,則E是Cu元素;D與E同周期,價電子數(shù)為2,則D是Ca元素,據(jù)此解答.
解答:解:有A、B、C、D、E五種原子序數(shù)依次增大的元素(原子序數(shù)均小于30),A的基態(tài)原子2p能級有3個單電子,原子核外電子排布為1s22s22p3,則A是N元素;C的基態(tài)原子2p能級有1個單電子,且C的原子序數(shù)大于A,其原子核外電子排布為1s22s22p5,所以C是F元素,結(jié)合原子序數(shù)可推知B是O元素;E原子核外有成單電子,其次外層有3個能級且均排滿電子,且原子序數(shù)小于30,則E處于第四周期,其基態(tài)原子的價電子排布式[Ar]3d104s1,則E是Cu元素;D與E同周期,價電子數(shù)為2,則D是Ca元素,
(1)E是銅元素,根據(jù)構(gòu)造原理知,其基態(tài)原子的價電子排布式[Ar]3d104s1,故基態(tài)Cu原子的價電子排布式為:3d104s1,故答案為:3d104s1;
(2)氮氣的結(jié)構(gòu)式為:N≡N,所以氮氣分子中含有一個σ鍵兩個π鍵,故答案為:2;
(3)同一周期中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大呈增大趨勢,但N元素2p能級容納3個電子,處于半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能大于同周期相鄰元素,素第一電離能由大到小的順序為F>N>O,
故答案為:F>N>O;
(4)水分子間能存在氫鍵,氫鍵比范德華力更強,H2O的沸點是同族元素中最高的,
故答案為:水分子間之間存在氫鍵,氫鍵比范德華力更強;
(5)N元素的簡單氫化物是氨氣,NH3分子中氮原子價層電子對=3+
5-1×3
2
=4,且含有一個孤電子對,所以分子空間構(gòu)型是三角錐形,N原子采取sp3雜化,
故答案為:三角錐形;sp3;
(6)F和Ca形成的化合物為CaF2,由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中白色球數(shù)目=8、黑色球數(shù)目=8×
1
8
+6×
1
2
=4,白色球為F、黑色球為Ca,則晶胞質(zhì)量=4×
78g
NA
=
312
NA
g,晶胞的體積=
312
NA
g
ρ g?cm-3
=
312
ρ?NA
cm3,故晶胞邊長a=
3
312
ρ?NA
cm,
故答案為:
3
312
ρ?NA
點評:本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì),涉及核外電子排布、分子空間構(gòu)型、化學(xué)鍵、雜化方式、電離能、晶胞計算等,都是考試熱點,注意第一電離能的變化趨勢及異常現(xiàn)象,為易錯點.
練習冊系列答案
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(三選一)【選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。
(1)寫出Si的基態(tài)原子的核外電子排布式_________。從電負性角度分析,C、Si和O元素的非金屬性由強至弱的順序為___________________。
(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為__________,微粒間存在的作用力是__________
(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為_________(填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似,MO的熔點比NaCl的高,其原因是__________________________。
(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成σ鍵和 π鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述π鍵。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O 原子間不能形成上述π鍵。____________。

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(三選一)【選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
氮元素和氟元素在人類社會發(fā)展中扮演著極為重要的角色。
(1)基態(tài)N原子的電子排布式是______;NF3中N與F相比,電負性較小的是_________。
(2)在NH3分子中,H-N-H的鍵角為107.3°,那么在NF3分子中,F(xiàn)-N-F的鍵角_______(填“>”、“<”或“=”) 107.3°,NF3分子中N原子的軌道雜化類型是__________。
(3)NF3的沸點比NH3的沸點(-33℃)低得多的主要原因是___________________。
(4)Na3AlF6是工業(yè)冶煉鋁的原料之一,在Na3AlF6晶胞中,占據(jù)的位置相當于NaCl晶胞(如圖)中Cl-占據(jù)的位置,則Na3AlF6晶胞中含有的原子數(shù)與NaCl晶胞中含有的原子數(shù)之比為_________。

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(三選一)【選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
硅與金剛砂(SiC)是兩種重要的工業(yè)產(chǎn)品,它們都可由二氧化硅與碳反應(yīng)制得。
(1)由SiO2生成SiC的化學(xué)方程式是_________________。 氮化硅(Si3N4)也是一種高硬度高沸點的物質(zhì),其制備方法是在H2的保護下,使SiCl4與N2反應(yīng)沉積在石墨表面,形成一層致密的氮化硅層,寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________。
(2)基態(tài)Si原子的價電子排布式為________;Si與C相比,電負性較大的是_________(填元素符號)。   
(3)從原子軌道重疊的角度,X分子中含有的化學(xué)鍵是____________,X可與氧氣反應(yīng)生成Y,Y分子的中心原子雜化軌道類型是__________,鍵角是_____________。SiO2與HF溶液反應(yīng)可以生成一種氣態(tài)物質(zhì),該物質(zhì)的立體構(gòu)型為__________________。
(4)SiC的一種晶體與晶體硅的結(jié)構(gòu)相似,其中C原子和Si原子的位置是交替的,在SiC中最小的環(huán)上有________個原子,SiC與晶體硅相比,_________熔點較高,原因是______________________________ 。
(5)生鐵中存在著碳鐵化合物。若鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,鐵的密度是dg/cm3,則鐵原子的半徑是_________cm。(只要求列算式,不必計算出數(shù)值,阿伏伽德羅常數(shù)為NA)。

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科目:高中化學(xué) 來源:模擬題 題型:推斷題

(三選一)【選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
已知A、B、C、D都是周期表中前四周期的元素,它們的原子序數(shù)依次增大。其中A、B原子的L層有2個未成對電子,C的三價陽離子與B的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)。D3+ 3d軌道上電子為半充滿狀態(tài)。請根據(jù)以上信息,回答下列問題。
(1)寫出B的基態(tài)原子的核外電子排布式_________________;D元素在元素周期表中的位置為_________________________。
(2)A的最簡單氫化物分子的空間構(gòu)型是_________________,其中心原子采取_________________雜化,屬于___________________(填“極性分子”或“非極性分子”)。
(3)C元素最高價氧化物對應(yīng)的水化物可用于治療胃酸過多,寫出反應(yīng)的離子方程式:________________。
(4)H2S和B元素的一種氫化物(分子式為H2B2)的主要物理性質(zhì)比較如下
H2S和H2B2的相對分子質(zhì)量相同,造成上述物理性質(zhì)差異的主要原因是__________________________。
(5)D和E(質(zhì)子數(shù)為25)兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表
比較兩元素的I2、I3可知,氣態(tài)E2+再失去一個電子比氣態(tài)D2+再失去一個電子難。對此,你的解釋是________________________

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