【題目】電解合成 1 , 2－二氯乙烷的實(shí)驗(yàn)裝置如圖所示。下列說(shuō)法中正確的是

A.a為電源的負(fù)極

B.CuCl2能將C2H4還原為 l , 2－二氯乙烷

C.X、Y依次為陽(yáng)離子交換膜、陰離子交換膜

D.該裝置總反應(yīng)為CH2=CH2+ 2H2O + 2NaClH2+ 2NaOH + ClCH2CH2Cl

【答案】D

【解析】

據(jù)圖可知裝置左側(cè)CuCl轉(zhuǎn)化為CuCl2，銅元素被氧化，所以左側(cè)為電解池的陽(yáng)極，則a為電源正極；右側(cè)為電解池陰極，則b為電源負(fù)極。

A．根據(jù)分析可知，a為電源的正極，故A錯(cuò)誤；

B．據(jù)圖可知，液相反應(yīng)中發(fā)生的反應(yīng)為C2H4+2CuCl2=ClCH2CH2Cl+2CuCl，該反應(yīng)中CuCl2中銅元素化合價(jià)降低，C2H4中C元素化合價(jià)升高，即CuCl2將C2H4氧化成為ClCH2CH2Cl，故B錯(cuò)誤；

C．陰極H2O或H+放電生成NaOH，則中間室中鈉離子要進(jìn)入陰極區(qū)，所以離子交換膜Y為陽(yáng)離子交換膜；陽(yáng)極CuCl放電轉(zhuǎn)化為CuCl2，氯離子要進(jìn)入陽(yáng)極區(qū)，所以離子交換膜X為陰離子交換膜，故C錯(cuò)誤；

D．以NaCl和CH2=CH2為原料合成1，2二氯乙烷中，CuCl→CuCl2→CuCl，CuCl循環(huán)使用，其實(shí)質(zhì)是NaCl、H2O與CH2=CH2反應(yīng)，所以總反應(yīng)為CH2=CH2+2H2O+2NaClH2↑+2NaOH+ClCH2CH2Cl，故D正確；

綜上所述答案為D。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】電鍍是應(yīng)用電解原理在某些金屬表面鍍上一薄層其它金屬或合金的方法。在鐵質(zhì)鉚釘上鍍鎳(Ni)能防止鐵被腐蝕，如圖1。實(shí)驗(yàn)室模擬鐵片鍍鎳，裝置如圖2。

(1)b極材料是__。

(2)電鍍液中含有NiSO4、NaCl和硼酸。

已知：NiSO4=Ni2++SO、Ni2++2H2ONi(OH)2+2H+

①a極的電極反應(yīng)式是__。

②硼酸的作用是調(diào)節(jié)溶液的pH。pH較小時(shí)，a極易產(chǎn)生__氣體，使鍍層疏松多孔。pH較大時(shí)，a極會(huì)吸附__固體而使鍍層含有雜質(zhì)。

(3)鐵質(zhì)鉚釘上鍍鎳能防止鐵被腐蝕是因?yàn)殄儗邮硅F與__等物質(zhì)隔離。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】元素鉻(Cr)在自然界主要以+3價(jià)和+6價(jià)存在。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)利用鉻鐵礦(FeO·Cr2O3)冶煉制取金屬鉻的工藝流程如圖所示：

①為加快焙燒速率和提高原料的利用率，可采取的措施之一是_________。

②“水浸”要獲得浸出液的操作是________。

(2)常溫下，已知Cr3+完全沉淀時(shí)溶液pH為5，(Cr3+濃度降至10-5mol·L-1可認(rèn)為完全沉淀)則Cr(OH)3的溶度積常數(shù)Ksp＝___。

(3)用石墨電極電解鉻酸鈉(Na2CrO4)溶液，可制重鉻酸鈉(Na2Cr2O7)，實(shí)驗(yàn)裝置如圖所示(已知：2+2H+2+2H2O)

①電極b連接電源的______極(填“正”或“負(fù))，b極發(fā)生的電極反應(yīng)：________

②電解一段時(shí)間后，測(cè)得陽(yáng)極區(qū)溶液中Na+物質(zhì)的量由amol變?yōu)?/span>bmol，則理論上生成重鉻酸鈉的物質(zhì)的量是________mol(用含a、b的代數(shù)式表示)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)下表為元素周期表的一部分。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

（1）上述元素中，屬于s區(qū)的是_________(填元素符號(hào))。

（2）寫出元素⑨的基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖_______。

（3）元素的第一電離能：③______④(選填“大于”或“小于”)。

（4）元素③氣態(tài)氫化物的VSEPR模型為____；該分子為___分子(選填“極性”或“非極性”)。向硫酸銅溶液中逐滴加入其水溶液，可觀察到的現(xiàn)象為_____________。

（5）元素⑥的單質(zhì)的晶體中原子的堆積方式如圖甲所示，其晶胞特征如圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示。

若已知⑥的原子半徑為dcm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，元素⑥的相對(duì)原子質(zhì)量為M，請(qǐng)回答：晶胞中⑥原子的配位數(shù)為____________，該晶體的密度為___________(用字母表示)。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】下列有關(guān)說(shuō)法正確的是

A. 已知HI(g) 1/2H2(g)＋1/2I2(s)　ΔH＝－26.5 kJ·mol－1，由此可知1 mol HI氣體在密閉容器中充分分解后可以放出26.5 kJ的熱量

B. 已知2H2(g)＋O2(g)===2H2O(g)　ΔH＝－571.6 kJ·mol－1，則氫氣的燃燒熱為ΔH＝－285.8 kJ·mol－1

C. 已知2C(s)＋2O2(g)=2CO2(g) ΔH1, 2C(s)＋O2(g)=2CO(g) ΔH2，則ΔH1＜ΔH2

D. 含20.0 g NaOH的稀溶液與稀鹽酸完全中和，放出28.7 kJ的熱量，則稀醋酸和稀NaOH溶液反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為：NaOH(aq)＋CH3COOH(aq)===CH3COONa(aq)＋H2O(l)　ΔH＝－57.4 kJ·mol－1

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】2019年8月13日中國(guó)科學(xué)家合成了首例缺陷誘導(dǎo)的晶態(tài)無(wú)機(jī)硼酸鹽單一組分白光材料Ba2 [Sn（OH）6][B（OH）4] 2并獲得了該化合物的LED器件，該研究結(jié)果有望為白光發(fā)射的設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供一個(gè)新的有效策略。

（1）基態(tài)Sn原子價(jià)層電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有___種，基態(tài)氧原子的價(jià)層電子排布式不能表示為，因?yàn)檫@違背了____原理（規(guī)則）。

（2）[B（OH）4] －中氧原子的雜化軌道類型為____，[B（OH）4] －的空間構(gòu)型為______。 [Sn（OH）6] 2－中，Sn與O之間的化學(xué)鍵不可能是___。

a 鍵 b σ鍵 c 配位鍵 d 極性鍵

（3）碳酸鋇、碳酸鎂分解得到的金屬氧化物中，熔點(diǎn)較低的是_____（填化學(xué)式），其原因是___________。

（4）超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體材料——砷化硼（BAs）的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示，則1號(hào)砷原子的坐標(biāo)為____。已知阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，若晶胞中As原子到B原子最近距離為a pm，則該晶體的密度為__g·cm－3（列出含a、NA的計(jì)算式即可）。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】含氟的鹵素互化物通常作氟化劑，使金屬氧化物轉(zhuǎn)化為氟化物，如2Co3O4＋6ClF3=6CoF3＋3Cl2＋4X。下列有關(guān)該反應(yīng)的說(shuō)法，正確的是(　　)

A.X與O3互為同位素

B.1 mol Co3O4在反應(yīng)中轉(zhuǎn)移9 mol電子

C.ClF3中氯元素為－3價(jià)

D.Co3O4在反應(yīng)中作氧化劑

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】CuCl是應(yīng)用廣泛的有機(jī)合成催化劑，可從黃銅礦(主要成分為CuFeS2)中制取。

已知：CuCl是一種白色粉末，微溶于水，難溶于乙醇，在空氣中易被氧化，在水溶液中存在平衡：CuCl(s)+2Cl-(aq)[CuCl3]2-(aq)(無(wú)色溶液)，下列敘述錯(cuò)誤的是（ ）

A.浸取階段，參加反應(yīng)的CuFeS2和CuCl2的物質(zhì)的量之比為3：l

B.浸取所得到的FeCl2溶液，可用來(lái)腐蝕覆在絕緣板上的銅箔制造印刷電路板

C.加水有利于CuCl(s)+2Cl-(aq)[CuCl3]2-(aq)平衡逆向移動(dòng)，析出CuCl

D.為提高產(chǎn)率和純度，可采用乙醇洗滌、真空干燥

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】T°C時(shí)，在某恒容的密閉容器中，發(fā)生如下反應(yīng)：SO2(g) +2CO(g) 2CO2 (g)+ S(l)△H ＜ 0；下列情況不能說(shuō)明該反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)的是

A.容器內(nèi)混合氣體的密度不變

B.容器內(nèi)壓強(qiáng)不變

C.v(CO)生成= v(CO2)消耗

D.S的質(zhì)量不再改變

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