氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料,它可在高溫下的氮氣流中由石英與焦炭通過以下反應(yīng)制得:
3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g)Si3N4(s)+6CO(g)+Q(Q>0)完成下列填空:
1、某溫度下該反應(yīng)在一容積為2 L的密閉容器中進(jìn)行,2 min后達(dá)到平衡,剛好有2 mol電子發(fā)生轉(zhuǎn)移,則2 min內(nèi)反應(yīng)的速率為:v(CO)=________;該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為________.
2、其它條件不變時僅增大壓強,則________.
a.K值減小,平衡向逆反應(yīng)方向移動
b.K值增大,平衡向正反應(yīng)方向移動
c.K值不變,平衡向逆反應(yīng)方向移動
d.K值不變,平衡向正反應(yīng)方向移動
3、一定條件下能說明上述反應(yīng)已達(dá)平衡的是________.
a.c(N2)∶c(CO)=1∶3
b.3v(N2)=v(CO)
c.固體質(zhì)量不再改變
d.氣體密度不再改變
4、達(dá)到平衡后改變某一條件,反應(yīng)速率v與時間t的關(guān)系如下圖所示.若不改變N2與CO的量,則圖中t4時引起變化的原因可能是________;圖中t6時引起變化的原因可能是________.
由圖可知,平衡混合物中CO含量最高的時間段是________.
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(1)寫出由SiCl4和NH3制備Si3N4的反應(yīng)方程式。?
(2)分別寫出粉末狀Si3N4和H2O、O2反應(yīng)的方程式。?
(3)為什么結(jié)構(gòu)緊密的固體Si3N4不再受H2O和O2的侵蝕??????
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①光導(dǎo)纖維的主要成分是______________;
②目前應(yīng)用最多的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化材料是_____________________。
(2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適?量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和185℃?的密閉容器中熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時還得到對水不穩(wěn)定的Mg3N2。
①經(jīng)過熱處理的Si3N4,其晶體類型為___________________________________;
②寫出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式:____________________________;
③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過程中,除生成Mg3N2外,還可能生成_______物質(zhì)。熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是______________。
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科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011學(xué)年甘肅省高三第三次模擬考試(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題
(14分)氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料,它可由SiO2與過量焦炭在1300-1700oC的氮氣流中反應(yīng)制得3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g) Si3N4(s)+6CO(g)
(1)上述反應(yīng)氧化劑是 ,已知該反應(yīng)每轉(zhuǎn)移1mole—,放出132.6kJ的熱量,該方程式的∆H = 。
(2)能判斷該反應(yīng)(在體積不變的密閉容器中進(jìn)行)已經(jīng)達(dá)到平衡狀態(tài)的是 。
A.焦炭的質(zhì)量不再變化 B.N2和CO速率之比為1:3
C.生成6molCO同時消耗1mol Si3N4 D.混合氣體的密度不再變化
(3)該反應(yīng)的溫度控制在1300-1700oC的原因是 。
(4)某溫度下,測得該反應(yīng)中N2和CO各個時刻的濃度如下,則0—20 min內(nèi)N2的平均
反應(yīng)速率 ,在平衡混合氣體中CO的體積分?jǐn)?shù)是 。
時間/min |
0 |
5 |
10 |
15 |
20 |
25 |
30 |
35 |
40 |
45 |
N2濃度 /mol·L-1 |
4.00 |
3.70 |
3.50 |
3.36 |
3.26 |
3.18 |
3.10 |
3.00 |
3.00 |
3.00 |
CO濃度 /mol·L-1 |
0.00 |
0.90 |
1.50 |
1.92 |
2.22 |
2.46 |
2.70 |
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