化學(xué)鍵 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能/kJ•mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
分析 (1)物質(zhì)的熔點(diǎn)與晶體類型有關(guān),原子晶體的熔點(diǎn)大于分子晶體的熔點(diǎn);如果晶體類型相同,物質(zhì)的熔點(diǎn)與化學(xué)鍵的鍵長成反比,鍵長越短,鍵能越大,熔點(diǎn)越高;
(2)晶體熔點(diǎn)與晶體類型有關(guān),原子晶體中的作用力是共價(jià)鍵,分子晶體中的作用力是范德華力,共價(jià)鍵比范德華力大很多,導(dǎo)致異響其熔點(diǎn);
(3)金剛石中每個(gè)碳原子和四個(gè)碳原子形成四個(gè)共價(jià)鍵,如果一個(gè)碳原子在正方體體心上,4個(gè)碳原子在相對的4個(gè)頂點(diǎn)上;
(4)化學(xué)反應(yīng)方程式中的反應(yīng)熱=反應(yīng)物的鍵能之和-生成物的鍵能之和.
解答 解:(1)碳化硅和硅都是原子晶體,晶體類型相同的物質(zhì)其熔點(diǎn)與鍵長成正比,鍵長越長,鍵能越小,熔點(diǎn)越低,碳化硅的鍵長小于硅硅鍵長,所以碳化硅的熔點(diǎn)比硅的高;二氧化硅是原子晶體,氯化硅是分子晶體,原子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體,所以二氧化硅的熔點(diǎn)比氯化硅的高,
故答案為:>;<;
(2)物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定,單質(zhì)Si屬于原子晶體,原子間作用力是共價(jià)鍵;SiCl4屬于分子晶體,分子間作用力是范德華力,比共價(jià)鍵弱得多.因此不能都根據(jù)鍵能來判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低,
故答案為:不能;物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定,單質(zhì)Si屬于原子晶體,原子間作用力是共價(jià)鍵;SiCl4屬于分子晶體,分子間作用力是范德華力,比共價(jià)鍵弱得多.因此不能都根據(jù)鍵能來判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低;
(3)金剛石中每個(gè)碳原子和四個(gè)碳原子形成四個(gè)共價(jià)鍵,如果一個(gè)碳原子在正方體體心上,4個(gè)碳原子在相對的4個(gè)頂點(diǎn)上,所以為:,故答案為:;
(4)△H=360kJ/mol×4+436kJ/mol×2-176kJ/mol×2-431kJ/mol×4=+236 kJ/mol,故答案為:+236 kJ/mol.
點(diǎn)評 本題考查了熔點(diǎn)大小的判斷、反應(yīng)熱的計(jì)算等知識點(diǎn),注意反應(yīng)熱中硅的鍵能,在硅晶體中每個(gè)硅原子和其它4個(gè)硅原子形成4個(gè)共價(jià)鍵,所以每個(gè)硅原子含有2個(gè)共價(jià)鍵,此點(diǎn)為易錯(cuò)點(diǎn).
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
正極 | 負(fù)極 | 電解質(zhì)溶液 | |
A | Cu | Zn | HCl |
B | Zn | Cu | CuSO4 |
C | Cu | Zn | CuCl2 |
D | Zn | Cu | H2SO4 |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 反應(yīng)物濃度 | B. | 溫度 | C. | 壓強(qiáng) | D. | 反應(yīng)物本身性質(zhì) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 該反應(yīng)中KNO3是氧化劑,N2是還原產(chǎn)物 | |
B. | 每生成16 mol N2轉(zhuǎn)移30 mol電子 | |
C. | 若氧化產(chǎn)物比還原產(chǎn)物多1.75mol,則轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為1.25mol | |
D. | 該反應(yīng)中氧化產(chǎn)物與還原產(chǎn)物的質(zhì)量之比為1:15 |
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