GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。
（1）Ga和As的最外層電子數(shù)分別是________。
（2）GaAs中Ga和As的化合價分別是________。
（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料，該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。

3,5    +3，-3    SiC
   Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族，因此Ga和As的最外層電子數(shù)分別是3和5。Ga是金屬元素，As是非金屬元素，因此GaAs中Ga和As的化合價分別是+3和-3。第ⅣA族的C和Si兩元素，C元素的非金屬性強(qiáng)，因此該化合物的化學(xué)式為SiC。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga、As分別位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。

（1）Ga原子和As原子最外層的電子數(shù)分別是多少？

（2）GaAs中Ga和As的化合價分別是多少？

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成與GaAs類似的化合物，該化合物也能用作半導(dǎo)體材料。試推斷該化合物的化學(xué)式。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是            。

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是            。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料，該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為            。

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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

（1）Ga和As的最外層電子數(shù)分別是_____________________________________________。

（2）GaAs中Ga和As的化合價分別是___________________________________________。

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料，該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為__________________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

    （1）Ga和As的最外層電子數(shù)分別是            。

    （2）GaAs中Ga和As的化合價分別是            。

    （3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料，該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為            。

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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga、As分別位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。

（1）Ga原子和As原子最外層的電子數(shù)分別是多少？

（2）GaAs中Ga和As的化合價分別是多少？

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成與GaAs類似的化合物，該化合物也能用作半導(dǎo)體材料。試推斷該化合物的化學(xué)式。

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