Question

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn)，回答有關(guān)問題。

物質(zhì)	NaF	NaCl	NaBr	NaI	NaCl	KCl	RbCl	CsCl
熔點(diǎn)/℃	995	801	755	651	801	776	715	646
物質(zhì)	SiF4	SiCl4	SiBr4	SiI4	SiCl4	GeCl4	SnCl4	PbCl4
熔點(diǎn)/℃	-90.4	-70.4	5.2	120	-70.4	-49.5	-36.2	-15

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的___________有關(guān)，隨著___________________的增大，熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與___________有關(guān)，隨著___________增大，______________增大,故熔、沸點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多，這與___________有關(guān)，因?yàn)橐话鉥_____________比______________熔點(diǎn)高。

Answer 1

解析：比較表中物質(zhì)的熔點(diǎn)，并從晶體的類型及決定熔點(diǎn)的微觀作用力的角度深入分析熔點(diǎn)變化的原因，即可發(fā)現(xiàn)如下規(guī)律：（1）鈉的鹵化物的熔點(diǎn)從NaF到NaI依次降低，原因是它們所含陰離子的半徑依次增大；堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)從NaCl到CsCl依次降低，原因是它們所含的陽離子的半徑依次增大。（2）硅的鹵化物的熔點(diǎn)從SiF₄到SiI₄依次升高，原因是它們的相對分子質(zhì)量依次增大；硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)從SiCl₄到PbCl₄依次增大，原因是它們的相對分子質(zhì)量依次增大。（3）鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多，是由這兩類物質(zhì)的晶體類型不同引起的。

答案：（1）半徑　半徑

（2）相對分子質(zhì)量　相對分子質(zhì)量　分子間作用力

（3）晶體類型　離子晶體　分子晶體