A. | 元素B、C、D的簡單氫化物中化學(xué)鍵類型相同 | |
B. | 原子半徑A>B>C>D>E | |
C. | 由元素A、E形成的單質(zhì)晶體類型相同 | |
D. | AB形成的化合物中只可能含離子鍵 |
分析 A、B、C、D、E五種短周期元素,元素A在地殼中含量最高,則A為O元素;充有元素B單質(zhì)蒸氣的燈透霧能力強(qiáng),常用于道路和廣場的照明,則B為Na元素;E的最外層電子數(shù)與其電子總數(shù)比為3:8,則E為S元素,D的單質(zhì)常用作電腦的芯片材料,則D為Si元素;元素C的合金是日常生活中常用的合金,則C為C元素,然后結(jié)合對(duì)應(yīng)的單質(zhì)、化合物的性質(zhì)以及元素周期率知識(shí)解答該題.
解答 解:A、B、C、D、E五種短周期元素,元素A在地殼中含量最高,則A為O元素;充有元素B單質(zhì)蒸氣的燈透霧能力強(qiáng),常用于道路和廣場的照明,則B為Na元素;E的最外層電子數(shù)與其電子總數(shù)比為3:8,則E為S元素,D的單質(zhì)常用作電腦的芯片材料,則D為Si元素;元素C的合金是日常生活中常用的合金,則C為C元素,
A.B為Na、對(duì)應(yīng)的氫化物NaH為離子化合物,C為C、D為Si,對(duì)應(yīng)的氫化物為共價(jià)化合物,故A錯(cuò)誤;
B.一般來說,原子核外電子層數(shù)越多,原子半徑越大,電子層相同時(shí),核電荷數(shù)越大,原子半徑越小,則五種元素的原子半徑大小為:B>D>E>C>A,故B錯(cuò)誤;
C.A為O元素,其單質(zhì)為氧氣,屬于分子晶體,E為S元素,單質(zhì)S形成的晶體也是分子晶體,故C正確;
D.A為O元素、B為Na元素,二者可以形成過氧化鈉,過氧化鈉中既含有離子鍵,也含有共價(jià)鍵,故D錯(cuò)誤;
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查原子結(jié)構(gòu)與元素周期律的關(guān)系,題目難度中等,根據(jù)原子結(jié)構(gòu)明確元素種類為解答該題的關(guān)鍵,注意把握原子結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及元素周期律的遞變規(guī)律,試題培養(yǎng)了學(xué)生的分析能力及靈活應(yīng)用能力.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | X、Y、Z三種元素的簡單離子半徑逐漸增大 | |
B. | W、Y、Z三種元素可形成一種離子化合物,其中各原子均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu) | |
C. | W和Y、Y和Z均能形成原子個(gè)數(shù)比為1:1的化合物,這兩種化合物中均含有極性共價(jià)鍵和非極性共價(jià)鍵 | |
D. | 相同條件下,Z的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的pH大于W、X、Y三種元素形成的化合物的溶液 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 圖2可能表示的是氧化鎳(NiO)的晶胞 | |
B. | 圖1中C、N、O的第一電離能C>N>O | |
C. | 圖2中離鎳原子最近的鎳原子數(shù)共為8個(gè) | |
D. | 圖1分子中存在的化學(xué)鍵有共價(jià)鍵、配位鍵、氫鍵 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 只有②③ | B. | 只有①④ | C. | 只有①③④ | D. | ①②③④ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
M(OH)n | Ksp | pH | |
開始沉淀 | 沉淀完全 | ||
Al(OH)3 | 1.9×10-23 | 3.4 | 4.2 |
Fe(OH)3 | 3.8×10-38 | 2.5 | 2.9 |
Ni(OH)2 | 1.6×10-14 | 7.6 | 9.8 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | A物質(zhì)的水溶液與過量NaOH溶液在加熱時(shí)反應(yīng)的離子方程式為:Al3++4OH-═AlO2-↓+2H2O | |
B. | 633℃時(shí)剩余固體成分為Al2(SO4)3 | |
C. | 取B物質(zhì)于975℃灼燒得到兩種產(chǎn)物分別為Al2O3和SO3 | |
D. | 硫酸鋁銨晶體分解的最低溫度為80℃ |
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