ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物 。
(2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列 。
(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u> ;
(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為 ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃ ,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃,引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是 ;
(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式 ,該離子的立體構(gòu)型為 ;
(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,
則該氧化物的化學(xué)式為 。
(12分)[(4)、(5)兩題每空1分,其余每空2分]
(1)CS2 或N2O (2)SiO2>Na2O>P2O5 (3) O>S>Se
(4)1s22s22p63s23p63d104s24p4 或[Ar]3d104s24p4 H2Se分子之間的作用力強(qiáng)于H2S
(5) sp3;三角錐形 (6) AO
【解析】
試題分析:(1)原子數(shù)和價(jià)電子數(shù)分別都相等的互為等電子體,CO2含有3個(gè)原子、4+6×2=16個(gè)價(jià)電子數(shù),所以與CO2等電子的化合物是CS2 或N2O。
(2)Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物形成的晶體類(lèi)型分別是離子晶體、原子晶體和分子晶體,所以三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列是SiO2>Na2O>P2O5。
(3)非金屬性越強(qiáng),第一電離能越大。根據(jù)元素周期律可知,同主族元素自上而下非金屬性逐漸減弱,即O、S、Se三種元素的非金屬性強(qiáng)弱順序是O>S>Se,所以三種原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)镺>S>Se。
(4)Se元素的原子序數(shù)是34,所以根據(jù)構(gòu)造原理可知,Se原子基態(tài)核外電子的排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p4 或[Ar]3d104s24p4;由于H2Se和H2S分子形成的晶體類(lèi)型均是分子晶體,而H2Se分子之間的作用力強(qiáng)于H2S,所以H2Se的分子沸點(diǎn)高于H2S的沸點(diǎn)。
(5)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知,SO32-離子中硫原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=(6+2-3×2)÷2=1,所以該離子的空間構(gòu)型是三角錐形,而硫原子的雜化方式是sp3。
(6)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)并借助于均攤法可知,晶胞中含有的白球個(gè)數(shù)=8×+6×=4個(gè),而黑球全部在晶胞內(nèi),其個(gè)數(shù)=4個(gè),所以該氧化物的化學(xué)式是AO。
考點(diǎn):考查等電子體、晶體沸點(diǎn)比較以及及晶體化學(xué)式確定、第一電離能、核外電子排布、空間構(gòu)型、雜化軌道類(lèi)型的判斷等
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解
SO | 2- 3 |
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(540.0×10-10cm)3 |
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270.0 | ||
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135.0×
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sin
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3 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013屆江蘇省揚(yáng)州中學(xué)高三12月質(zhì)量檢測(cè)化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題
(12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物 。
(2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列 。
(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u> ;
(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為 ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是 ;
(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式 ,該離子的立體構(gòu)型為 ;
(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為 。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年江蘇省高三12月質(zhì)量檢測(cè)化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
(12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物 。
(2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列 。
(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u> ;
(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為 ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是 ;
(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式 ,該離子的立體構(gòu)型為 ;
(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為 。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A.ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物 ▲ 。
(2)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為 ▲ ; O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u> ▲ ;
(3)SO32-離子中硫原子的雜化方式 ▲ ,該離子的立體構(gòu)型為 ▲ ;
(4)某金屬元素(以A表示)的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為 ▲ 。
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