ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物          。

(2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列          。

(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>       ;

(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                          ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃ ,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃,引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是          ;

(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式          ,該離子的立體構(gòu)型為                 

(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,

則該氧化物的化學(xué)式為         

 

 

【答案】

(12分)[(4)、(5)兩題每空1分,其余每空2分]

(1)CS2 或N2O     (2)SiO2>Na2O>P2O5     (3) O>S>Se  

(4)1s22s22p63s23p63d104s24p4 或[Ar]3d104s24p4   H2Se分子之間的作用力強(qiáng)于H2S   

(5) sp3;三角錐形   (6) AO

【解析】

試題分析:(1)原子數(shù)和價(jià)電子數(shù)分別都相等的互為等電子體,CO2含有3個(gè)原子、4+6×2=16個(gè)價(jià)電子數(shù),所以與CO2等電子的化合物是CS2 或N2O。

(2)Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物形成的晶體類(lèi)型分別是離子晶體、原子晶體和分子晶體,所以三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列是SiO2>Na2O>P2O5。

(3)非金屬性越強(qiáng),第一電離能越大。根據(jù)元素周期律可知,同主族元素自上而下非金屬性逐漸減弱,即O、S、Se三種元素的非金屬性強(qiáng)弱順序是O>S>Se,所以三種原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)镺>S>Se。

(4)Se元素的原子序數(shù)是34,所以根據(jù)構(gòu)造原理可知,Se原子基態(tài)核外電子的排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p4 或[Ar]3d104s24p4;由于H2Se和H2S分子形成的晶體類(lèi)型均是分子晶體,而H2Se分子之間的作用力強(qiáng)于H2S,所以H2Se的分子沸點(diǎn)高于H2S的沸點(diǎn)。

(5)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知,SO32-離子中硫原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=(6+2-3×2)÷2=1,所以該離子的空間構(gòu)型是三角錐形,而硫原子的雜化方式是sp3。

(6)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)并借助于均攤法可知,晶胞中含有的白球個(gè)數(shù)=8×+6×=4個(gè),而黑球全部在晶胞內(nèi),其個(gè)數(shù)=4個(gè),所以該氧化物的化學(xué)式是AO。

考點(diǎn):考查等電子體、晶體沸點(diǎn)比較以及及晶體化學(xué)式確定、第一電離能、核外電子排布、空間構(gòu)型、雜化軌道類(lèi)型的判斷等

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)S單質(zhì)的常見(jiàn)形式是S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
;
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
O>S>Se
O>S>Se
;
(3)Se的原子序數(shù)為
34
34
,其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10

(4)H2Se的酸性比 H2S
強(qiáng)
強(qiáng)
(填“強(qiáng)”或“弱”).氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為
平面三角形
平面三角形
,
SO
2-
3
離子的立體構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形

(5)H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4的第一步幾乎完全電離,K2是1.2×10-2,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋?zhuān)?br />①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因:
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:
H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+
H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛.立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm,密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3(列式并計(jì)算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
pm(列式表示)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013屆江蘇省揚(yáng)州中學(xué)高三12月質(zhì)量檢測(cè)化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題

(12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物         。
(2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         
(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ;
(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         
(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ;
(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為         。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年江蘇省高三12月質(zhì)量檢測(cè)化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

(12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物         。

(2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         。

(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ;

(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         ;

(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ;

(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為         。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

A.ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物   ▲   。

(2)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為        ▲   ; O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>  ▲  ;

(3)SO32-離子中硫原子的雜化方式  ,該離子的立體構(gòu)型為    ▲     

(4)某金屬元素(以A表示)的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為   ▲  。

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