如下圖，已知：①單質(zhì)E可作為半導體材料；

②化合物F是不能生成鹽的氧化物；

③化合物I能溶于水呈酸性，它能夠跟氧化物A起反應。

據(jù)此，請?zhí)羁眨?/p>

(1)化合物F是____________。

(2)化合物I是____________。

(3)反應③的化學方程式是________________________________________________。

(4)反應④的化學方程式是________________________________________________。

解析：本題考查元素及其化合物的性質(zhì)，屬常規(guī)“方框圖”題型。單質(zhì)E和化合物F分別是半導體材料和不成鹽氧化物，因而它們的首選答案可考慮各為Si和CO，于是，反應①的化學方程式應為：

SiO2+2CSi+2CO↑

    氧化物A是SiO2，它除了跟氫氟酸反應外不跟任何酸起反應，由此判斷化合物I為HF。需作進一步檢驗，此時要對所有參與反應的各種物質(zhì)加以考慮�，F(xiàn)試寫出其余三個反應的化學方程式如下：

反應②為：C+H2OCO+H2

反應③為：2H2+O22H2O

反應④為：2F2+2H2O4HF+O2

經(jīng)逐一核對，各物質(zhì)均符合題意。顯然，本題的“切入點”，可以認為是Si和CO，而HF和F2則是本題的難點和重點之所在。

答案：(1)CO(一氧化碳)  (2)HF(氟化氫)

(3)2H2+O22H2O

(4)2F2+2H2O4HF+O2


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相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣，可由碳（C）與水蒸氣（H2O）在高溫下反應生成．如下圖：

已知：單質(zhì)E可作為半導體材料，化合物F是有毒的氧化物，C為液態(tài)．據(jù)此，請?zhí)羁眨?BR>（1）氧化物A是
SiO2
SiO2

（2）化合物F是
CO
CO

（3）反應①的化學方程式是
2C+SiO2
 高溫 
.
 
2CO+Si
2C+SiO2
 高溫 
.
 
2CO+Si

（4）反應②的化學方程式是
C+H2O
 高溫 
.
 
CO+H2
C+H2O
 高溫 
.
 
CO+H2

（5）反應③的化學方程式是
2H2+O2
 點燃 
.
 
2H2O
2H2+O2
 點燃 
.
 
2H2O
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

如下圖，已知：①單質(zhì)E可作為半導體材料；②化合物F是不成鹽氧化物；③化合物I能溶于水呈酸性，它能夠跟氧化物A起反應。

請完成下列問題：

(1)化合物F是___________________。

(2)化合物I是___________________。

(3)反應③的化學方程式是________________________________________________。

(4)反應④的化學方程式是________________________________________________。

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科目：高中化學 來源： 題型：

如下圖，已知：?

①單質(zhì)E可作為半導體材料；②化合物F是不能生成鹽的氧化物；③化合物I能溶于水呈酸性，它能夠跟氧化物A起反應。?

據(jù)此，請?zhí)羁眨?

(1)化合物F是___________________。?

(2)氧化物A是___________________。?

(3)反應③的化學方程式是___________________________________________________。

(4)反應④的化學方程式是___________________________________________________。

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科目：高中化學 來源： 題型：

如下圖，已知：①單質(zhì)E可作為半導體材料；②化合物F是不成鹽氧化物；③化合物I能溶于水呈酸性，它能夠跟氧化物A起反應。

請完成下列問題：

（1）化合物F是___________________。

（2）化合物I是___________________。

（3）反應③的化學方程式是______________________________________________________。

（4）反應④的化學方程式是_____________________________________________________。

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