在常溫時，下列金屬晶體中硬度最大的是……………………………………………（  ）

A. 鈉　　　　　　    B. 鋁　　　　　　   C. 鎂　　　　　　    D. 鉀

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2013?武漢模擬）金屬鈦呈銀白色，因它堅硬．強度大．耐熱．密度小，被稱為高技術(shù)金屬．目前生產(chǎn)鈦采用氯化法，主要步驟如下：
Ⅰ．即將金紅石或鈦鐵礦與焦炭混合，通入氯氣并加熱制得TiCl4：
2FeTiO3+7Cl2+6C
 1173K 
.
 
2TiCl4+2FeCl3+6CO
TiO2+2Cl2+2C
 1173K 
.
 
TiCl4+2CO
Ⅱ．將TiCl4蒸餾并提純，在氬氣保護下與鎂共熱得到鈦：
TiCl4+2Mg
 1220～1420K 
.
 
Ti+2MgCl2
Ⅲ．用稀鹽酸溶解MgCl2和過量Mg后得海綿狀鈦，再在真空熔化鑄成鈦錠．
請回答下列問題：
（1）基態(tài)鈦原子的價電子排布式為
3d24s2
3d24s2
．
（2）與CO互為等電子體的離子為
CN-（或NO+．C22-）
CN-（或NO+．C22-）
（填化學(xué)式）．
（3）在CH2Cl2．HCHO．CO2．C2H4中，碳原子采取sp2雜化的分子有
HCHO、C2H4
HCHO、C2H4
．
（4）TiCl4在常溫下是無色液體，在水或潮濕空氣中易水解而冒白煙．則TiCl4屬于
分子
分子
（填“原子”．“分子”或“離子”）晶體．
（5）與鈦同周期的另一種元素鈷（Co）可形成分子式均為Co（NH3）5BrSO4的兩種配合物，其中一種化學(xué)式為[Co（NH3）5Br]SO4，往其溶液中加BaCl2溶液時，現(xiàn)象是
產(chǎn)生白色沉淀
產(chǎn)生白色沉淀
；往另一種配合物的溶液中加入BaCl2溶液時，無明顯現(xiàn)象，若加入AgNO3溶液時，產(chǎn)生淡黃色沉淀，則第二種配合物的化學(xué)式為
[Co（NH3）5SO4]Br
[Co（NH3）5SO4]Br
．
（6）在自然界中TiO2有金紅石．板鈦礦．銳鈦礦三種晶型，其中金紅石的晶胞如圖所示，則其中Ti4+的配位數(shù)為
6
6
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

為了比較溫室效應(yīng)氣體對目前全球增溫現(xiàn)象的影響，　科學(xué)家通常引用“溫室效應(yīng)指數(shù)”，以二氧化碳為相對標準。表1有(A)至(I)共九種氣體在大氣中的體積百分比及其溫室效應(yīng)指數(shù)。結(jié)合表中列出的九種氣體，

試  參與回答下列各題：

（1）下列由極性鍵形成的極性分

 子是               。

    A．N2      B．O2

       C．H2O    D．CO2

E．CH4

 

（2）下列說法不正確的是     。

    A．N2O與CO2, CCl3F與CCl2F2互為等電子體

    B．CCl2F2無同分異構(gòu)體，說明其中碳原子采用sp3方式雜化

    C．CH4是目前引起溫室效應(yīng)的主要原因

    D．H2O沸點是九種物質(zhì)中最高的，是因為水分子間能形成氫鍵

（3）在半導(dǎo)體生產(chǎn)或滅火劑的使用中，會向空氣逸散氣體如：NF3、CHClFCF3、C3F8，它們雖是微量的，有些確是強溫室氣體，下列推測不正確的是        。

    A．由價層電子對互斥理論可確定NF3分子呈三角錐形 

    B． C3F8在CCl4中的溶解度比水中大

    C．CHClFCF3存在手性異構(gòu)                  

    D．第一電離能：N＜O＜F

（4）甲烷晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖，下列有關(guān)說法正確的    。

  A．甲烷在常溫下呈氣態(tài),說明甲烷晶體屬于分子晶體

    B．晶體中1個CH4分子有12個緊鄰的甲烷分子

    C． CH4晶體熔化時需克服共價鍵

    D．可燃冰（8CH4·46H2O）是在低溫高壓下形成的晶體

（5）水能與多種過渡金屬離子形成絡(luò)合物，已知某紅紫色絡(luò)合物的組成為CoCl3·5NH3·H2O。其水溶液顯弱酸性，加入強堿并加熱至沸騰有氨放出，同時產(chǎn)生Co2O3沉淀；加AgNO3于該化合物溶液中，有AgCl沉淀生成，過濾后再加AgNO3溶液于濾液中無變化，但加熱至沸騰有AgCl沉淀生成， 且其質(zhì)量為第一次沉淀量的二分之一。則該配合物的化學(xué)式最可能為                    。                                              

A．[ CoCl2(NH3)4 ]Cl·NH3·H2O B．[ Co(NH3)5(H2O)]Cl3

C．[ CoCl2(NH3)3(H2O)]Cl·2NH3    D．[ CoCl(NH3)5]Cl2·H2O。 

（6）題（5）中鈷離子在基態(tài)時核外電子排布式為：                            。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

為了比較溫室效應(yīng)氣體對目前全球增溫現(xiàn)象的影響，　科學(xué)家通常引用“溫室效應(yīng)指數(shù)”，以二氧化碳為相對標準。表1有(A)至(I)共九種氣體在大氣中的體積百分比及其溫室效應(yīng)指數(shù)。

結(jié)合表中列出的九種氣體，試參與回答下列各題：

（1）下列由極性鍵形成的極性分子是   　  。

A．N2           B．O2           C．H2O          D．CO2                  E．CH4

（2）下列說法不正確的是         。

A．N2O與CO2, CCl3F與CCl2F2互為等電子體

B．CCl2F2無同分異構(gòu)體，說明其中碳原子采用sp3方式雜化

C．CH4是目前引起溫室效應(yīng)的主要原因

D．H2O沸點是九種物質(zhì)中最高的，是因為水分子間能形成氫鍵

（3）在半導(dǎo)體生產(chǎn)或滅火劑的使用中，會向空氣逸散氣體如：NF3、CHClFCF3、C3F8，它們雖是微量的，有些確是強溫室氣體，下列推測不正確的是  　  。

A．由價層電子對互斥理論可確定NF3分子呈三角錐形 

B． C3F8在CCl4中的溶解度比水中大

C．CHClFCF3存在手性異構(gòu)                     D．第一電離能：N＜O＜F

（4）甲烷晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖,下列有關(guān)說法正確的是     。

  　A．甲烷在常溫下呈氣態(tài),說明甲烷晶體屬于分子晶體

B．晶體中1個CH4分子有12個緊鄰的甲烷分子

C． CH4晶體熔化時需克服共價鍵

D．可燃冰（8CH4·46H2O）是在低溫高壓下形成的晶體

（5）水能與多種過渡金屬離子形成絡(luò)合物，已知某紅紫色絡(luò)合物的組成為CoCl3·5NH3·H2O。其水溶液顯弱酸性，加入強堿并加熱至沸騰有氨放出，同時產(chǎn)生Co2O3沉淀；加AgNO3于該化合物溶液中，有AgCl沉淀生成，過濾后再加AgNO3溶液于濾液中無變化，但加熱至沸騰有AgCl沉淀生成， 且其質(zhì)量為第一次沉淀量的二分之一。則該配合物的化學(xué)式最可能為            。                                              

A． [ CoCl2(NH3)4 ]Cl·NH3·H2O；         B．  [ Co(NH3)5(H2O)]Cl3 ；

C． [ CoCl2(NH3)3(H2O)]Cl·2NH3  ；           D．   [ CoCl(NH3)5]Cl2·H2O。 

（6）題（5）中鈷離子在基態(tài)時核外電子排布式為：                 。

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科目：高中化學(xué) 來源：2014屆浙江省杭州市七校高三上學(xué)期期中聯(lián)考化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO2粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na2SiO3等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好。

回答下列問題

（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                           ；

（2）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                    ，對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH一反應(yīng)，生成SiO44一，然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4�；诖嗽矸治龇磻�(yīng)中氧化劑為                     。

（3）本�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

 

實驗事實

事實一

水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。

事實二

盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。

事實三

普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。

事實四

在野外環(huán)境里，用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH，點著后燜燒，可劇烈放出H2。

事實五

1g（0.036mo1）Si和20mL含有l(wèi)gNaOH（0.025mol）的溶液，小心加熱（稍微預(yù)熱），收集到約1700mL H2，很接近理論值（1600mL）。

 

結(jié)論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H2O可作                 劑；NaOH作               劑，降低反應(yīng)             。高溫?zé)o水環(huán)境下，NaOH作               劑。

（4）在太陽能電池表面沉積深藍色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH4）與氨氣（NH3）在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是                。

A．在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H2；

B．硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為：3SiH4+4NH3＝Si3N4+12H2↑，反應(yīng)中NH3作氧化劑；

C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學(xué)穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應(yīng)；

D．氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si3N4是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2012屆遼寧省葫蘆島一高高二下學(xué)期第二次月考化學(xué)試卷 題型：填空題

（12分）

為了比較溫室效應(yīng)氣體對目前全球增溫現(xiàn)象的影響，科學(xué)家通常引用“溫室效應(yīng)指數(shù)”，以二氧化碳為相對標準。表1有(A)至(I)共九種氣體在大氣中的體積百分比及其溫室效應(yīng)指數(shù)。

結(jié)合表中列出的九種氣體，試參與回答下列各題：

（1）下列由極性鍵形成的非極性分子是       。

A．N2       B．O2        C．H2O        D．CO2             E．CH4

（2）下列說法正確的是            。

A．N2O與CO2, CCl3F與CCl2F2互為等電子體

B．CCl2F2無同分異構(gòu)體，說明其中碳原子采用sp2方式雜化

C．CCl2F2是目前引起溫室效應(yīng)的主要原因

D．H2O沸點是九種物質(zhì)中最高的，是因為水分子間能形成氫鍵

（3）在半導(dǎo)體生產(chǎn)或滅火劑的使用中，會向空氣逸散氣體如：NF3、CHClFCF3、C3F8，它們雖是微量的，有些確是強溫室氣體，下列推測正確的是    。

A．由價層電子對互斥理論可確定NF3分子呈平面三角形

B．C3F8在CCl4中的溶解度比水中大

C．CHClFCF3存在手性異構(gòu)

D．電負性：N＜O＜F

（4）甲烷晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，下列有關(guān)說法正確的  。

A．甲烷在常溫下呈氣態(tài),說明甲烷晶體屬于分子晶體

B．晶體中1個CH4分子有6個緊鄰的甲烷分子

C．CH4晶體熔化時需克服共價鍵

D．可燃冰（8CH4·46H2O）是在低溫高壓下形成的晶體[來源:學(xué)*科*網(wǎng)]

（5）水能與多種過渡金屬離子形成絡(luò)合物，已知某紫紅色絡(luò)合物的組成為CoCl3·5NH3·H2O。其水溶液顯弱酸性，加入強堿并加熱至沸騰有氨放出，同時產(chǎn)生Co2O3沉淀；加AgNO3于該化合物溶液中，有AgCl沉淀生成，過濾后再加AgNO3溶液于濾液中無變化，但加熱至沸騰有AgCl沉淀生成，且其質(zhì)量為第一次沉淀量的二分之一。則該配合物的化學(xué)式最可能為                    。                                              

A．[ CoCl2(NH3)4 ]Cl·NH3·H2O            B．[ CoCl(NH3)5]Cl2·H2O

C．[ CoCl2(NH3)3(H2O)]Cl·2NH3            D．[ Co(NH3)5(H2O)]Cl3

（6）題（5）中鈷離子在基態(tài)時核外電子排布式為：                            。

 

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