A. | H2O、H2S、H2Se | B. | Hg、Na、NaCl | ||
C. | 晶體硅、金剛石、碳化硅 | D. | S、Br2、O3 |
分析 首先判斷晶體的類型,一般來(lái)說(shuō)晶體的熔點(diǎn)原子晶體>離子晶體>金屬晶體>分子晶體,相同晶體從影響晶體熔沸點(diǎn)高低的因素分析:
原子晶體中,晶體的熔點(diǎn)與鍵長(zhǎng)成反比,鍵長(zhǎng)越長(zhǎng),晶體的熔點(diǎn)越低;
離子晶體中,結(jié)構(gòu)相似的離子晶體,離子半徑越小,晶格能越大,熔點(diǎn)越高;
金屬晶體中,原子半徑依次越小,金屬離子電荷越多,金屬鍵就越強(qiáng)強(qiáng),則熔點(diǎn)就越高;
分子晶體中,結(jié)構(gòu)相似,分子量越大,熔沸點(diǎn)越高,含有氫鍵的物質(zhì)熔沸點(diǎn)較高.
解答 解:A.從兩個(gè)角度考慮,水中存在氫鍵,沸點(diǎn)最高,H2Se和H2S結(jié)構(gòu)相似,分子間只存在范德華力,相對(duì)分子質(zhì)量越大,沸點(diǎn)越高,故正確順序?yàn)镠2O>H2Se>H2S,故A錯(cuò)誤;
B.晶體熔沸點(diǎn)高低順序一般為:原子晶體>離子晶體>分子晶體,氯化鈉屬于離子晶體、Hg、Na屬于金屬晶體,Hg常溫下為液態(tài),所以熔沸點(diǎn)由高到低的順序是:金剛石NaCl>Na>Hg,故B錯(cuò)誤;
C.金剛石、碳化硅、晶體硅都是原子晶體,且原子間鍵長(zhǎng)大小順序是硅硅鍵>碳硅鍵>碳碳鍵,所以這三種晶體熔點(diǎn)由高到低的順序是:金剛石>碳化硅>晶體硅,故C錯(cuò)誤;
D.S、Br2、O3都屬于分子晶體,都不含有氫鍵,影響熔沸點(diǎn)的因素是分子間作用力的大小,物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),沸點(diǎn)越高,硫有S2、S4、S8等,相對(duì)分子質(zhì)量較大,硫單質(zhì)常溫下為固體,Br2式量160,常溫下為液體,O3式量48,常溫下為氣體,所以熔點(diǎn)由高到低S、Br2、O3,故D正確;
故選D.
點(diǎn)評(píng) 本題考查晶體熔點(diǎn)的比較,題目難度不大,注意把握影響不同晶體熔沸點(diǎn)高低的因素,當(dāng)然也可以依據(jù)物質(zhì)在常溫下的狀態(tài)來(lái)比較,學(xué)習(xí)中注重相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)的積累.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 含H+的溶液 | B. | H+濃度為1×10-6 mol/L的溶液 | ||
C. | pH<7的溶液 | D. | c(OH-)<c(H+)的溶液 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 438.6 kJ/mol | B. | 241.8 kJ/mol | C. | 285.8kJ/mol | D. | -285.8 kJ/mol |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
容器 | 甲 | 乙 |
反應(yīng)物投入量 | 2molSO2、1molO2 | 4molSO3 |
平衡時(shí)n(SO3)/mol | 1 | m |
反應(yīng)物的轉(zhuǎn)化率 | α1 | α2 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
序號(hào) | ① | ② | ③ | ④ | ⑤ | ⑥ |
儀器及裝置圖 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 溶液中的粒子一定不帶電,膠體中的分散質(zhì)粒子帶電荷 | |
B. | 電泳現(xiàn)象證明膠體帶電荷 | |
C. | 加入電解質(zhì),膠體可產(chǎn)生沉淀,而溶液不能 | |
D. | 一束光線分別通過(guò)溶液和膠體時(shí),后者會(huì)出現(xiàn)光亮的通路,前者則沒(méi)有 |
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