電離能(kJ/mol) | I1 | I2 | I3 | I4 |
A | 932 | 1 821 | 15 390 | 21 771 |
B | 738 | 1 451 | 7 733 | 10 540 |
分析 由表中電離能可知,二者第三電離能劇增,故為+2價,都為短周期元素,故A為鈹、B為Mg.
(1)由圖1電子軌道排布圖可知,3s能級未填滿就填充3p能級,而3s能級能量比3p能級低;
(2)BeCl2分子中Be的成2個σ鍵,沒有孤對電子對,雜化軌道數(shù)為2;
(3)C60為分子晶體,熔化時破壞的是范德華力,無需破壞共價鍵,而金剛石屬于原子晶體,熔化時需要破壞共價鍵;
(4)K原子核外電子數(shù)為19,根據(jù)能量最低原理書寫基態(tài)鉀原子的價電子排布式;
根據(jù)均攤法計算晶胞中K原子和C60分子的個數(shù)比;
(5)同周期自左而右電負性增大,同主族自上而下電負性減;
NCl3分子中N原子孤電子對數(shù)=$\frac{5-1×3}{2}$=1,價層電子對數(shù)=3+1=4;
Si60分子中每個硅原子只跟相鄰的3個硅原子形成共價鍵,且每個硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則每個Si原子形成的3個鍵中有2個單鍵、1個雙鍵,根據(jù)均攤法可知Si60分子中單鍵、雙鍵總數(shù)目為60×3×$\frac{1}{2}$=90.
解答 解:由表中電離能可知,二者第三電離能劇增,故為+2價,都為短周期元素,故A為鈹、B為Mg.
(1)由圖1電子軌道排布圖可知,3s能級未填滿就填充3p能級,而3s能級能量比3p能級低,違背了能量最低原理,
故答案為:能量最低原理;
(2)BeCl2分子中Be的成2個σ鍵,沒有孤對電子對,雜化軌道數(shù)為2,Be原子采取sp雜化,
故答案為:sp雜化;
(3)C60為分子晶體,熔化時破壞的是范德華力,無需破壞共價鍵,而金剛石屬于原子晶體,熔化時需要破壞共價鍵,故C60的熔點低于金剛石的,該同學說法不正確,
故答案為:否;C60為分子晶體,熔化時破壞的是范德華力,無需破壞共價鍵,而金剛石屬于原子晶體,熔化時需要破壞共價鍵;
(4)K原子核外電子數(shù)為19,根據(jù)能量最低原理,基態(tài)鉀原子的價電子排布式為:4s1,
晶胞中K原子數(shù)目為12×$\frac{1}{2}$=6、C60分子個數(shù)為1+8×$\frac{1}{8}$=2,故晶胞中K原子和C60分子的個數(shù)比6:2=3:1,
故答案為:4s1;3:1;
(5)同周期自左而右電負性增大,同主族自上而下電負性減小,故電負性:N>C>Si,
NCl3分子中N原子孤電子對數(shù)=$\frac{5-1×3}{2}$=1,價層電子對數(shù)=3+1=4,空間結(jié)構(gòu)為三角錐形,
Si60分子中每個硅原子只跟相鄰的3個硅原子形成共價鍵,且每個硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則每個Si原子形成的3個鍵中有2個單鍵、1個雙鍵,根據(jù)均攤法可知Si60分子中單鍵、雙鍵總數(shù)目為60×3×$\frac{1}{2}$=90,則Si60分子中π鍵的數(shù)目為90×$\frac{1}{3}$=30,
故答案為:N>C>Si;三角錐形;30.
點評 本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查,涉及電離能、雜化方式與空間構(gòu)型判斷、核外電子排布、晶體類型與性質(zhì)、晶胞結(jié)構(gòu)與計算等,注意理解電離能劇增與能級能量問題,(5)中注意根據(jù)8電子結(jié)構(gòu)判斷Si原子常見情況,再結(jié)合均攤法計算化學鍵數(shù)目.
科目:高中化學 來源: 題型:計算題
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
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